MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法，所述衰减器包括：MEMS阵列光阻挡驱动器芯片、输入光纤阵列、输出光纤阵列；所述输入光纤阵列、输出光纤阵列进行直接光学对准耦合，MEMS阵列光阻挡驱动器芯片中的MEMS光阻挡器阵列设置于输入光纤阵列、输出光纤阵列的间隙中，实现N路通道的光信号功率的独立控制，其中，N≥2。本发明专利技术提出的阵列电可调谐光衰减器，具有小体积、低单通道成本、良好一致性、衰减范围大、驱动电压低等优点。

【技术实现步骤摘要】
MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法
本专利技术属于微电子技术及光通信
，涉及一种光衰减器，尤其涉及一种阵列电可调谐光衰减器；同时，本专利技术还涉及一种阵列电可调谐光衰减器的制备方法。
技术介绍
随着光通信业务的迅猛增长，智能光网络进入高速发展的实用化阶段。智能光网络具有波长动态可配置能力，解决了目前DWDM系统组网灵活性较差、动态分配能力弱的问题。智能光网络由具有高度灵活性、可调谐的光通信设备构成，需要大量的智能化、动态可调谐的光器件与模块。动态可调谐的光器件与模块是智能光网络的核心与基础，是构建智能光网络的关键。微机电系统(MEMS)技术与微光学、光通信技术相结合而产生的微光机电系统(MOEMS)技术，被认为是智能化、可调谐光通信器件制造最为可行的技术，同时兼具小型化、阵列化、低成本化等优点。近年来，随着MOEMS工艺技术的发展，基于MOEMS技术的相关智能光器件也获得了长足的进步，已被广泛的应用于光通信网络。其中MOEMS可变光衰减器（VOA）成为目前智能光网络发展中大量使用的MOEMS光器件，业已成为电控可变光衰减器（EVOA）的主流制造技术。光衰减器（OA）是光通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS阵列电可调谐光衰减器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(a)清洗SOI硅片，SOI硅片包括顶硅层、中间氧化层、衬底硅；(b)在SOI硅片上涂胶、光刻，而后进行ICP刻蚀，并清除掩膜材料；(c)以双抛单晶硅片为基片，将SOI硅片顶硅层与双抛单晶硅片I面进行硅‑硅键合，得到硅‑硅键合片；(d)硅‑硅键合片进行高温氧化，形成二氧化硅掩膜，单晶硅片II面涂胶、光刻，去除硅‑硅键合片上外露的二氧化硅掩膜层，然后进行KOH湿法腐蚀去除SOI的衬底硅，同时单晶硅片完成穿透腐蚀；(e)去除SOI硅片的中间氧化层，涂胶、光刻，ICP刻蚀制作凸台；(f)涂胶、光刻，ICP刻蚀释放梳齿结...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS阵列电可调谐光衰减器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(a)清洗SOI硅片，SOI硅片包括顶硅层、中间氧化层、衬底硅；(b)在SOI硅片上涂胶、光刻，而后进行ICP刻蚀，并清除掩膜材料；(c)以双抛单晶硅片为基片，将SOI硅片顶硅层与双抛单晶硅片I面进行硅-硅键合，得到硅-硅键合片；(d)硅-硅键合片进行高温氧化，形成二氧化硅掩膜，单晶硅片II面涂胶、光刻，去除硅-硅键合片上外露的二氧化硅掩膜层，然后进行KOH湿法腐蚀去除SOI的衬底硅，同时单晶硅片完成穿透腐蚀；(e)去除SOI硅片的中间氧化层，涂胶、光刻，ICP刻蚀制作凸台；(f)涂胶、光刻，ICP刻蚀释放梳齿结构，制作MEMS阵列平面梳齿驱动器及微光阻挡器阵列，并在微光阻挡阵列的硅膜上采用硬掩膜技术蒸镀光反射膜或光吸收膜，降低光阻挡器的透射光；(g)进行MEMS圆片的划片，得到物理上分离的MEMS阵列光阻挡驱动器芯片；(h)MEMS阵列电可调谐光衰减器的光学封装步骤；所述步骤h包括如下步骤：(h1)采用光纤阵列FA作为输入光纤阵列、输出光纤阵列，光纤阵列FA的带状光纤为气密封装的带状光纤；(h2)将输入光纤阵列FA与MEMS阵列光阻挡驱动器芯片对准，使每根输入光纤与MEMS阵列驱动器芯片中微挡光器的刀口的位置一致，并且光阻挡器的刀口与输入的光纤光斑处于临界的交叠位置，调节MEMS阵列光阻挡驱动器芯片与输入光纤...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海矽睿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31