OLED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:20223594 阅读:26 留言:0更新日期:2019-01-28 21:39
本发明专利技术提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。OLED显示基板,包括位于衬底基板上的OLED发光单元和驱动所述OLED发光单元发光的驱动薄膜晶体管,所述OLED显示基板还包括:位于所述衬底基板和所述OLED发光单元之间的光敏薄膜晶体管,所述光敏薄膜晶体管能够检测所述OLED发光单元发出的光并产生电信号,所述光敏薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。本发明专利技术的技术方案能够简化OLED显示基板制程的复杂性,降低OLED显示基板的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
OLED(有机电致发光二极管)显示产品经过长时间的发展已经日趋成熟,逐步在终端产品中现身。OLED显示器件的发光原理为:电子和空穴分别从阴极和阳极注入,当电子与空穴在有机发光层中的某个分子上下相遇后,由于库伦作用,两者就会束缚在一起,形成激子,激子在有机发光层扩散和漂移到合适的位置后,会发生复合。由于激子本身是激发态,复合时会释放能量,其中以辐射形式释放的部分就是发光。但是由于工艺制程的限制,OLED显示器件不同像素的阳极电阻、发光层厚度等会存在差异,导致发光层的亮度不够均匀,这限制了OLED显示技术的发展。随着市场对大尺寸OLED显示屏需求的增加,OLED均匀发光问题变得尤为突出。目前OLED显示产品的一种补偿方法为光学补偿方法,在底发射OLED显示产品的发光层和衬底基板之间设置有光敏传感器,光敏传感器能够感受发光层发光的强弱,并将检测到的光信号反馈给OLED显示产品的驱动电路实现相应的光学补偿,但此种OLED显示产品结构中,需要通过专门的工艺来制作光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示基板,包括位于衬底基板上的OLED发光单元和驱动所述OLED发光单元发光的驱动薄膜晶体管,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:位于所述衬底基板和所述OLED发光单元之间的光敏薄膜晶体管,所述光敏薄膜晶体管能够检测所述OLED发光单元发出的光并产生电信号,所述光敏薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板,包括位于衬底基板上的OLED发光单元和驱动所述OLED发光单元发光的驱动薄膜晶体管,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:位于所述衬底基板和所述OLED发光单元之间的光敏薄膜晶体管,所述光敏薄膜晶体管能够检测所述OLED发光单元发出的光并产生电信号,所述光敏薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述光敏薄膜晶体管的栅极与所述驱动薄膜晶体管的第一遮光图形同层同材料设置,所述第一遮光图形位于所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间;和/或所述光敏薄膜晶体管的有源层与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层同材料设置;和/或所述光敏薄膜晶体管的源极、漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极同层同材料设置。3.根据权利要求2所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:位于所述驱动薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧的第二遮光图形,所述驱动薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。4.根据权利要求1-3中任一项所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:用于将所述光敏薄膜晶体管产生的电信号传递给驱动电路的检测信号线;控制所述光敏薄膜晶体管的输出端与所述检测信号线之间导通状态的开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管的至少部分膜层与所述驱动薄膜晶体管的膜层同层同材料设置。5.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管的第三遮光图形与所述驱动薄膜晶体管的第一遮光图形同层同材料设置,所述第一遮光图形位于所述驱动薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间,所述第三遮光图形位于所述开关薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间;和/或所述开关薄膜晶体管的有源层与所述驱动薄膜晶体管的有源层同层同材料设置;和/或所述开关薄膜晶体管的源极、漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极、漏极同层同材料设置。6.根据权利要求5所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括:位于所述开关薄膜晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧的第四遮光图形,所述开关薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述第四遮光图形在所述衬底基板上的正投影内。7.根据权利要求4所述的OLED显示基板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管的漏极与所述检测信号线连接且所述开关薄膜晶体管的源极与所述光敏薄膜晶体管的输出端连接,或,所述开关薄膜晶体管的漏极与所述检测信号线连接且所述开关薄膜晶体管的源极与所述光敏薄膜晶体管的输出端之间形成存储电容;所述光敏薄膜晶体管的输出端为所述光敏薄膜晶体管的源极或漏极。8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员:狄沐昕刘英伟梁志伟李海旭曹占锋
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1