原子层生长装置及原子层生长方法制造方法及图纸

一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并且通过与基座(50)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)与进行上述基板(100)的搬送的搬送空间。而且，基座50具有：上部基座基板保持部(52B)，其保持基板(100)；上部基座周边部(52A)，其配置在上部基座基板保持部(52B)的周围；在上部基座周边部(52A)上设置有基座防附着材料(15)。

Atomic Layer Growth Device and Atomic Layer Growth Method

An atomic layer growth device has: a film forming container (11) for film forming treatment; a carrier platform (14), which maintains a substrate (100) and can move up and down; a base (50), which is maintained on a carrier platform (14) and maintains a substrate (100); a carrier platform stopper (17), which stops the rising of the carrier platform (14) and divides the film forming treatment by contacting the base (50). Film forming space (S) and conveying space for carrying the above-mentioned substrate (100). Moreover, the base 50 has: the upper base plate retaining part (52B), the upper base plate retaining part (100); the upper base peripheral part (52A), which is arranged around the upper base plate retaining part (52B); and a base anti-attachment material (15) is arranged on the upper base peripheral part (52A).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】原子层生长装置及原子层生长方法
本专利技术涉及一种例如在基板上形成薄膜的原子层生长装置及原子层生长方法。
技术介绍
原子层生长技术是将构成所形成的薄膜的元素的气体交替的供给至基板上，在基板上以原子层为单位形成薄膜的技术，作为均匀形成薄膜的技术而广为人知。另外，与CVD(Chemical-Vapor-Deposition，化学气相沉积)法相比，原子层生长方法的高低差的覆盖性及膜厚控制性优异。若通过原子层生长方法来反复进行薄膜的形成，则在成膜容器的内壁也会附着薄膜。若附着在成膜容器的内壁上的薄膜的厚度变厚，则所堆积的薄膜会剥离，而其中的一部分成为颗粒(Particle)。因此，需要将附着在成膜容器的内壁上的薄膜定期的去除。例如，日本特开2006-351655号公报(专利文献1)中披露了一种处理方法及气相生长装置，使用防附着板，并将堆积在腔室的内壁上的堆积物用非晶质膜覆盖。另外，例如日本特开2000-243711号公报(专利文献2)中披露了一种基板处理装置的构造，在反应室内分别以可装卸的方式设置有侧壁罩盖(Cover)、地板面罩盖、上部罩盖及下部罩盖，并且使非活性气体在基座(Susceptor)的下表面流动。另外，例如日本特开2001-316797号公报(专利文献3)中披露了如下内容：在成膜装置中，将防附着构件安装在基板载体上，防止膜附着在基板载体的表面上。另外，例如日本特开2014-133927号公报(专利文献4)中披露了如下内容：在等离子体处理装置中，在处理室内设置防附着板，防止绝缘物附着在基板上以外的部分。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-351655号公报专利文献2：日本特开2000-243711号公报专利文献3：日本特开2001-316797号公报专利文献4：日本特开2014-133927号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在利用原子层生长方法进行的成膜中，因为所使用的原料气体(例如TMA：Tri-Methyl-Aluminum，三甲基铝)容易扩散，所以容易侵入成膜容器内的微细间隙中而形成膜。