【技术实现步骤摘要】
一种用于倒装封装的DDR接口
本技术涉及DDR(双倍速率同步动态随机存储器)
，尤其涉及用于倒装封装的DDR接口。
技术介绍
随着工作速度的越来越高，现有DDR接口单元(DDRIO)需要倒装封装，倒装封装需要从IO接口的接触点用厚铝(RDL)走线走到焊球(bump)处，而后封装出去。从整个芯片看，电源/地的焊球通常靠近芯片中心，信号焊球通常位于芯片外沿。传统DDRIO版图布局中，需要大电流的主驱动单元位于芯片外沿，其电流通过横向的底层非RDL金属线由左右的电源单元供电，信号由纵向的厚铝连至焊球，所以供电压力全部集中在横向的底层非RDL金属线上，导致金属层次无法减少。
技术实现思路
本技术的目的在于提供用于倒装封装的DDR接口，减少底层非RDL金属线层数。实现上述目的的技术方案是：一种用于倒装封装的DDR接口，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源焊球；横向地RDL从外侧依次横向连接N型二极管和下拉单元，并纵向连接地焊球；信...
【技术保护点】
1.一种用于倒装封装的DDR接口，其特征在于，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源焊球；横向地RDL从外侧依次横向连接N型二极管和下拉单元，并纵向连接地焊球；信号RDL纵向穿过上拉单元和下拉单元之间，并纵向连接信号焊球；信号RDL从内侧依次横向连接上拉单元和P型二极管，同时从内侧依次横向连接下拉单元和N型二极管。
【技术特征摘要】
1.一种用于倒装封装的DDR接口，其特征在于，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔亮，刘亚东，庄志青，
申请(专利权)人：灿芯半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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