The invention provides a high-quality silicon wafer cleaning method, which comprises the following steps: s1: first liquid cleaning; s2: overflow rinsing; s3: second liquid cleaning; s4: acid washing; s5: overflow rinsing. The beneficial effect of the invention is that the cleaning of large-sized silicon wafers is more convenient and fast, and the cleaning efficiency of silicon wafers is high. The surface impurities of silicon wafers can be effectively removed and the surface cleanliness of silicon wafers can be improved by adopting pre-cleaning, liquid medicine cleaning, overflow rinsing, liquid medicine cleaning, acid washing and overflow cleaning.
【技术实现步骤摘要】
一种高品质硅片清洗方法
本专利技术属于硅片生产
，尤其是涉及一种高品质硅片清洗方法。
技术介绍
单晶硅片向着大尺寸薄片化的方向发展，同时人们对单晶硅片本身的光电性能要求越来越高。硅片尺寸越来越大，目前清洗工艺条件下很难将硅片表明的杂质去除干净，影响硅片的光电转化效率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术要解决的问题是提供一种高品质硅片清洗方法，尤其适合大尺寸硅片清洗时使用，采用清洗剂和碱液对硅片进行清洗，并进行酸洗，提升硅片的表面洁净度，提供硅片的清洗效率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种高品质硅片清洗方法，包括以下步骤：s1：第一药液清洗；s2：溢流漂洗；s3：第二药液清洗；s4：酸洗；s5：溢流漂洗。进一步的，s1步骤第一药液清洗包括以下步骤：s11：采用清洗药液溶液进行超声清洗；s12：采用清洗剂溶液进行超声清洗。进一步的，步骤s11中的清洗药液溶液包括清洗剂和碱液，清洗剂的质量分数为1％-3％。进一步的，碱液为质量分数为2％-3％的氢氧化钠。进一步的，清洗剂溶液为质量分数为1％-3％的清洗剂。进一步的，步骤s3第二药液清洗为采用第...
【技术保护点】
1.一种高品质硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：s1：第一药液清洗；s2：溢流漂洗；s3：第二药液清洗；s4：酸洗；s5：溢流漂洗。
【技术特征摘要】
1.一种高品质硅片清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：s1：第一药液清洗；s2：溢流漂洗；s3：第二药液清洗；s4：酸洗；s5：溢流漂洗。2.根据权利要求1所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述s1步骤第一药液清洗包括以下步骤：s11：采用清洗药液溶液进行超声清洗；s12：采用清洗剂溶液进行超声清洗。3.根据权利要求2所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述步骤s11中的清洗药液溶液包括清洗剂和碱液，所述清洗剂的质量分数为1％-3％。4.根据权利要求3所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述碱液为质量分数为2％-3％的氢氧化钠。5.根据权利要求4所述的高品质硅片清洗方法，其特征在于：所述清洗剂溶液为质量分数为1％-3％的清洗剂。6.根据权利要求1-5任一项所述的高品质硅片清洗方...
【专利技术属性】
技术研发人员：王冬雪，高树良，谷守伟，赵越，崔伟，侯建明，郭志荣，郭俊文，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15
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