MSM型X射线探测器、电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种MSM型X射线探测器、电子设备。一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；第二公共电极图案和源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。本实施例中通过调整第二公共电极图案与源漏极图案之间的耦合电容，使耦合电容小于或等于设定阈值，从而可以降低源漏极图案中漏极所连接数据线上的热噪声。另外，通过将第一公共电极和/或第二公共电极所连接电源的电压调整为负电压，可以降低与第一公共电极或第二公共电极相关的耦合电容的漏电流，降低像素开关管TFT所产生的噪声，有利于提高检测效率。

【技术实现步骤摘要】
MSM型X射线探测器、电子设备
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种MSM型X射线探测器、电子设备。
技术介绍
目前，MSM(Metal-Semiconductor-Metal)型X-ray检测器中包含像素开关管TFT，但是其漏电流较大，进而使漏极所连接的数据线之上的噪声较大，导致检测效率较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种MSM型X射线探测器、电子设备，以解决相关技术中探测器中噪声较大的问题。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低所述MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。可选地，所述每个像素单元还包括设置在所述第三层远离所述第二层一侧的包含HV电极图案的第四层；所述HV电极图案和所述源漏极图案存在交叉区域；所述第二公共电极图案所在区域覆盖所述交叉区域，以使所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于设定阈值。可选地，每个像素单元还包括设置在所述第二层远离所述第三层一侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，其特征在于，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低所述MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。

【技术特征摘要】
1.一种MSM型X射线探测器，包括多个像素单元，其特征在于，每个像素单元包括依次设置的包含源漏极图案的第二层和包含第二公共电极图案的第三层；所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于或等于设定阈值，以降低所述MSM型X射线探测器中各像素单元的热噪声。2.根据权利要求1所述的MSM型X射线探测器，其特征在于，所述每个像素单元还包括设置在所述第三层远离所述第二层一侧的包含HV电极图案的第四层；所述HV电极图案和所述源漏极图案存在交叉区域；所述第二公共电极图案所在区域覆盖所述交叉区域，以使所述第二公共电极图案和所述源漏极图案之间的耦合电容小于设定阈值。3.根据权利要求2所述的MSM型X射线探测器，其特征在于，每个像素单元还包括设置在所述第二层远离所述第三层一侧的包含栅极图案和第一公共电极图案的第一层；所述第二公共电极图案所在区域还覆盖所述栅极图案所在区域。4.根据权利要求1所述的MS...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓惠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11