有机自发光二极管显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。本发明专利技术在封装结构上设置缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，防止有机缓冲层溢出阻挡墙，极大地改善封装结构。

【技术实现步骤摘要】
有机自发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术涉及电子显示领域，尤其涉及一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
目前广泛应用到显示领域的有机自发光二极管显示器OLED屏幕通常采用顶发射(top-emitting)的器件结构，OLED器件由阳极、有机层和阴极组成。其中，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。由于有机发光层和阴极对水和氧气非常敏感，因此防止水氧入侵腐蚀OLED中的有机发光层非常重要。目前通常采用薄膜封装(Thinfilmencapsulation,TFE)对OLED器件进行保护。对于TFE技术来说，最为重要的是其阻水氧的性能，并在此基础上兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。对于OLED器件来说，外界水氧的入侵途径可分为两类：途径一是水氧从上向下直接穿透TFT膜层进入OLED器件内部；途径二是水氧从TFE薄膜的侧面进入侵蚀OLED器件。对于常见的TFE结构，通常是从途径一阻止水氧侵蚀OLED器件，从而导致水氧能够通过途径二进入OLED显示面板侵蚀OLED器件。现有的一种阻隔途径二水氧入侵的方法是通过在OLED器件的外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。

【技术特征摘要】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。2.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙，所述阻挡墙位于所述密封层下方。3.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层和位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层。4.根据权利要求3所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。5.根据权利要求4所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第三阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭天福，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42