一种平面波导器件的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种平面波导器件的生产工艺，包括以下步骤：以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；进行退火处理；在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后进行退火；在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。本发明专利技术的有益效果为：本发明专利技术所述生产工艺，以氮氧化硅为材料制备出一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件。

【技术实现步骤摘要】
一种平面波导器件的生产工艺
本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，具体涉及一种平面波导器件的生产工艺。
技术介绍
平面波导型光分路器是一种基于石英基板的集成波导光功率分配器材，具有体积小，工作波长范围宽、可靠性高、分光、均匀性好等特点，特别适用于无缘光网络中连接局端和终端设备并实现光信号的分路。平面光波导器件包括衬底、设置在衬底表面的下包层、设置在下包层表面的波导芯层和覆盖在波导芯层表面的保护层。在平面光波导器件中，所述波导芯层为掺锗二氧化硅薄膜为了保证平面光波导器件的光学性能，波导芯层相对于下包层需要较高的折射率，且需要具有较好的折射率均匀性。而为了提高波导芯层相对于下包层的折射率，需要提高波导芯层内锗的加入量，但是锗的加入量提高会使得波导芯层的折射率均匀性降低，因此，如何在使得波导芯层相对于下包层具有较高的折射率的同时保证波导芯层具有较好的折射率均匀性，是平面波导器件制作领域一个亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件的生产工艺。一种平面波导器件的生产工艺，包括以下步骤：(1)以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；(2)对TEOS膜进行退火处理；(3)在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后将硅片进行退火；(4)在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；(5)在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。

【技术特征摘要】
1.一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；(2)对TEOS膜进行退火处理；(3)在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后将硅片进行退火；(4)在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；(5)在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。2.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述硅片的厚度为720-725um；所述二氧化硅膜的厚度为2-3um；所述TEOS膜的厚度为10-15um。3.根据权利要求1所述一种平面波导器件的工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述退火为将沉积有TEOS膜的硅片在800-1100℃的环境中，退火50-70min。4.根据权利要求1所述一种平面波导器件的工艺，其特征在于，步骤(...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓君，徐彦平，廖鹏，耿凯鸽，
申请(专利权)人：科新网通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41