The present invention discloses a semiconductor ArF photoresist resin with a focal depth of DOF greater than or equal to 300 nm and its application. The resin includes acrylate compounds containing aliphatic naphthenes, methacrylate compounds containing aliphatic naphthenes, acrylate compounds containing lactone structures and/or methacrylate compounds containing lactone structures, and can also be used as a photoresist. Resins comprising structural units of derivatives containing styrene or styrene. Compared with the existing technology, the photoresist prepared by the ArF photoresist resin has wide DOF width and high resolution, and can be better adapted to the lithography process below 90 nm.
【技术实现步骤摘要】
一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种焦深(depthoffocus，DOF)大于或等于300纳米的半导体ArF光刻胶树脂及其应用。
技术介绍
光刻是半导体制造领域中最关键的工艺，光刻工艺的分辨率越高，制造出来的芯片尺寸就越小。近50年来，半导体行业一直沿着摩尔定律前行，即集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，元器件数目越多则集成电路的加工线宽越小，对光刻胶的分辨率的要求也将不断提高。现有技术中，以193nm的ArF激光为光源，采用化学增幅抗蚀剂和高孔径的分步投影曝光设备能够生产出分辨率为90纳米及以下半导体制程的CPU、随机存取器等器件。R(分辨率)＝kNA/λ，其中R为最小半线宽的分辨率，k为Rayleigh系数，λ为入射光的波长，NA为成像系统的数值孔径numericalaperture。按照上述公式，要得到高分辨率的光刻工艺，除了使用193纳米的短波长激光，增加通光量NA和工艺常数k也是半导体工业光刻工艺等重点研发领域。光刻工艺所使用的光刻...
【技术保护点】
1.一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：由所述树脂制得的ArF光刻胶的90nm线条/间距图形的焦深DOF大于或等于300纳米。
【技术特征摘要】
1.一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：由所述树脂制得的ArF光刻胶的90nm线条/间距图形的焦深DOF大于或等于300纳米。2.根据权利要求1所述的焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：所述树脂包括含有脂环烷烃的丙烯酸酯类化合物、含有脂环烷烃的甲基丙烯酸酯类化合物、含内酯结构的丙烯酸酯类化合物和/或含有内酯结构的甲基丙烯酸酯类化合物结构单元的树脂。3.根据权利要求2所述的焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：所述树脂还包括含有苯乙烯和/或苯乙烯的衍生物结构单元的树脂。4.根据权利要求3所述的焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：所述结构单元中至少包含以下通式1A、1B、1C、1D、1E、1F中的一种：其中，通式1A、1B、1C、1D、1E和1F中，R1～R13表示各自独立的取代基；R1＝H，CH3；R2＝OCOOC(CH3)3，OC(CH3)3R3～R13＝H，CH3，-X-CH3或-X-CnHn+1，所述X＝O或者CH2。5.根据权利要求4所述的焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：所述R3～R13，若为烷基，则所述烷基为碳原子数为1～12个的烷基或主链上碳原子数为1～12个的烷基，所述烷基为开链状或环状烷基。6.根据权利要求5所述的焦深DOF大于或等于300nm的半导体Ar...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓云祥，袁敏民，
申请(专利权)人：珠海雅天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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