【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示基板、显示装置和制作方法
本专利技术涉及显示
,特别是涉及一种OLED显示基板、显示装置和制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,电致发光二极管)相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。有机电致发光器件薄膜沉积方法主要有真空蒸镀和溶液制程两种。在喷墨打印工艺中,墨水在像素内成膜工艺过程时,墨水会攀爬到像素界定层上面,致使像素边缘的有机功能层的厚度大于像素中间位置的厚度。然而像素内成膜均匀性直接影响着器件发光亮度的均匀性,体现在器件点亮中就是中间亮度高,四周亮度低的不均匀显示。
技术实现思路
为了解决上述问题至少之一,本专利技术第一方面提供一种OLED显示基板,包括衬底;设置在所述衬底上的TFT结构;设置在所述TFT结构上的平坦化层;设置在所述平坦化层上的像素界定层和阳极;设置在所述阳极上的有机功能层;以及设置在所述有机功能层上的阴极;其中所述阳极在靠近所述有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻。进一步的,所述 ...
【技术保护点】
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括衬底;设置在所述衬底上的TFT结构;设置在所述TFT结构上的平坦化层;设置在所述平坦化层上的像素界定层和阳极;设置在所述阳极上的有机功能层;以及设置在所述有机功能层上的阴极;其中所述阳极在靠近所述有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻。
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括衬底;设置在所述衬底上的TFT结构;设置在所述TFT结构上的平坦化层;设置在所述平坦化层上的像素界定层和阳极;设置在所述阳极上的有机功能层;以及设置在所述有机功能层上的阴极;其中所述阳极在靠近所述有机功能层一侧的区域中,邻近像素界定层的部分的方阻小于远离像素界定层的部分的方阻。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括由像素界定层围绕的第一阳极;贯通所述第一阳极远离像素界定层的部分的第一沟槽;设置在所述第一沟槽中的第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。3.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括由像素界定层围绕的第一阳极;在所述第一阳极远离像素界定层的部分设置第二沟槽,所述第二沟槽的深度小于所述第一阳极的厚度;设置在所述第二沟槽中的第二阳极,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻。4.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阳极包括由像素界定层围绕的第一阳极;贯通所述第一阳极远离像素界定层的部分的第一沟槽;设置在所述第一沟槽中的第三阳极,所述第三阳极的厚度小于所述第一阳极的厚度;设置在所述第一沟槽中的第二阳极,所述第二阳极位于所述第三阳极靠近所述有机功能层一侧,其中第二阳极的方阻大于第一阳极的方阻和第三阳极的方阻。5.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,所述第二阳极的方阻>所述第一阳极的方阻>所述第三阳极的方阻。6.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-5中任一项所述的OLED显示基板。7.一种制作OLED显示基板的方法,其特征在于,包括在衬底上形成TFT结构;在所述TFT结构上形成平坦化层;在所述平坦化层上形成阳极层和围绕所述阳极层的像素界定层,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯文军,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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