一种基于三极管的过压保护电路制造技术

技术编号:20198004 阅读:66 留言:0更新日期:2019-01-23 14:02
本实用新型专利技术涉及一种基于三极管的过压保护电路,包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述MicroUSB接口J1中的第1引脚(VIN脚)分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接,所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻R30的另一端连接两个支路。本实用新型专利技术不需要芯片类的电压保护电路就能实现电路的过压保护,满足日益增长的成本控制和过压保护的需求,且本实用新型专利技术的电路元器件少,原理简单易控制、简单可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三极管的过压保护电路
本技术涉及电源保护
,尤其涉及一种基于三极管的过压保护电路。
技术介绍
在消费类电子日益不断发展的背景下,市场对于整个产品的成本和性能都要求越来越高,为了避免因人为误接高电压电源、或者工作电压的不稳定等原因造成的电压过高而可能导致的电路系统误动作或烧毁电源,通常需要设置各种过压保护。目前进行过压保护可采用专用的过压保护IC,但专用过压保护IC成本较高,且器件不易采购。且现有的过压保护方案大多采用后置保护方式,在这种方式下只能设定单一保护电压值,不能满足在各种情况下的使用需求。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷或不足,本技术提供了一种基于三极管的过压保护电路。为了实现上述目的,本技术采取的技术方案为提供一种基于三极管的过压保护电路,包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述MicroUSB接口J1中的第1引脚分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接至电压输入端;所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于三极管的过压保护电路,其特征在于:包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述MicroUSB接口J1中的第1引脚分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接至电压输入端;所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻R30的另一端连接两个支路,其一支路与所述分压电阻R31的一端连接,所述电阻R31的另一端接地,另一支路与所述三极管Q7的基极连接,所述三极管Q7的集电极与所述上拉电阻R29的另一端连接,所述三极管Q7的发...

【技术特征摘要】
1.一种基于三极管的过压保护电路,其特征在于:包括:MicroUSB接口J1、稳压二极管D1、分压电阻R30、分压电阻R31、三极管Q7、上拉电阻R29、滤波电路以及MOS管Q8;所述MicroUSB接口J1中的第1引脚分别与稳压二极管D1的负极、上拉电阻R29的一端以及滤波电路中的电容C1和电阻R1的一端连接至电压输入端;所述稳压二极管D1的正极与所述分压电阻R30的一端连接,所述分压电阻R30的另一端连接两个支路,其一支路与所述分压电阻R31的一端连接,所述电阻R31的另一端接地,另一支路与所述三极管Q7的基极连接,所述三极管Q7的集电极与所述上拉电阻R29的另一端连接,所述三极管Q7的发射极接地;所述MicroUSB接口J1中的第4引脚、第5引...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘沁峰
申请(专利权)人:浩海威半导体深圳有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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