一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法技术

本发明专利技术提供一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法，该最终抛光机包括：至少两个抛光台，以及氧化液溢流槽，所述氧化液溢流槽配置为使用包括氧化剂的清洗液对晶圆进行溢流式清洗。使用该最终抛光机不仅可以继续使用脱机清洗方式，以降低成本，而且最终抛光与脱机清洗之间的等待时间可以相对较长，提高了清洗操作的灵活性和便利性。该最终抛光及清洗方法具有类似优点。

A Semiconductor Wafer Final Polishing Machine and Final Polishing and Cleaning Method

The invention provides a final polishing machine for semiconductor wafers and a final polishing and cleaning method. The final polishing machine includes at least two polishing platforms and an oxide overflow tank configured to overflow the wafer using a cleaning liquid including an oxidant. The final polishing machine can not only continue to use offline cleaning method to reduce costs, but also wait a relatively long time between the final polishing and offline cleaning, which improves the flexibility and convenience of cleaning operation. The final polishing and cleaning method has similar advantages.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法。
技术介绍
在集成电路制造之前，需要对半导体晶圆进行抛光，以提高晶圆的平整度。半导体晶圆的最终抛光是在最终抛光机(FinalPolish)上利用抛光液(Slurry)及抛光垫(PAD)，以化学机械反应(ChemicalMechanicalReaction)的方式对诸如300mm晶圆的正面做最终抛光，以改善正面的粗糙度、平坦度与纳米形貌，并去除颗粒。最终抛光决定了晶圆最终的平坦度与纳米形貌。一般情况下最终抛光去除量在1um左右，抛光液一般为碱性二氧化硅，并向其中加入诸如聚合物(Polymer)等的其它添加物。当完成最终抛光之后需要对晶圆进行清洗，以去除有机物，颗粒及金属等。最终抛光后的清洗主要有脱机(Standalone)与嵌入式(In-line)两种。脱机清洗机基本是槽式清洗机型式，设备便宜且可一台清洗机对多台抛光机，但在最终抛光与清洗之间需要很短的等待时间，否则残留的抛光液会凝结，或侵蚀晶圆表面，影响之后的清洗效果。嵌入式即为抛光机与单片式清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的最终抛光机，其特征在于，包括：至少两个抛光台，以及氧化液溢流槽，所述氧化液溢流槽配置为使用包括氧化剂的清洗液对晶圆进行溢流式清洗。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的最终抛光机，其特征在于，包括：至少两个抛光台，以及氧化液溢流槽，所述氧化液溢流槽配置为使用包括氧化剂的清洗液对晶圆进行溢流式清洗。2.根据权利要求1所述的最终抛光机，其特征在于，所述抛光台的数量为三个。3.根据权利要求1所述的最终抛光机，其特征在于，所述氧化液溢流槽包括：内槽，所述内槽配置有晶圆固定器，并通入包括氧化剂的清洗液，以对所述晶圆进行溢流式清洗；中槽，所述中槽位于所述内槽外部，并包围所述内槽，用于容纳从所述内槽溢流出的所述清洗液；外槽，所述外槽位于中槽外部，并包围所述中槽，用于容纳从所述中槽排出的所述清洗液。4.根据权利要求3所述的最终抛光机，其特征在于，所述包括氧化剂的清洗液为臭氧水，所述内槽配置为与氧臭水发生器连通，以获得臭氧水。5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的最终抛光机，其特征在于，还包括：去离子水溢流槽，所述去离子水溢流槽中配置有晶圆卸载盒。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵厚莹，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31