AMOLED阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了AMOLED阵列基板，包括栅线、与栅线均垂直的信号线和电源线、薄膜晶体管结构、阳极、阴极、阳极和阴极之间的有机发光层与绝缘间隔层，还包括：形成在与阳极同层、且位于栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线、平坦层，其中，阴极辅助线通过至少两个过孔连接阴极，过孔穿过绝缘间隔层和平坦层，过孔包括穿过平坦层的第一段过孔和穿过绝缘间隔层的第二段过孔，过孔对应区域的阴极辅助线延伸至第一段过孔中，且贴附设置在第一段过孔的内壁上，且第一段过孔中的阴极辅助线限定出容纳空间，过孔对应区域的阴极延伸至过孔中并填满第二段过孔和容纳空间。由此，不影响开口率，而且在的一定程度上减小了阴极电阻，从而降低了IR drop。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种AMOLED阵列基板及显示装置。
技术介绍
对于顶发射的AMOLED显示装置，阴极采用透明ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物)电极形成，而且是一整块覆盖在阵列基板上的块状电极，因此阴极的电阻很高。阴极电阻很高，会增大IRdrop，过大的IRdrop会影响画面的均一度。为了降低IRdrop，现有方案中使用阴极辅助线来降低IRdrop，如图1所示，在阵列基板上非像素区域，形成与阴极位于不同层的若干阴极辅助线，通常是与阳极和/或源漏同时形成，如图1中阴极辅助线120与阳极110采用同种材料且同时形成，两者位于同一层。阴极辅助线120与位于上层的阴极通过过孔130连接(图1中，阴极辅助线120和过孔130在整个基板上呈网状结构)。这相当于阴极辅助线120与阴极并联，从而降低了阴极的电阻，因此降低了IRdrop。但要在非像素区域(即非显示区域)，具体在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干阴极辅助线，会导致整个显示装置的开口率降低。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是：如何在降低IRdrop的情况下不影响开口率。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、有机发光层和阴极形成有机发光二极管，所述栅线、信号线及电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，还包括形成在与所述阳极同层、且位于所述栅线、信号线和电源线对应区域的至少一条阴极辅助线；位于所述阳极背离所述阴极的一侧、且覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层，其中，所述阴极辅助线通过至少两个过孔连接所述阴极，所述过孔穿过所述绝缘间隔层和所述平坦层，所述过孔包括穿过所述平坦层的第一段过孔和穿过所述绝缘间隔层的第二段过孔，所述过孔对应区域的所述阴极辅助线延伸至所述第一段过孔中，且贴附设置在所述第一段过孔的内壁上，且所述第一段过孔中的所述阴极辅助线限定出容纳空间，所述过孔对应区域的所述阴极延伸至所述过孔中并填满所述第二段过孔和所述容纳空间。其中，所述至少两个过孔均位于所述栅线与信号线或电源线相交的区域。其中，所述栅线、信号线和电源线对应区域均形成有所述阴极辅助线。其中，所述至少两个过孔为位于每个所述栅线与信号线或电源线相交的区域的过孔。其中，所述阴极辅助线的线宽小于等于对应区域的栅线、信号线或电源线各自的线宽。本专利技术还提供了一种AMOLED显示装置，包括上述任一项所述AMOLED阵列基板。(三)有益效果本专利技术中将阴极辅助线制作在栅线、信号线及电源线对应区域，而不是在栅线、信号线和电源线的一侧布设若干阴极辅助线，因此不影响开口率，而且在的一定程度上减小了阴极电阻，从而降低了IRdrop。附图说明图1是现有技术的一种AMOLED阵列基板结构示意图；图2是本专利技术实施例的一种AMOLED阵列基板结构示意图；图3是图2的沿A-A的截面示意图。图4是一个对比例的截面示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施例的AMOLED阵列基板如图2和3所示，该阵列基板包括在衬底基板210上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线220及与所述栅线220均垂直的信号线241和电源线242围成。所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构(图2中虚线框所示)、阳极271、阴极290及阳极271和阴极290之间的有机发光层300。具体层次结构如图3所示，由下至上依次包括：衬底基板210、栅金属层(包括：栅线220、薄膜晶体管的栅极)、栅绝缘层230、源漏金属层(包括：信号线241、电源线242及薄膜晶体管的源漏电极)、钝化层250、平坦层260、阳极271、像素定义层280、有机发光层300及阴极290。阳极271位于每个像素结构对应的区域，阴极290为覆盖整个阵列基板的透明电极。