有机自发光二极管显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。本发明专利技术在封装结构上设置缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，防止有机缓冲层溢出阻挡墙，极大地改善封装结构。

【技术实现步骤摘要】
有机自发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术涉及电子显示领域，尤其涉及一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
目前广泛应用到显示领域的有机自发光二极管显示器OLED屏幕通常采用顶发射(top-emitting)的器件结构，OLED器件由阳极、有机层和阴极组成。其中，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。由于有机发光层和阴极对水和氧气非常敏感，因此防止水氧入侵腐蚀OLED中的有机发光层非常重要。目前通常采用薄膜封装(Thinfilmencapsulation,TFE)对OLED器件进行保护。对于TFE技术来说，最为重要的是其阻水氧的性能，并在此基础上兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。对于OLED器件来说，外界水氧的入侵途径可分为两类：途径一是水氧从上向下直接穿透TFT膜层进入OLED器件内部；途径二是水氧从TFE薄膜的侧面进入侵蚀OLED器件。对于常见的TFE结构，通常是从途径一阻止水氧侵蚀OLED器件，从而导致水氧能够通过途径二进入OLED显示面板侵蚀OLED器件。现有的一种阻隔途径二水氧入侵的方法是通过在OLED器件的外围设置无机阻挡层/有机缓冲层/无机阻挡层的三明治结构来阻止水和氧气的入侵。这三层膜层中有机缓冲层在阻水氧性能方面最为薄弱，水氧可以从其中较为容易的通过，因此，在封装结构设计时，需要将有机缓冲层完全包裹在第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间。然而目前对控制有机缓冲层的边界控制还不够完善，很难使其被完全包裹在第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间而不溢出。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法，以解决现有技术中的有机自发光二极管显示面中的封装层中的有机层溢出的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机自发光二极管显示面板，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。根据本专利技术的其中一个方面，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙，所述阻挡墙位于所述密封层下方。根据本专利技术的其中一个方面，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层和位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。根据本专利技术的其中一个方面，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第三阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。根据本专利技术的其中一个方面，所述密封层还包括位于第一阻挡层和和第二阻挡层之间的第一缓冲层，所述第一缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。根据本专利技术的其中一个方面，所述密封层还包括位于第二阻挡层和和第三阻挡层之间的第二缓冲层，所述第二缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料的水接触角大于140°。根据本专利技术的其中一个方面，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。相应的，本专利技术还提供了一种有机自发光二极管显示面板的制作方法，该方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上形成显示结构，所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置；形成围绕所述缓冲带的阻挡墙；形成覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的密封层，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层、位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层。本专利技术在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，可以极好地限制有机缓冲层在该区域的流平性能，防止有机缓冲层溢出阻挡墙。通过合理设计下层缓冲带表面的凹槽开口大小和深度，结合改善有机疏水层材料，甚至可以将有机缓冲层完全限制在下层缓冲带的范围内，取消阻挡墙的使用，极大地改善封装结构。附图说明图1为现有技术的OLED显示器的俯视图；图2为现有技术的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图；图3、图4(a)和图4(b)、以及图6(a)和图6(b)至图10(a)和图10(b)为本专利技术的一个实施例中的有机自发光二极管显示面板的制作方法各个步骤中的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图；图5(a)至图5(f)为本专利技术的不同实施例中的缓冲带表面的凹凸不平的立体结构的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。首先对现有技术进行简要说明。参见图1，图1为现有技术的OLED显示器的俯视图，其中，所述OLED器件包括位于中央的可操作区(AA区)、围绕所述AA区的封装阻挡墙(Dam)、以及围绕所述阻挡墙的外层封装区，图1示出了上述三个区域的结构及其边界。图2为现有技术的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图，其中包括玻璃基板100、柔性基底200、薄膜晶体管层301、栅极介质层302、裂纹阻挡层303、第一阻挡墙304a、第二阻挡墙304b、像素定义层305、发光层400、以及封装层500。为了防止TFE工艺中有机缓冲层(ink)溢出限定区域，目前行业内流行的做法是在OLED器件四周做上多圈阻挡墙，对OLED器件而言，未来的发展趋势是边框越做越窄，因此阻挡墙的圈数会越做越少(做到一圈，甚至取消阻挡墙)。由于阻挡墙的主要作用是将密封层中的有机缓冲层限定在AA区到阻挡墙之间，因此，有必要提出一种方法，能够有效的将有机缓冲层限定在指定区域内，从而减小阻挡墙的数目。为解决上述问题，本专利技术提供了一种有机自发光二极管显示面板，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。具体的，参见图10(a)和图10(b)，其中，所述显示面板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。

【技术特征摘要】
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。2.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙，所述阻挡墙位于所述密封层下方。3.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层和位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层。4.根据权利要求3所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。5.根据权利要求4所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第三阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭天福，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42