The invention provides an organic self-luminescent diode display panel and a manufacturing method thereof. The display panel includes: a substrate; a thin film transistor layer located above the substrate; a light emitting structure located above the thin film transistor layer and connected with the source and drain zone wiring layer in the thin film transistor layer; wherein the thin film transistor layer comprises a polycrystalline silicon layer located above the substrate, and a source consisting of a heavily doped region arranged at intervals in the polycrystalline silicon layer. The drain area and the channel area between the source and drain areas are not heavily doped; the gate dielectric layer above the polycrystalline silicon layer; the gate metal layer above the gate dielectric layer, which covers and only covers the gate dielectric layer above the channel area; the gate buffer layer above the gate dielectric layer; and the gate dielectric layer, which covers the gate dielectric layer and the gate. An interlayer dielectric layer between the metal layer and the gate buffer layer, and a source-drain line layer penetrating the gate dielectric layer and the interlayer dielectric layer.
【技术实现步骤摘要】
有机自发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术涉及电子显示领域，尤其涉及一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
在传统的有机自发光二极管显示面板薄膜晶体管的制作过程中，在制作完成栅极金属后，会利用PECVD沉积层间介质层。目前，栅极金属通常采用金属钼(Mo)制成，而层间介质层则通常采用氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的叠层制成。由于金属钼和氧化硅之间的材料特性差异较大，其界面处往往存在较大的应力，无法紧密的结合。甚至二者之间的应力会导致层间介质层脱落，在栅极金属和层间介质层之间形成缝隙，从而严重影响薄膜晶体管的特性，进行严重影响器件的良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法，以解决现有技术中由于层间介质层和栅极金属之间的应力导致的膜层脱落的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机自发光二极管显示面板，其中，所述显示面板包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏区走线层相连接的发光结构；其中，所述薄膜晶体管层包括：位于基板上方的多晶硅层，所述多晶硅层...
【技术保护点】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏区走线层相连接的发光结构；其中，所述薄膜晶体管层包括：位于基板上方的多晶硅层，所述多晶硅层中具有由间隔设置的重掺杂区构成的源漏区和位于所述源漏区之间未被重掺杂的沟道区；位于所述多晶硅层上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的栅极金属层，所述栅极金属层覆盖且仅覆盖位于所述沟道区上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的栅极缓冲层；覆盖所述栅极介质层、栅极金属层和栅极缓冲层的层间介质层；以及贯穿所述栅极介质层和层间介质层的源漏区走线层。
【技术特征摘要】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板；位于所述基板上方的薄膜晶体管层；位于所述薄膜晶体管层上方，与所述薄膜晶体管层中的源漏区走线层相连接的发光结构；其中，所述薄膜晶体管层包括：位于基板上方的多晶硅层，所述多晶硅层中具有由间隔设置的重掺杂区构成的源漏区和位于所述源漏区之间未被重掺杂的沟道区；位于所述多晶硅层上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的栅极金属层，所述栅极金属层覆盖且仅覆盖位于所述沟道区上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的栅极缓冲层；覆盖所述栅极介质层、栅极金属层和栅极缓冲层的层间介质层；以及贯穿所述栅极介质层和层间介质层的源漏区走线层。2.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，构成所述栅极缓冲层的材料为栅极金属层的氧化物，通过对所述栅极金属层进行氧化，在其顶部形成对应的氧化物构成栅极缓冲层。3.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，构成所述栅极金属层的材料为钼，构成所述栅极缓冲层的材料为氧化钼。4.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述层间介质层包括第一介质层和第二介质层，其中所述第一介质层的材料为氧化硅，所述第二介质层位于所述第一介质层上方，其材料为氮化硅。5.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述栅极缓冲层的厚度为2～...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁武，李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。