非像素结构区域对应的阳极271和阴极290之间形成有绝缘间隔层280(也叫像素定义层)。所述阳极271、有机发光层300和阴极290形成有机发光二极管，栅线220、信号线241及电源线242通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光。为了降低阴极电阻，还包括形成在与阳极271同层，且位于栅线220、信号线241和电源线242对应区域的至少一条阴极辅助线272，阴极辅助线272通过穿过绝缘间隔层280的至少两个过孔281连接阴极290。由于将阴极辅助线272制作在栅线220、信号线241和电源线242对应区域，而不是在栅线220、信号线241和电源线242的一侧布设若干阴极辅助线，因此不影响开口率，而且在的一定程度上减小了阴极电阻，从而降低了IRdrop。其中，阳极271背离阴极的一侧还形成有覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层260，为了进一步减小阴极电阻，如图3所示，过孔281的深度大于绝缘间隔层280的厚度，即过孔深度可以到达平坦层260，甚至穿透平坦层260，这样使得阴极290与阴极辅助线272接触面积变大，电阻更小。根据本专利技术的一些实施例，参照图2和图3，阴极辅助线272通过至少两个过孔281连接阴极290，过孔281穿过绝缘间隔层280和平坦层260，过孔281包括穿过平坦层260的第一段过孔2811和穿过绝缘间隔层280的第二段过孔2812，过孔281对应区域的阴极辅助线272延伸至第一段过孔2811中，且贴附设置在第一段过孔2811的内壁上，且第一段过孔2811中的阴极辅助线272限定出容纳空间，过孔281对应区域的阴极290延伸至过孔281中并填满第二段过孔2812和容纳空间，即第一段过孔2811中的阴极辅助线272贴附设置在整个第一段过孔2811的内壁(包括第一段过孔2811的侧壁和底壁)上，阴极290与整个第一段过孔2811内壁上的阴极辅助线272接触设置，并填满第二段过孔2812和容纳空间。由此，阴极290在第二段过孔内与侧壁和底壁上的阴极辅助线272接触设置，相比于不设置第一段过孔使阴极290和阴极辅助线272仅通过第二段过孔单面(仅相当于第一段过孔中底壁的接触面积)接触设置(参照图4)，本申请的上述设置方式可以更进一步的加大阴极290与阴极辅助线272接触面积(即侧壁和底壁的面积)，进而最大程度地降低阴极电阻，以便最终更有效地降低IRdrop。进一步地，为了方便制作时图案的布局，至少两个过孔281均位于栅线220与信号线241或电源线242相交的区域。为了进一步减小阴极电阻，栅线220、信号线241和电源线242对应区域均形成有阴极辅助线272，即阴极辅助线272形成网状结构。进一步地，对于网状结构的阴极辅助线272，每个栅线220与信号线241或电源线242相交的区域的均形成过孔281。为了不影响开口率，阴极辅助线272的线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极形成有机发光二极管，所述栅线、所述信号线及所述电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，其特征在于，还包括：形成在与所述阳极同层、且位于所述栅线、所述信号线和所述电源线对应区域的至少一条阴极辅助线；位于所述阳极背离所述阴极的一侧、且覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层，其中，所述阴极辅助线通过至少两个过孔连接所述阴极，所述过孔穿过所述绝缘间隔层和所述平坦层，所述过孔包括穿过所述平坦层的第一段过孔和穿过所述绝缘间隔层的第二段过孔，所述过孔对应区域的所述阴极辅助线延伸至所述第一段过孔中，且贴附设置在所述第一段过孔的内壁上，且所述第一段过孔中的所述阴极辅助线限定出容纳空间，所述过孔对应区域的所述阴极延伸至所述过孔中并填满所述第二段过孔和所述容纳空间。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED阵列基板，包括在衬底基板上以阵列形式形成的若干像素结构，所述每个像素结构由栅线及与所述栅线均垂直的信号线和电源线围成，所述每个像素结构包括：薄膜晶体管结构、阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机发光层，所述阳极位于每个像素结构对应的区域，阴极为覆盖整个阵列基板的透明电极，非像素结构区域对应的阳极和阴极之间形成有绝缘间隔层，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极形成有机发光二极管，所述栅线、所述信号线及所述电源线通过所述薄膜晶体管结构共同驱动所述有机发光二极管发光，其特征在于，还包括：形成在与所述阳极同层、且位于所述栅线、所述信号线和所述电源线对应区域的至少一条阴极辅助线；位于所述阳极背离所述阴极的一侧、且覆盖所述阵列基板的绝缘的平坦层，其中，所述阴极辅助线通过至少两个过孔连接所述阴极，所述过孔穿过所述绝缘间隔层和所述平坦层，所述过孔包括穿过所述平坦层的第一段过孔和穿过所述绝缘间...

【专利技术属性】
技术研发人员：永山和由，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11