双面显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种双面显示装置及其制作方法，所述双面显示装置包括一基板、一有源层、一绝缘层、一像素定义层、一第一显示区以及一第二显示区，所述第一显示区包括一第一透明阳极、一第一冷光片以及一反射阴极，所述第二显示区包括一反射阳极、一第二透明阳极、一第二冷光片以及一透明阴极。所述双面显示装置的制作方法包括：S1有源层制备步骤；S2绝缘层制备步骤；S3源漏电极图案制备步骤；S4反射阳极制备步骤；S5透明阳极制备步骤；S6像素定义层制备步骤；S7冷光片制备步骤；S8反射阴极制备步骤；以及S9透明阴极制备步骤。本发明专利技术的技术效果为减少工序，扩大材料选取范围，提高发光效率，提高制作效率。

【技术实现步骤摘要】
双面显示装置及其制作方法
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种双面显示装置及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。目前，OLED显示器中的冷光片(electroluminescence,EL)材料是采用蒸镀或者打印的方法制成，而OLED中EL材料是由多种材料按照一定的顺序组合而成的，并且EL材料两边的电极功函数必须符合EL材料的要求才能具有较高的发光效率，这也就导致EL材料的电极可选种类并不很多。图1为双面显示的像素结构的示意图，其中第一显示区4和第二显示区5为两个独立且发光方向不同的单元，第一显示区1对应图2中的左侧，第二显示区5对应图2中的右侧，外边框为像素定义层6。方格代表RGB三亚像素，也可以采用其他的亚像素设计方式。图2为现有技术的双面显示装置的剖面图，左侧为第一显示区4，是底发射的结构，发光方向向下，右侧为第二显示区5，是顶发射的结构，发光方向向上。基板1上表面设有有源层2，有源层内含有至少一TFT器件，有源层2上表面设有绝缘层3，绝缘层3上设有像素定义层6。第一显示区4内包括第一透明阳极41，贴附于像素定义层6的上表面，第一冷光片42贴附于第一透明阳极41，第一反射阴极43贴附于第一冷光片42的上表面及第一通孔61的内侧壁。第二显示区5内包括反射阳极51，贴附于像素定义层6的上表面，第二冷光片53贴附于反射阳极51的上表面，透明阴极54贴附于第二冷光片53的上表面以及第二通孔62的内侧壁。但是，采用这种结构的时候，由于EL材料功函数的要求，就要求EL材料的排序是完全相反的才能满足发光效率的要求,比如左侧的EL材料排序为ABCDE时，右侧的EL材料排序就必须为EDCBA，这样才能保证可靠的发光效率。这就要求必须采用FineMask蒸镀两个完整的工序才能实现，大大增加了工艺复杂度。另一方面，右侧的顶发射结构也存在一个难以解决的难题。由于功函数的要求，透明阴极只能使用如镁银合金这种功函数的金属，不能使用ITO。而镁银合金作为透明电极时，其厚度受到电阻和透明度两个互相矛盾的因素的影响。厚度太大，则透过率太低；厚度较小时，透过率较高，但电阻太大。一般情况下，研发人员会优先选择满足透过率的设计，通过设置辅助阴极的方式解决电阻过大导致的压降问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于，提供一种双面显示装置及其制作方法，用以解决现有技术中存在的必须采用FineMask蒸镀两个完整的工序，导致工序复杂的技术问题。本专利技术的另一个目的在于，提供一种双面显示装置及其制作方法，用以解决现有技术中存在的顶发射结构中透明阴极只能使用如镁银合金，镁银合金作为透明电极时，其透过率较高时，厚度较小、电阻太大等技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种双面显示装置，包括：一基板；一有源层；设于所述基板的一侧表面；一绝缘层，设于所述有源层远离所述基板的一侧表面；一像素定义层，设于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述像素定义层包括至少一第一通孔及至少一第二通孔；一第一显示区及一第二显示区，设于所述绝缘层远离所述基板的一侧表面。进一步地，其中，所述第一显示区包括：一第一透明阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述第一透明阳极与所述第一通孔相对设置；一第一冷光片，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一透明阳极远离所述绝缘层的一侧表面；以及一第一反射阴极，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一冷光片远离所述第一透明阳极的一侧表面及所述第一通孔内侧壁。进一步地，其中，所述第二显示区包括：一反射阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面，且与所述第一透明阳极相离，所述反射阳极与所述第二通孔相对设置；一第二透明阳极，包覆于所述反射阳极远离所述有源层的一侧表面及所述反射阳极的外侧壁；一第二冷光片，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二透明阳极远离所述反射阳极的一侧表面；以及一透明阴极，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二冷光片远离所述第二透明阳极的一侧表面及所述第二通孔内侧壁。进一步地，所述透明阴极包括：一透明延伸部，贴附于所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁；所述透明延伸部环绕所述第二通孔；所述双面显示装置还包括：一第二反射阴极，贴附于所述透明延伸部远离所述基板一侧的表面。进一步地，所述双面显示装置还包括一第二反射阴极，贴附于所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，且环绕所述第二通孔；所述透明阴极包括一透明延伸部，贴附于所述第二反射阴极远离所述基板一侧的表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁。进一步地，所述透明阴极包覆于所述第一反射阴极、所述第二冷光片及所述像素定义层远离所述基板一侧的表面。进一步地，每一TFT器件的源漏电极设于所述有源层内；每一TFT器件的栅电极设于所述绝缘层内；所述透明阳极连接至第一TFT器件的栅电极；所述反射阳极连接至第二TFT器件的栅电极。