例如在成膜室及搬送室由载物台停止器与载物台或基座来划分的原子层生长装置中，在上述划分部分产生间隙，容易成为产生颗粒的部位。也就是说，侵入到这样的微细间隙中的原料气体成为膜及粉，而成为颗粒的主因。特别是，在与大型玻璃基板对应的大面积型式的原子层生长装置中，若基板越大则载物台也越大，而载物台越大则载物台的平整度也越下降。其结果是，在上述划分部分处的间隙增大，颗粒的产生更加显著。其他的问题与新的特征能够从本说明书的记载及所附附图来明确。解决问题的手段一实施方式的原子层生长装置，具有：成膜容器，其对基板进行成膜处理；载物台，其能够上下移动且设置在上述成膜容器内；基座，其被保持在上述载物台上，并保持上述基板；载物台停止器，其使上述载物台的上升停止，并通过与上述基座的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间与进行上述基板的搬送的搬送空间。而且，上述基座具有：第一基座，其保持上述基板；第二基座，其配置在上述第一基座的周围；在上述第二基座上设置有基座防附着材料。另外，一实施方式的原子层生长方法，具有：(a)将基板装载在载物台上的基座上的工序；(b)在上述(a)工序之后，从上述成膜容器的气体导入部导入原料气体至上述成膜容器内，并使上述原料气体吸附在上述基板上的工序；(c)在上述(b)工序之后，将清除气体从上述气体导入部导入上述成膜容器内，将上述原料气体排出至上述成膜容器外的工序。而且还具有：(d)在上述(c)工序之后，将反应气体从上述气体导入部导入上述成膜容器内，并将上述反应气体供给至上述基板上，在上述基板的表面形成所期望的薄膜的工序；(e)在上述(d)工序之后，将清除气体从上述气体导入部导入上述成膜容器内，将上述反应气体排出至上述成膜容器外的工序；在上述(b)～(e)工序的期间使非活性气体在上述成膜容器内流动。专利技术的效果根据上述一实施方式，能够抑制成膜容器内的颗粒的产生，能够提高在基板上形成的薄膜的品质。附图说明图1是示出第一实施方式的原子层生长装置的构造的一个例子的概略构成图。图2是示出图1所示的原子层生长装置的非活性气体供给路径的一个例子的主要部分放大剖视图。图3是示出图2所示的非活性气体供给路径的构造的一个例子的局部放大剖视图和放大俯视图。图4是示出第一实施方式的原子层生长方法的一个例子的流程图。图5中的(a)～(d)是示出按照图4所示的流程形成薄膜的顺序的一个例子的基板剖视图。图6是示出第二实施方式的原子层生长装置的构造的一个例子的主要部分放大剖视图。图7是示出图6所示的原子层生长装置的非活性气体供给路径的一个例子的主要部分放大剖视图。具体实施方式(第一实施方式)＜原子层生长装置的构成＞参照图1，说明本实施方式的原子层生长装置10的构成。图1是示出本实施方式的原子层生长装置的构造的一个例子的概略构成图。本第一实施方式的原子层生长装置10对基板100交替地供给原料气体与反应气体，在基板100上以原子层为单位形成薄膜。此时，为了提高反应活性，能够加热基板100。在本第一实施方式中，作为原料气体的一个例子,使用TMA(Tri-Methyl-Aluminum)，在成膜处理时，为了提高反应活性，而使等离子体产生。在本第一实施方式中，为了产生等离子体而使用平行平板电极，但并不限于此种方式。在原子层生长装置10设置的成膜容器(也称为腔室)11是在内部对基板100进行成膜处理的容器。成膜容器11具有喷射器21、排气法兰31、平板电极12、成为平板电极12的对向电极的载物台14、被保持在载物台14上并保持基板100的作为基板保持体的基座50、高频电源16。平行电极12与载物台14相对向而配置，且隔着成膜空间S而设置在基板100的上方，并由在平行电极12的侧方配置的绝缘支撑体41支撑着。绝缘支撑体41是由被安装在顶板42上的顶板支撑部47支撑着。在保持绝缘支撑体41的顶板支撑部47的周边部具有覆盖顶板支撑部47及绝缘支撑体41的上部绝缘防附着材料43。另外，平板电极12的向着载物台14的方向露出的面的端部相当于平板电极12的端部，且在平板电极12的露出的下表面侧设置有导电性的板状的平板电极防附着材料13。载物台14保持基板100，并且具有加热器，能够将基板100的温度调整至所期望的温度。例如在进行原子层生长处理的情况下，将基板100加热至50～200℃。成膜容器11在进行成膜处理时维持为真空状态。而高频电源16将规定的频率的高频电流供给至平板电极12。