AMOLED阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了AMOLED阵列基板，包括栅线、与栅线均垂直的信号线和电源线、薄膜晶体管结构、阳极、阴极、阳极和阴极之间的有机发光层与绝缘间隔层，还包括：形成在与阳极同层、且位于栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线、平坦层，其中，阴极辅助线通过至少两个过孔连接阴极，过孔穿过绝缘间隔层和平坦层，过孔包括穿过平坦层的第一段过孔和穿过绝缘间隔层的第二段过孔，过孔对应区域的阴极辅助线延伸至第一段过孔中，且贴附设置在第一段过孔的内壁上，且第一段过孔中的阴极辅助线限定出容纳空间，过孔对应区域的阴极延伸至过孔中并填满第二段过孔和容纳空间。由此，不影响开口率，而且在的一定程度上减小了阴极电阻，从而降低了IR drop。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种AMOLED阵列基板及显示装置。
技术介绍
对于顶发射的AMOLED显示装置，阴极采用透明ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物)电极形成，而且是一整块覆盖在阵列基板上的块状电极，因此阴极的电阻很高。阴极电阻很高，会增大IRdrop，过大的IRdrop会影响画面的均一度。为了降低IRdrop，现有方案中使用阴极辅助线来降低IRdrop，如图1所示，在阵列基板上非像素区域，形成与阴极位于不同层的若干阴极辅助线，通常是与阳极和/或源漏同时形成，如图1中阴极辅助线120与阳极110采用同种材料且同时形成，两者位于同一层。阴极辅助线120与位于上层的阴极通过过孔130连接(图1中，阴极辅助线120和过孔130在整个基板上呈网状结构)。这相当于阴极辅助线120与阴极并联，从而降低了阴极的电阻，因此降低了IRdrop。但要在非像素区域(即非显示区域)，具体在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干阴极辅助线，会导致整个显示装置的开口率降低。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是：如何在降低IRdr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极形成有机发光二极管，所述栅线、所述信号线及所述电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，其特征在于，还包括：形成在与所述阳极同层、且位于所述栅线、所述信号线和所述电源线对应区域的至少一条阴极辅助线；位于所述阳极...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极形成有机发光二极管，所述栅线、所述信号线及所述电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，其特征在于，还包括：形成在与所述阳极同层、且位于所述栅线、所述信号线和所述电源线对应区域的至少一条阴极辅助线；位于所述阳极背离所述阴极的一侧、且覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层，其中，所述阴极辅助线通过至少两个过孔连接所述阴极，所述过孔穿过所述绝缘间隔层和所述平坦层，所述过孔包括穿过所述平坦层的第一段过孔和穿过所述绝缘间...

【专利技术属性】
技术研发人员：永山和由，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11