一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法技术

一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，包括以下步骤：（1）边角余料前处理；（2）粗破碎；（3）加热处理；（4）制粉；（5）混料；（6）取向成型；（7）烧结和固溶；（8）时效。利用本发明专利技术，可以对烧结钐钴永磁体边角余料重新利用，并满足使用要求，同时能降低生产成本和减少环境污染。

A Processing Method of Sintered Samarium Cobalt Permanent Magnet Edge Residues

A method for treating the corner residue of sintered samarium cobalt permanent magnet includes the following steps: (1) pretreatment of the corner residue; (2) crushing; (3) heating treatment; (4) powder making; (5) mixing; (6) orientation moulding; (7) sintering and solid solution; (8) aging. The invention can reuse the edge and corner residue of sintered samarium cobalt permanent magnet, meet the use requirements, reduce production cost and reduce environmental pollution.

【技术实现步骤摘要】
一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法
本专利技术涉及稀土永磁材料
，具体涉及一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法。
技术介绍
烧结钐钴永磁材料是一种具有高矫顽力和高磁能积的稀土永磁材料，由于钐钴毛坯经过后加工后会产生大量的边角余料，钐钴边角余料一般用来制备低性能粘接磁体或氯化钴，或者经过冶炼提取稀土钐或战略资源钴等高价值元素，这些处理方式都没有充分有效的利用钐钴边角余料，且容易造成环境污染和资源浪费。现有烧结钐钴边角余料的处理方法一般是将钐钴永磁体废料和金属混合物（含钐、钴、铁等原材料）按一定比例配料后熔炼成铸锭后再制粉（CN105261474A），或者是将钐钴边角余料酸洗后，重新加入金属钐和金属铜，放入真空熔炼炉进行再生，制成再生合金铸锭，将再生合金铸锭与正常合金铸锭按照一定的比例混合后制粉（CN106222489A）。现有边角余料的处理方法都要将边角余料重新熔炼，并且要加入新的原材料以补充铸锭中元素的含量损失，增加了工序步骤和成本，目前，还没有一种较为简化处理烧结钐钴边角余料的处理方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服上述
技术介绍
的不足，提供一种充分利用边角余料，降低边角余料处理流程和钐钴生产成本及环境污染，满足性能标准的烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，包括以下步骤：（1）边角余料前处理：将钐钴边角余料酸洗并烘干；（2）粗破碎：将前处理后的边角料粗破碎为15mm以下的粗颗粒；（3）加热处理：先真空加热将粗颗粒表面残留的吸附水分、酸液和油脂等易挥发物处理干净，再通氢气还原粗颗粒表面吸附的氧；（4）制粉：采用鄂破、中碎、气流磨将加热处理后的粗颗粒制成3-5μm的细粉末；（5）混料：将边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:5-10的比例混合均匀；（6）取向成型：将混合磁粉在磁场下取向并压制成型，进行冷等静压，得到钐钴压坯；（7）烧结和固溶：将钐钴压坯真空预烧结，充氩气烧结，降温固溶，风冷至室温，得到烧结毛坯；（8）时效：将烧结毛坯在800～830℃下保温10～20h，随后降温至400～450℃，保温10～15h，最后急冷至室温得到钐钴永磁体。进一步，步骤（2）中，用鄂破机粗破碎。进一步，步骤（3）中，加热处理先抽真空至1×10-1Pa以下，加热温度为200-500℃，保温1-2h，再通氢气在800-900℃保温1-2h。进一步，步骤（6）中，磁场的强度为1.8～2.0T。进一步，步骤（6）中，冷等静压的压强为200～300MPa。进一步，步骤（7）中，真空预烧结的温度为1000～1190℃，时间为30-60min；充氩气烧结的温度为1200～1220℃，时间为90～120min；降温至1160～1180℃，固溶90～120min。进一步，步骤（8）中，以0.3～0.7℃/min的速度降温至400～450℃。与现有技术相比，本专利技术的优点如下：采用先真空加热将粗破碎颗粒表面残留的吸附水分、酸液和油脂等易挥发物处理干净，再通氢气还原粗颗粒表面吸附的氧，然后再将边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:5-10的比例混合均匀，简化边角余料的处理流程，节约材料和生产成本，减少环境污染，获得满足性能标准的烧结钐钴永磁体。具体实施方式以下结合实施例对本专利技术作进一步说明。实施例1本实施例包括以下步骤：（1）边角余料前处理：将钐钴边角余料酸洗并烘干；在自来水中加入自来水重量8%的盐酸（分析纯36-38%），然后将钐钴边角余料放入上述溶液中进行浸泡，浸泡时间为20分钟，然后将浸泡好的钐钴边角余料用自来水清洗干净，最后用鼓风干燥箱将钐钴边角余料表面的水分除去；（2）粗破碎：将前处理后的边角料用鄂破机粗破碎为15mm以下的粗颗粒；（3）加热处理：加热处理先抽真空至1×10-1Pa以下，加热温度为450℃，保温2h，再通氢气在850℃保温2h，还原粗颗粒表面吸附的氧；（4）制粉：采用鄂破、中碎、气流磨将加热处理后的粗颗粒制成3-5μm的细粉末；（5）混料：将边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:5的比例混合均匀；（6）取向成型：将混合磁粉在磁场强度为1.85T磁场下取向并压制成型，进行冷等静压，冷等静压的压强为250MPa得到钐钴压坯；（7）烧结和固溶：将钐钴压坯先在真空预烧结，真空预烧结的温度为1190℃，时间为60min，然后充氩气烧结，充氩气烧结的温度为1220℃，时间为120min，然后降温固溶处理，固溶温度1180℃，时间为120min，最后风冷至室温，得到烧结毛坯；（8）时效：将烧结毛坯在830℃下保温15h，随后以0.5℃/min的速度降温至400℃，保温10h，最后急冷至室温得到钐钴永磁体。实施例2本实施例与实施例1的区别仅在于：步骤（5）中，边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:8的比例混合均匀。其余同实施例1。实施例3本实施例与实施例1和实施例2的区别仅在于：步骤（5）中，边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:10的比例混合均匀。其余同实施例1。对比例：将原材料按正常比例进行配料、熔炼铸锭、制粉，再进行后续的成型、烧结及时效制成钐钴永磁体；正常合金铸锭中各组分的重量百分比为，钐25.5%、钴52%、铁16.5%、铜6%、锆3%。本实施例制备的钐钴永磁体样品测试磁性能，测试结果如表1所示。表1采用本专利技术所述的一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，可以简化边角余料的处理流程，节约材料和生产成本，减少环境污染，获得满足性能标准的烧结钐钴永磁体。本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种修改和变型，倘若这些修改和变型在本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则这些修改和变型也在本专利技术的保护范围之内。说明书中未详细描述的内容为本领域技术人员公知的现有技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）边角余料前处理：将钐钴边角余料酸洗并烘干；（2）粗破碎：将前处理后的边角料粗破碎为15mm以下的粗颗粒；（3）加热处理：先真空加热将粗颗粒表面残留的易挥发物处理干净，再通氢气还原粗颗粒表面吸附的氧；（4）制粉：采用鄂破、中碎、气流磨将加热处理后的粗颗粒制成3‑5μm的细粉末；（5）混料：将边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:5‑10的比例混合均匀；（6）取向成型：将混合磁粉在磁场下取向并压制成型，进行冷等静压，得到钐钴压坯；（7）烧结和固溶：将钐钴压坯真空预烧结，充氩气烧结，降温固溶，风冷至室温，得到烧结毛坯；（8）时效：将烧结毛坯在800～830℃下保温10～20h，随后降温至400～450℃，保温10～15h，最后急冷至室温得到钐钴永磁体。

【技术特征摘要】
1.一种烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）边角余料前处理：将钐钴边角余料酸洗并烘干；（2）粗破碎：将前处理后的边角料粗破碎为15mm以下的粗颗粒；（3）加热处理：先真空加热将粗颗粒表面残留的易挥发物处理干净，再通氢气还原粗颗粒表面吸附的氧；（4）制粉：采用鄂破、中碎、气流磨将加热处理后的粗颗粒制成3-5μm的细粉末；（5）混料：将边角料制备的气流磨粉末和正常料的气流磨粉末按1:5-10的比例混合均匀；（6）取向成型：将混合磁粉在磁场下取向并压制成型，进行冷等静压，得到钐钴压坯；（7）烧结和固溶：将钐钴压坯真空预烧结，充氩气烧结，降温固溶，风冷至室温，得到烧结毛坯；（8）时效：将烧结毛坯在800～830℃下保温10～20h，随后降温至400～450℃，保温10～15h，最后急冷至室温得到钐钴永磁体。2.根据权利要求1所述的烧结钐钴永磁体边角余料的处理方法，其特征在于：步骤（2）中，用鄂破机粗破碎。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗明，王玄，王琛，
申请(专利权)人：湖南航天磁电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43