另外，载物台14具有可上下移动的机构，在成膜处理时，在上升至最高的位置处进行处理。而且，在载物台14上配置有保持基板100的导电性的基座(Susceptor)50。因此，基板100被保持在基座50上，且通过高频电源16供给规定的频率的高频电流至平板电极12，从而在平板电极12与基座50之间产生等离子体。接着，针对导入原料气体、反应气体、清除气体的气体导入部20进行说明。气体导入部20是依据处理过程来将原料气体、反应气体、清除气体供给至成膜容器11内。另外，喷射器21被安装在成膜容器11的气体导入侧开口部25，喷射器防附着材料22从成膜容器11的内侧插入气体导入侧开口部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层生长装置，其特征在于，具有：成膜容器，其对基板进行成膜处理；载物台，其能够上下移动且设置在所述成膜容器内；基座，其被保持在所述载物台上，并保持所述基板；载物台停止器，其使所述载物台的上升停止，并通过与所述基座的接触，划分出进行所述成膜处理的成膜空间与进行所述基板的搬送的搬送空间；所述基座具有：第一基座，其保持所述基板；第二基座，其配置在所述第一基座的周围；在所述第二基座上设置有基座防附着材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.31 JP 2016-1689941.一种原子层生长装置，其特征在于，具有：成膜容器，其对基板进行成膜处理；载物台，其能够上下移动且设置在所述成膜容器内；基座，其被保持在所述载物台上，并保持所述基板；载物台停止器，其使所述载物台的上升停止，并通过与所述基座的接触，划分出进行所述成膜处理的成膜空间与进行所述基板的搬送的搬送空间；所述基座具有：第一基座，其保持所述基板；第二基座，其配置在所述第一基座的周围；在所述第二基座上设置有基座防附着材料。2.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述基座具有：上部基座，其包括有所述第一基座和所述第二基座；下部基座，其对所述上部基座进行支撑；所述上部基座具有：上部基座基板保持部，其具有保持所述基板的保持面；上部基座周边部，其位于所述上部基座基板保持部的周围，并且高度比所述保持面低；所述基座防附着材料设置在所述上部基座周边部上。3.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述上部基座周边部的侧面位于所述载物台停止器的位于基板侧的侧面的内侧，所述上部基座与所述下部基座被固定在所述上部基座周边部。4.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述基座具有：上部基座，其包括有所述第一基座和所述第二基座；下部基座，其对所述上部基座进行支撑；所述上部基座具有保持所述基板的上部基座基板保持部，在所述基座形成有非活性气体供给路径，该非活性气体供给路径分别经由所述基板与所述基座防附着材料之间的间隙、及所述上部基座基板保持部与所述基座防附着材料之间的间隙，向所述成膜空间供给非活性气体，在所述成膜容器设置有向所述非活性气体供给路径供给所述非活性气体的非活性气体供给部。5.根据权利要求4所述的原子层生长装置，其特征在于，形成于所述基座的所述非活性气体供给路径包括有形成于所述上部基座的上部非活性气体供给路径及形成于所述下部基座的下部非活性气体供给路径，所述上部非活性气体供给路径与所述下部非活性气体供给路径相连通。6.根据权利要求4所述的原子层生长装置，其特征在于，由所述基板与所述基座防附着材料之间的所述间隙形成的非活性气体排出口，在所述上部基座基板保持部的周围，沿着整周形成有多个，或者在整周上连续形成。7.根据权利要求6所述的原子层生长装置，其特征在于，所述非活性气体在所述载物台的面温度±10％以内的温度下，从所述非活性气体排出口排出。8.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，在所述基座设置有从外部供给非活性气体的非活性气体供给路径，并且在所述上部基座基板保持部与所述上部基座周边部之间的位置形成有与所述非活性气体供给路径相连通的非活性气体供给口。9.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，所述非活性气体供给口形成有多个。10.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹫尾圭亮，松本竜弥，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP