【技术实现步骤摘要】
制作三维重构基准的方法
本专利技术涉及三维重构分析
,具体涉及一种制作三维重构基准的方法。
技术介绍
作为一种兼具场发射扫描电镜成像功能以及聚焦离子束微纳加工功能的工具,聚焦离子束扫描电镜(FocusIonBeamScanningElectronMicroscopes,简称为FIB-SEM)在材料科学研究中发挥着重要的作用,其主要用于进行三维重构分析。三维重构分析过程主要包括如下步骤:通过聚焦离子束扫描电镜的FIB离子束的加工功能,对样品进行连续切片,然后通过扫描电镜的成像功能对切片进行扫描就可以得到一系列用来做三维重构分析的扫描图像。最后利用三维数据处理软件对这些扫描图像进行处理从而可以重构出样品的形貌、成分、孔隙分布等结构,这样一来,便可以从各个角度来观察样品。上述过程都是由软件自动控制完成,因此可以减少人工控制带来的偏差,从而精准地还原样品的真实结构。其中,在上述切片过程中,为了保证每次切割的位置都在精确的指定区域,通常会在样品上制作三维重构基准,即对样品进行预先标记。如图1所示,传统的标记方法是提前在样品1的待切割区域11之外的位置刻蚀预设的图案以形 ...
【技术保护点】
1.一种制作三维重构基准的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:确定样品的待切割区域;根据所述待切割区域确定基准区域;在所述基准区域形成标记部分;其中,所述标记部分包括第一保护层以及形成于所述第一保护层上表面的预设标记。
【技术特征摘要】
1.一种制作三维重构基准的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:确定样品的待切割区域;根据所述待切割区域确定基准区域;在所述基准区域形成标记部分;其中,所述标记部分包括第一保护层以及形成于所述第一保护层上表面的预设标记。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,“根据所述待切割区域确定基准区域”的步骤包括:将所述基准区域的至少一部分设置于所述待切割区域内。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基准区域位于所述待切割区域且所述标记部分的第一保护层完全覆盖所述待切割区域。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述标记部分还包括覆盖所述预设标记的第二保护层,“在所述基准区域形成标记部分”的步骤包括:在所述样品的基准区域沉积第一保护层;在所述第一保护层上刻蚀预设标记;至少在已刻蚀出预设标记的第一保护层的上方沉积第二保护层,以便使所述第二保护层填充至刻蚀出的所述预设标记。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,通过单支气针沉积的方式在所述待切割区域沉积所述第一保护层,通过镀膜仪在所述第一保护层的上表面完全沉积第二保护层。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:张玉星,杨继进,刘家龙,
申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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