一种晶圆抛光主轴的密封结构制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆抛光主轴的密封结构，包含主轴转子，其端部有旋转法兰与主轴转子同步转动，旋转法兰内部设有旋转密封圈，主轴定子与旋转法兰同侧的端面上设置倒置法兰，倒置法兰中含有吸气通道，所述旋转法兰与所述倒置法兰通过旋转密封圈贴合密封，比如通过O型圈预紧。旋转密封圈和倒置法兰的间隙保持在0.15mm‑0.25mm范围。本发明专利技术通过在主轴定子的端面上设置倒置法兰，旋转法兰与倒置法兰通过旋转密封圈贴合密封，可以形成一种稳定可靠的密封结构，以隔绝外部加工环境的酸碱气体对主轴内部结构进行侵蚀。由于倒置法兰的内部设有气路，可以吸走间隙部位的气体和杂质，使得旋转密封圈因摩擦而析出的杂质不会直接掉落在抛光头和晶圆表面上。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆抛光主轴的密封结构
本专利技术属于磨削或抛光装置
，具体涉及一种半导体晶圆抛光主轴的旋转密封结构。
技术介绍
随着半导体工艺制程的不断进步,集成电路特征尺寸不断缩小。化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)技术是化学作用和机械作用相结合的技术。其工作原理是，首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除该软质层,使工件表面重新裸露出来，随后再进行化学反应,藉此在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。目前，化学机械抛光技术已经发展成集在线量测、在线终点检测、清洗等技术于一体的化学机械抛光技术是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。一个典型的化学机械平坦化设备通常包括多个抛光单元以及清洗、晶圆运输、干燥等辅助装置。现有抛光单元的抛光主轴，由于在抛光的工作环境下会有酸碱性的气体腐蚀抛光轴内部，所以需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆抛光主轴的密封结构，其特征在于，包含：主轴转子(1)，其端部有旋转法兰(2)，所述的旋转法兰(2)与主轴转子(1)同步转动，旋转法兰(2)内部设有旋转密封圈(3)，主轴定子(5)与旋转法兰(2)同侧的端面上设置倒置法兰(4)，倒置法兰(4)中含有吸气通道，所述旋转法兰(2)与所述倒置法兰(4)通过旋转密封圈(3)贴合密封。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆抛光主轴的密封结构，其特征在于，包含：主轴转子(1)，其端部有旋转法兰(2)，所述的旋转法兰(2)与主轴转子(1)同步转动，旋转法兰(2)内部设有旋转密封圈(3)，主轴定子(5)与旋转法兰(2)同侧的端面上设置倒置法兰(4)，倒置法兰(4)中含有吸气通道，所述旋转法兰(2)与所述倒置法兰(4)通过旋转密封圈(3)贴合密封。2.根据权利要求1所述的晶圆抛光主轴的密封结构，其特征在于，所述贴合密封为通过O型圈预紧。3.根据权利要求2所述的晶圆抛光主轴的密封结构，其特征在于，所述贴合密封是端面...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾海洋，古枫，杨思远，张志军，
申请(专利权)人：杭州众硅电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33