The present invention relates to an argon buffer device for LED lamp wafer growth, including a growth furnace, a growth rotating lifting device and an argon buffer device. The upper end of the growth furnace is equipped with a growth rotating lifting device, and the left and right sides of the growth rotating lifting device are symmetrically equipped with an argon buffer device. The argon buffer device includes an argon pipe. The upper end of the side wall of the growth furnace is provided with a through hole and a through hole. Argon gas pipe is connected internally with arc structure. Buffer pad is installed at the exit of argon gas pipe. The air outlet is evenly arranged on the buffer pad. A connecting box is installed at the upper end of the outer wall of argon gas pipe, and a connecting rod is installed at the upper end of argon gas pipe. The invention can solve the problems of unstable argon filling amount, easy to cause crystal rod shaking and poor wafer quality when the valve controls argon filling amount, realize the functions of buffer and control of argon filling, and has the advantages of buffer of argon, reducing the impact of gas on crystal rod, stable argon filling amount and ensuring wafer quality.
【技术实现步骤摘要】
一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置
本专利技术涉及电子元器件领域,特别涉及一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置。
技术介绍
发光二极管简称为LED,LED五大原物料包括晶片、支架、银胶、金线和环氧树脂,因其具有能效低、适用性强、稳定性好、使用寿命长和价格低的优点,LED被广泛应用于LED显示屏、交通信号灯、液晶屏背光源和照明光源等领域,其中用于生产LED的晶片要求很高,需要对晶片进行再处理,其中有一个重要的工序长晶,直径影响到晶片质量的好坏,在进行长晶工艺时有很多注意事项。氩气是一种惰性保护气体,无色无毒无味,在长晶的过程中会用到氩气,在对长晶炉内充入氩气时如果流量过大引起晶棒的晃动会影响到晶片质量的好坏,而在现有长晶生产设备中,大多都是通过阀门控制氩气的充入量,而氩气罐内的气压会随着氩气量的减少发生变化,因此这种方法很不稳定。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置,可以解决阀门控制氩气充入量时,氩气充入量不稳定、容易导致晶棒晃动和晶片质量不佳等问题,可以实现对氩气充入时的缓冲和控量的功能,具有对氩气进行缓冲,减轻气体对晶棒的冲击力、氩气充入量稳定和晶片质量有保障的优点。为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案,一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置,包括生长炉、生长转动提升装置和氩气缓冲装置,所述生长炉的上端安装有生长转动提升装置,生长转动提升装置的左右两侧面对称安装有氩气缓冲装置。所述的氩气缓冲装置包括氩气管,生长炉侧壁的上端设有通孔,通孔内连接有氩气管,氩气管为弧形结构,氩气管的出口处安装有缓冲垫,缓冲垫上均匀 ...
【技术保护点】
1.一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置,包括生长炉(1)、生长转动提升装置(2)和氩气缓冲装置(3),其特征在于:所述生长炉(1)的上端安装有生长转动提升装置(2),生长转动提升装置(2)的左右两侧面对称安装有氩气缓冲装置(3);其中:所述的氩气缓冲装置(3)包括氩气管(31),生长炉(1)侧壁的上端设有通孔,通孔内连接有氩气管(31),氩气管(31)的出口处安装有缓冲垫(32),缓冲垫(32)上均匀设有出气孔,氩气管(31)外侧壁的上端安装有连接箱(33),氩气管(31)的上端面安装有连接杆(34),连接杆(34)在其周向方向均匀分布,连接杆(34)的上端面安装有氩气连接管(35),连接杆(34)上安装有控量机构(36),连接箱(33)的上端面安装有倾斜防护板(37),倾斜防护板(37)的上端与氩气连接管(35)侧壁的上端连接,氩气连接管(35)内侧壁的上下端均安装有连接板(38),连接板(38)之间安装有固定杆(39),固定杆(39)侧壁的上下端通过轴承安装有缓冲板(310)。
【技术特征摘要】
1.一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置,包括生长炉(1)、生长转动提升装置(2)和氩气缓冲装置(3),其特征在于:所述生长炉(1)的上端安装有生长转动提升装置(2),生长转动提升装置(2)的左右两侧面对称安装有氩气缓冲装置(3);其中:所述的氩气缓冲装置(3)包括氩气管(31),生长炉(1)侧壁的上端设有通孔,通孔内连接有氩气管(31),氩气管(31)的出口处安装有缓冲垫(32),缓冲垫(32)上均匀设有出气孔,氩气管(31)外侧壁的上端安装有连接箱(33),氩气管(31)的上端面安装有连接杆(34),连接杆(34)在其周向方向均匀分布,连接杆(34)的上端面安装有氩气连接管(35),连接杆(34)上安装有控量机构(36),连接箱(33)的上端面安装有倾斜防护板(37),倾斜防护板(37)的上端与氩气连接管(35)侧壁的上端连接,氩气连接管(35)内侧壁的上下端均安装有连接板(38),连接板(38)之间安装有固定杆(39),固定杆(39)侧壁的上下端通过轴承安装有缓冲板(310)。2.根据权利要求1所述的一种LED灯晶片生长用氩气缓冲装置,其特征在于:所述的控量机构(36)包括转动齿盘(361),氩气管(31)外侧壁的顶端套接有转动...
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