The invention belongs to the technical field of light-emitting materials, in particular to a fluoride oxide phosphor with high light efficiency, a preparation method and a semiconductor light-emitting device. The general chemical formula of the fluoride oxide phosphor is AxM2 xD1 y zSeyF6 xOx: zMn.
【技术实现步骤摘要】
高光效的氟氧化物荧光粉及其制备方法和半导体发光装置
本专利技术属于发光材料
，具体涉及一种高光效的氟氧化物荧光粉及其制备方法和半导体发光装置。
技术介绍
近年来，随着汽车照明、路灯照明等市场的快速发展，对大功率白光的发光二极管(LightEmittingDiode，LED)性能要求逐渐提升，光效和器件的稳定性是制约目前大功率白光LED发展的瓶颈。目前大功率白光LED实现高光效的方式主要采用芯片匹配荧光粉，其中，荧光粉的外量子效率和稳定性的提升是获得高光效大功率白光LED的关键。目前大功率LED所采用的荧光粉组合主要是石榴石体系的绿色或黄色荧光粉搭配氮化物红色荧光粉；由于石榴石结构荧光粉和氮化物红色荧光粉的外量子效率已经发展到瓶颈阶段，光效提升非常困难。研究表明Mn4+激活的K2SiF6或K2GeF6红色荧光粉的外量子效率能够达到90％以上，如果能利用此类荧光粉封装搭配其它荧光粉，能够有效提升器件的光效。但是，此类荧光粉产业化研究相对较晚，外量子效率仍有很大提升空间，且该物质稳定性相对较差，目前应用于功率型LED目前仍存在一定困难。基于上述问题，目前仍未有有效...
【技术保护点】
1.一种氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式为AxM2‑xD1‑y‑zSeyF6‑xOx:zMn4+；其中，A选自Ba、Mg、Sr和Zn的中的至少一种，M选自Li、Na和K中的至少一种，D选自Si、Ge和Ti中的至少一种，且0.01≤x≤1，0.001≤y≤0.2，0.01≤z≤0.2。
【技术特征摘要】
1.一种氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式为AxM2-xD1-y-zSeyF6-xOx:zMn4+；其中，A选自Ba、Mg、Sr和Zn的中的至少一种，M选自Li、Na和K中的至少一种，D选自Si、Ge和Ti中的至少一种，且0.01≤x≤1，0.001≤y≤0.2，0.01≤z≤0.2。2.如权利要求1所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，A为Ba。3.如权利要求1所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，M为K和Na；和/或D为Ge，或为Si和Ge。4.如权利要求3所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，K和Na的摩尔比为(9-16):1。5.如权利要求1-4任一项所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，D为Si和Ge，且Si和Ge的摩尔比为1:(6-8)。6.如权利要求1-4任一项所述的氟氧化物荧光粉，其特征在于，所述氟氧化物荧光粉的化学通式中，0.1≤x≤0.5。7.如权利要求1-4任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林金填，陈磊，蔡金兰，李超，邱镇民，罗伟，
申请(专利权)人：旭宇光电深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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