一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件技术

本发明专利技术提供一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件，涉及材料技术领域。本发明专利技术提供的镓基透明导电薄膜的制备方法包括：步骤S1、对液态镓进行加热搅拌，使所述液态镓部分氧化；步骤S2、将部分氧化的所述液态镓转移至基底上，形成粗糙的薄膜；步骤S3、对所述粗糙的薄膜进行处理，得到均匀的薄膜；步骤S4、对所述均匀的薄膜进行热处理，并将热处理后的薄膜冷却至室温，得到镓基透明导电薄膜。本发明专利技术的技术方案能够提供一种简单的透明导电薄膜的制备方法，有利于透明导电薄膜的大规模使用。

【技术实现步骤摘要】
一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件
本专利技术涉及材料
，尤其涉及一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件。
技术介绍
透明导电薄膜因其同时具有透明和导电两种特性，已经被越来越多地应用于各种各样的重要领域，如液晶显示器，太阳能电池和有机发光器件等。氧化铟、氧化锌和氧化锡等金属氧化物常用来制造透明导电薄膜。现有技术中透明导电薄膜的制备方法主要包括反应电子束蒸发、磁控溅射蒸发、化学气相沉积、喷雾降解、脉冲激光沉积和溶胶-凝胶法，以上各制备方法均比较复杂，另外，纯金属氧化物制作的透明导电薄膜中载体浓度低，电阻率高，还需要通过掺杂来降低透明导电薄膜的电阻率，进一步增加了透明导电薄膜的制备方法的复杂程度，严重制约了透明导电薄膜的大规模使用。
技术实现思路
本专利技术提供一种镓基透明导电薄膜及其制备方法、电子器件，可以提供一种简单的透明导电薄膜的制备方法，有利于透明导电薄膜的大规模使用。第一方面，本专利技术提供一种镓基透明导电薄膜的制备方法，采用如下技术方案：所述镓基透明导电薄膜的制备方法包括：步骤S1、对液态镓进行加热搅拌，使所述液态镓部分氧化；步骤S2、将部分氧化的所述液态镓转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镓基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、对液态镓进行加热搅拌，使所述液态镓部分氧化；步骤S2、将部分氧化的所述液态镓转移至基底上，形成粗糙的薄膜；步骤S3、对所述粗糙的薄膜进行处理，得到均匀的薄膜；步骤S4、对所述均匀的薄膜进行热处理，并将热处理后的薄膜冷却至室温，得到镓基透明导电薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种镓基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、对液态镓进行加热搅拌，使所述液态镓部分氧化；步骤S2、将部分氧化的所述液态镓转移至基底上，形成粗糙的薄膜；步骤S3、对所述粗糙的薄膜进行处理，得到均匀的薄膜；步骤S4、对所述均匀的薄膜进行热处理，并将热处理后的薄膜冷却至室温，得到镓基透明导电薄膜。2.根据权利要求1所述的镓基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，加热温度为30～50℃，搅拌时间为10～30min，搅拌速率为100～500r/min。3.根据权利要求1所述的镓基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，使用滚筒将所述粗糙的薄膜涂抹均匀，得到所述均匀的薄膜。4.根据权利要求1所述的镓基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11