本专利技术还提供一种双面显示装置的制作方法，具体步骤包括：S1有源层制备步骤，在基板上表面制作一有源层，在所述有源层内安装至少一TFT器件；S2绝缘层制备步骤，在所述有源层上表面制作一绝缘层，对所述绝缘层进行曝光刻蚀处理，制成图案化的栅电极；S3源漏电极制备步骤，对所述有源层上表面未被所述绝缘层覆盖的部分进行导体化处理及刻蚀处理，制成图案化的源漏电极；S4反射阳极制备步骤，在一第二显示区制备一反射阳极，贴附于所述绝缘层上表面，且连接至一第二TFT器件的栅电极；S5透明阳极制备步骤，在一第一显示区形成一第一透明阳极，贴附于所述绝缘层上表面，且连接至一第一TFT器件的栅电极；在所述第二显示区形成一第二透明阳极，包覆于所述反射阳极的上表面及外侧壁；S6像素定义层制备步骤，在所述绝缘层、所述反射阳极、所述第一透明阳极以及第二透明阳极上表面制备一像素定义层；所述像素定义层形成至少一第一通孔及至少一第二通孔，所述第一通孔与所述第一透明阳极相对设置，所述第二通孔与所述反射阳极相对设置；S7冷光片制备步骤，在所述第一通孔内制备第一冷光片，贴附于所述第一透明阳极上表面；在所述第二通孔内制备第二冷光片，贴附于所述第二透明阳极上表面；S8反射阴极制备步骤，在所述第一通孔内制备一第一反射阴极，贴附于所述第一冷光片上表面及所述第一通孔内侧壁；以及S9透明阴极制备步骤，在所述第二通孔内制备一透明阴极，贴附于所述第二冷光片上表面及所述第二通孔内侧壁。进一步地，在所述反射阴极制备步骤中，制备一第二反射阴极，贴附于所述像素定义层上表面，且环绕所述第二通孔；在所述透明阴极制备步骤中，所述透明阴极包括一透明延伸部，贴附于所述第二反射阴极上表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁。进一步地，在所述透明阴极制备步骤中，所述透明阴极包覆于所述第一反射阴极、所述第二冷光片及所述像素定义层的上表面。进一步地，在所述冷光片制备步骤之后，调换所述反射阴极制备步骤与所述透明阴极制备步骤的执行顺序；先执行所述透明阴极制备步骤，再执行所述反射阴极制备步骤。进一步地，在所述透明阴极制备步骤中，所述透明阴极包括一透明延伸部，贴附于所述像素定义层上表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁；所述透明延伸部环绕所述第二通孔；在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面显示装置，其特征在于，包括：一基板；一有源层，设于所述基板的一侧表面；一绝缘层，设于所述有源层远离所述基板的一侧表面；一像素定义层，设于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述像素定义层包括至少一第一通孔及至少一第二通孔；一第一显示区及一第二显示区，设于所述绝缘层远离所述基板的一侧表面；其中，所述第一显示区包括：一第一透明阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述第一透明阳极与所述第一通孔相对设置；一第一冷光片，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一透明阳极远离所述绝缘层的一侧表面；以及一第一反射阴极，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一冷光片远离所述第一透明阳极的一侧表面及所述第一通孔内侧壁；其中，所述第二显示区包括：一反射阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面，且与所述第一透明阳极相离，所述反射阳极与所述第二通孔相对设置；一第二透明阳极，包覆于所述反射阳极远离所述有源层的一侧表面及所述反射阳极的外侧壁；一第二冷光片，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二透明阳极远离所述反射阳极的一侧表面；以及一透明阴极，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二冷光片远离所述第二透明阳极的一侧表面及所述第二通孔内侧壁。...

【技术特征摘要】
1.一种双面显示装置，其特征在于，包括：一基板；一有源层，设于所述基板的一侧表面；一绝缘层，设于所述有源层远离所述基板的一侧表面；一像素定义层，设于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述像素定义层包括至少一第一通孔及至少一第二通孔；一第一显示区及一第二显示区，设于所述绝缘层远离所述基板的一侧表面；其中，所述第一显示区包括：一第一透明阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面；所述第一透明阳极与所述第一通孔相对设置；一第一冷光片，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一透明阳极远离所述绝缘层的一侧表面；以及一第一反射阴极，设于所述第一通孔内，且贴附于所述第一冷光片远离所述第一透明阳极的一侧表面及所述第一通孔内侧壁；其中，所述第二显示区包括：一反射阳极，贴附于所述绝缘层远离所述有源层的一侧表面，且与所述第一透明阳极相离，所述反射阳极与所述第二通孔相对设置；一第二透明阳极，包覆于所述反射阳极远离所述有源层的一侧表面及所述反射阳极的外侧壁；一第二冷光片，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二透明阳极远离所述反射阳极的一侧表面；以及一透明阴极，设于所述第二通孔内，且贴附于所述第二冷光片远离所述第二透明阳极的一侧表面及所述第二通孔内侧壁。2.如权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述透明阴极包括：一透明延伸部，贴附于所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁；所述透明延伸部环绕所述第二通孔；所述双面显示装置还包括：一第二反射阴极，贴附于所述透明延伸部远离所述基板一侧的表面。3.如权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，还包括一第二反射阴极，贴附于所述像素定义层远离所述基板一侧的表面，且环绕所述第二通孔；所述透明阴极包括一透明延伸部，贴附于所述第二反射阴极远离所述基板一侧的表面，且延伸至所述第二通孔内侧壁。4.如权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，所述透明阴极包覆于所述第一反射阴极、所述第二冷光片及所述像素定义层远离所述基板一侧的表面。5.如权利要求1所述的双面显示装置，其特征在于，每一TFT器件的源漏电极设于所述有源层内；每一TFT器件的栅电极设于所述绝缘层内；所述透明阳极连接至第一TFT器件的栅电极；所述反射阳极连接至第二TFT器件的栅电极。6.一种双面显示装置的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42