一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法技术

本发明专利技术首次开发了一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行简单摇匀反应，即在短时间内合成Cu2S化合物。本发明专利技术在室温下即可实现Cu2S基材料的快速制备，涉及的反应条件极其温和，可有效避免高温条件下的S挥发问题，易于精确控制产物组成，尤其在Cu微量缺失的条件下，可快速得到Cu2S单相化合物。本发明专利技术涉及的原料价格低廉，工艺超简单、制备时间超短，可为Cu2S材料的制备和大规模应用奠定良好的基础。

【技术实现步骤摘要】
一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法
本专利技术属于材料制备科学领域，具体涉及一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法。
技术介绍
热电转换技术利用热电材料直接将热能与电能进行相互转换，具有系统体积小、可靠性高、不排放污染物质、适用温度范围广、有效利用低密度能量等特点，在工业余废热和汽车尾气废热的回收利用、高精度温控和特种电源技术等领域具有广泛的应用。热电材料的转换效率由无量纲热电优值ZT(ZT＝α2σT/κ，其中α为Seebeck系数、σ为电导率、κ为热导率、T为绝对温度)决定。ZT越大，材料的热电转换效率越高。目前研究较多的高性能热电材料一般是Te基的，如PbTe和Bi2Te3。Te元素在地球中的储量稀少、价格昂贵，同时它也是太阳能电池的主要组成元素，这些因素都极大地制约着Te基热电材料的大规模商业化应用和可持续性发展。因此开发储量丰富、价格低廉的高性能热电材料及寻求低成本超快速的制备方法具有重要意义。近年来Cu2S化合物以其优异的热电性能受到研究者的广泛关注，它为典型的“声子液体”，表现出的横波阻尼效应使得其具有极低的晶格热导率。同时，由于Cu和S的来源丰富本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下，将原料进行摇匀反应，得Cu2S化合物。

【技术特征摘要】
1.一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下，将原料进行摇匀反应，得Cu2S化合物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Cu粉和S粉的摩尔比为2(1+x):1，其中-0.1≤x≤0.05。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述x的取值范围为-0.1≤x＜0。...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐新峰，杨东旺，黎俊，李彦雨，柳伟，鄢永高，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42