一种微波合成半导体材料CuS的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体材料领域，具体涉及一种微波合成半导体材料CuS的制备方法，本发明专利技术使用Cu(NO3)2·3H2O为铜源，乙二醇为溶剂，PVP为表面活性剂，通过微波法制备Cu2O中间体，然后将Na2S·9H2O作为硫源加入到上述制备得到的Cu2O中，通过阴离子交换作用得到CuS。所公开的方法过程简单，容易控制，产品稳定，所制备的CuS具有优异的光吸收性能，便于产业化。

【技术实现步骤摘要】
一种微波合成半导体材料CuS的制备方法
本专利技术属于半导体材料领域，具体涉及一种微波合成半导体材料CuS的制备方法。
技术介绍
硫化铜由于其多功能性、可用性和低毒性而成为非常重要的p型半导体。它存在于从Cu2S到CuS的不同相中，这在它们的直接/间接带隙中表现出宽的变化。此外，由于产生自由电荷载流子，在非化学计量的硫化铜的IR区域附近观察到等离子体激元吸收。由于它们的光学和电学性质的广泛变化，硫化铜在光电子器件，光催化，光伏电池，传感器和生物医学等领域中都有广泛的应用。最近的研究表明，由于量子尺寸效应，当CuS尺寸减小到纳米级尺寸时，进一步导致它们的物理和化学性质发生显著改变。因此，相当多的研究者专注于制备具有不同尺寸和形态的纳米结构硫化铜。各种物理方法以及化学方法也被用于制造不同的纳米尺寸的0维，1维和2维硫化铜。基于不同性质的要求通过控制生长过程，获得了不同形状的纳米结构硫化铜，如纳米中空球等。在这方面，具有高表面积和高活性表面等离子体共振的0维纳米晶体（量子点，纳米颗粒）被发现在光电子学和生物应用中非常有用。另一方面，CuS的各向异性结构更适合于具有定向电子传输和结构完整性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波合成半导体材料CuS的制备方法，其特征在于包括以下步骤：取Cu(NO3)2·3H2O和PVP，溶解于乙二醇中，为溶液a，溶液为蓝色，另外，取Na2S·9H2O和PVP，加入乙二醇中，并注入水合肼，搅拌至固体完全溶解，为溶液b，溶液为无色，然后将溶液a微波加热到150‑170 ℃，等溶液由蓝色变为砖红色沉淀，立即滴加溶液b，等反应结束后，将混合溶液自然冷却至室温，最后，将制备得到的混合溶液以10000 rpm离心5 min，取沉淀用无水乙醇和蒸馏水各洗2次，最后一遍用无水乙醇洗涤，洗涤完成后干燥，得到半导体材料CuS。

【技术特征摘要】
1.一种微波合成半导体材料CuS的制备方法，其特征在于包括以下步骤：取Cu(NO3)2·3H2O和PVP，溶解于乙二醇中，为溶液a，溶液为蓝色，另外，取Na2S·9H2O和PVP，加入乙二醇中，并注入水合肼，搅拌至固体完全溶解，为溶液b，溶液为无色，然后将溶液a微波加热到150-170℃，等溶液由蓝色变为砖红色沉淀，立即滴加溶液b，等反应结束后，将混合溶液自然冷却至室温，最后，将制备得到的混合溶液以1000...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹德武，王舜，金辉乐，刘爱丽，钱鹏程，
申请(专利权)人：温州大学新材料与产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：浙江,33