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本发明首次开发了一种低压诱导室温快速合成Cu2S基热电材料的方法，它以Cu粉和S粉为原料，在室温、真空条件下进行简单摇匀反应，即在短时间内合成Cu2S化合物。本发明在室温下即可实现Cu2S基材料的快速制备，涉及的反应条件极其温和，可有效避免...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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