一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，设置在微波T/R组件壳体上，该微波T/R组件壳体整体上呈一上下中空的框形，左端面为输出端面，右端面为输入端面，所述输出端面和输入端面的壁厚均大于该微波T/R组件壳体前端面和后端面的壁厚；其中：在所述输出端面壁厚处的上平面设置有一条第一除焊接应力凹槽，其长度与输出端面的长度相适配；在所述输入端面壁厚处的上平面设置有一条第二除焊接应力凹槽，其长度与输入端面的长度相适配；由于采用了两条除焊接应力凹槽，通过这两条除焊接应力凹槽自身的变形，降低了壳体的焊接内应力，减少了其输入输出端面的焊接缺陷或变形，提高了装配精度，而且又不会影响到壳体的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构
本技术涉及微波T/R组件中的零部件领域，尤其涉及的是一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构。
技术介绍
微波T/R(TransmitterandReceiver)组件作为相控雷达的重要电子设备组件，对其质量提出了极高的要求，不仅要求组件整体体积小、重量轻，而且为了保证其工作的稳定性和可靠性，还要求组件具有等级很高的气密性，且能够耐受强冲击振动和辐照条件。尤其是微波T/R组件中的壳体，作为元器件及基板的载体，承担着接地、导(散)热、屏蔽、抗干扰和密封保护等作用；而高硅铝合金由于具有高导热性、高导电性和易电镀、耐腐蚀的特性，且机械性能良好，因此可作为微波T/R组件壳体的主流材料。目前，与其他焊接方法相比较，激光焊接工艺更适合微波T/R组件中的壳体与盖板的焊接，主要因为激光焊接是一种能量高度集中、热影响区小、焊缝深宽比大的高效精密焊接方法。但是，由于高硅铝合金具有高反射性和高导热性，在激光焊接时容易产生内应力，由此容易造成焊接缺陷或变形，进而会影响到壳体的使用性能。因此，现有技术尚有待改进和发展。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，可减少焊接缺陷或变形，且不会影响到壳体的使用性能。本技术的技术方案如下：一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，设置在微波T/R组件壳体上，该微波T/R组件壳体整体上呈一上下中空的框形，左端面为输出端面，右端面为输入端面，所述输出端面和输入端面的壁厚均大于该微波T/R组件壳体前端面和后端面的壁厚；其中：在所述输出端面壁厚处的上平面设置有一条第一除焊接应力凹槽，其长度与输出端面的长度相适配；在所述输入端面壁厚处的上平面设置有一条第二除焊接应力凹槽，其长度与输入端面的长度相适配。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述第一除焊接应力凹槽和第二除焊接应力凹槽在横断面上的形状均呈凵字形。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述第一除焊接应力凹槽和第二除焊接应力凹槽的宽度均为1.5±0.1mm，深度均为1.4±0.1mm。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述第一除焊接应力凹槽与微波T/R组件壳体左侧内壁的横向距离为1±0.1mm，所述第二除焊接应力凹槽与微波T/R组件壳体右侧内壁的横向距离也为1±0.1mm。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述微波T/R组件壳体的内壁上设置有一圈适配卡入盖板的内台阶，且所述内台阶位于该微波T/R组件壳体的上平面处。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述内台阶相对的侧壁呈对称的倒锥面。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述内台阶的深度为1±0.1mm，宽度也为1±0.1mm。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述输出端面壁厚处的上平面和输入端面壁厚处的上平面均低于该微波T/R组件壳体的上平面。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：所述输出端面壁厚处的上平面和输入端面壁厚处的上平面均低于该微波T/R组件壳体上平面的高度差为0.4±0.1mm。所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其中：在所述输出端面上设置有两排13针的接插件接头，该输出端接插件接头距离输出端面壁厚处上平面的高度差为1.35±0.1mm；在所述输入端面上间隔设置有3个输入端接插件接头，该输入端插件接头距离输入端面壁厚处上平面的高度差为3.35±0.1mm。本技术所提供的一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，由于采用了两条除焊接应力凹槽，通过这两条除焊接应力凹槽自身的变形，降低了壳体的焊接内应力，减少了其输入输出端面的焊接缺陷或变形，提高了装配精度，而且又不会影响到壳体的使用性能。附图说明图1是本技术微波T/R组件壳体的主视图；图2是本技术图1的A-A剖视图；图3是本技术图1的左视图；图4是本技术图1的右视图。具体实施方式以下将结合附图，对本技术的具体实施方式和实施例加以详细说明，所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并非用于限定本技术的具体实施方式。如图1和2所示，图1是本技术微波T/R组件壳体的主视图，图2是本技术图1的A-A剖视图；该微波T/R组件壳体100在整体上呈一上下中空的框形，左端面为输出端面110，右端面为输入端面120，所述输出端面110和输入端面120的壁厚均大于该微波T/R组件壳体100前端面140和后端面150的壁厚；在所述输出端面110壁厚处的上平面131设置有一条第一除焊接应力凹槽101，其长度与输出端面110的长度相适配，用于消除焊接后输出端面110处的内应力，以减小输出端面110的焊接缺陷或变形；在所述输入端面120壁厚处的上平面132设置有一条第二除焊接应力凹槽102，其长度与输入端面120的长度相适配，用于消除焊接后输入端面120处的内应力，以减小输出端面120的焊接缺陷或变形。在本技术微波T/R组件壳体的优选实施方式中，较好的是，所述第一除焊接应力凹槽101和第二除焊接应力凹槽102在横断面上的形状均呈凵(kǎn)字形，以便于选用普通的切削刀具，降低加工成本。具体的，所述第一除焊接应力凹槽101和第二除焊接应力凹槽102的宽度均为1.5±0.1mm，深度均为1.4±0.1mm。具体的，所述第一除焊接应力凹槽101与微波T/R组件壳体左侧内壁的横向距离为1±0.1mm，所述第二除焊接应力凹槽102与微波T/R组件壳体右侧内壁的横向距离也为1±0.1mm。较好的是，所述微波T/R组件壳体100的内壁上设置有一圈适配卡入盖板(图未示出)的内台阶103，且所述内台阶103位于该微波T/R组件壳体100的上平面130处，以便于与盖板形成锁底自对中接头，并利于提高微波T/R组件的气密性。较好的是，所述内台阶103相对的侧壁呈对称的倒锥面，以进一步提高自对中和焊接密封效果。具体的，所述内台阶103的深度为1±0.1mm，宽度也为1±0.1mm。较好的是，所述输出端面110壁厚处的上平面131和输入端面120壁厚处的上平面132均低于该微波T/R组件壳体100的上平面130，以利于微波T/R组件壳体100与盖板的装配和激光焊接。具体的，所述输出端面110壁厚处的上平面131和输入端面120壁厚处的上平面132均低于该微波T/R组件壳体100上平面130的高度差为0.4±0.1mm。结合图3所示，图3是本技术图1的左视图，也即该微波T/R组件壳体100输出端面110的主视图，在该输出端面110上设置有两排13针的接插件接头111，为兼顾微波T/R组件的厚度和测试要求，具体的，所述输出端接插件接头111距离输出端面110壁厚处上平面131的高度差H1为1.35±0.1mm。结合图4所示，图4是本技术图1的右视图，也即该微波T/R组件壳体100输入端面120的主视图，在该输入端面120上间隔设置有3个输入端接插件接头121，为兼顾微波T/R组件的厚度和测试要求，具体的，所述输入端插件接头121距离输入端面120壁厚处上平面132的高度差H2为3.35±0.1mm。应当理解的是，以上所述仅为本技术的较佳实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，设置在微波T/R组件壳体上，该微波T/R组件壳体整体上呈一上下中空的框形，左端面为输出端面，右端面为输入端面，所述输出端面和输入端面的壁厚均大于该微波T/R组件壳体前端面和后端面的壁厚；其特征在于：在所述输出端面壁厚处的上平面设置有一条第一除焊接应力凹槽，其长度与输出端面的长度相适配；在所述输入端面壁厚处的上平面设置有一条第二除焊接应力凹槽，其长度与输入端面的长度相适配。

【技术特征摘要】
1.一种微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，设置在微波T/R组件壳体上，该微波T/R组件壳体整体上呈一上下中空的框形，左端面为输出端面，右端面为输入端面，所述输出端面和输入端面的壁厚均大于该微波T/R组件壳体前端面和后端面的壁厚；其特征在于：在所述输出端面壁厚处的上平面设置有一条第一除焊接应力凹槽，其长度与输出端面的长度相适配；在所述输入端面壁厚处的上平面设置有一条第二除焊接应力凹槽，其长度与输入端面的长度相适配。2.根据权利要求1所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其特征在于：所述第一除焊接应力凹槽和第二除焊接应力凹槽在横断面上的形状均呈凵字形。3.根据权利要求2所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其特征在于：所述第一除焊接应力凹槽和第二除焊接应力凹槽的宽度均为1.5±0.1mm，深度均为1.4±0.1mm。4.根据权利要求3所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结构，其特征在于：所述第一除焊接应力凹槽与微波T/R组件壳体左侧内壁的横向距离为1±0.1mm，所述第二除焊接应力凹槽与微波T/R组件壳体右侧内壁的横向距离也为1±0.1mm。5.根据权利要求1所述的微波T/R组件壳体的除焊接应力结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜小辉，
申请(专利权)人：南京吉凯微波技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32