The embodiment of the invention provides an electroabsorption modulation integrated laser chip and its fabrication method. The chip comprises: an output waveguide region, an EAM portion, an isolation region and a DFB portion arranged in sequence; the isolation region is used to isolate the EAM portion and the DFB portion, with a passive waveguide layer in the lower layer and a non-doped InP layer in the upper layer, so as to reduce the photonic carriers in the isolation region under the working condition. The lower layer of the isolation area of the EAM integrated laser chip in the embodiment of the present invention is a passive waveguide layer and the upper layer is a non-doped InP layer. This structure can reduce the photonic carriers in the isolation area under the working condition, even make the isolation area free of photonic carriers, and can solve the problem of too fast bandwidth attenuation under high bias voltage.
【技术实现步骤摘要】
电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法
本专利技术实施例涉及光电器件领域,尤其涉及一种电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法。
技术介绍
随着互联网对数据传输需求量的爆发式增长,导致光电模块需要不断降低其核心光电芯片的成本、减小其尺寸并且增加其传输输率。在时分复用网络中,电吸收调制集成激光器(EML)芯片是一种好的选择,它具有尺寸小,成本低的优势。随着研究发展,高速EML芯片模块在2公里传输距离中,能够提供误码率为40ps/nm的数据。在光通信网络中,光纤的色散限制了数据传输的距离,距离约与数据率的平方成反比,25GEML模块中啁啾参数是保证数据传输的质量的关键性指标。业界对啁啾参数的优化有两种方式,一种是对芯片中有源区量子阱的结构重新设计,各家的方式不一样。第二种是对EAM端加偏压减小啁啾参数,随着EAM端的偏压增加,芯片啁啾参数降低甚至变成负值,这种方式带来的负面影响是EML芯片输出的光功率也随着偏压的增大而减小。然而在实验中发现,当对EAM加大偏压时,对于采用对接(buttjointed)结构的25GEML芯片带宽在测量时在10Gbit/s的情况下会突然降低,影响光传输特性。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题,本专利技术实施例提供一种电吸收调制集成激光器芯片及其制作方法。第一方面,本专利技术实施例提供一种电吸收调制集成激光器芯片,包括:依次设置的输出波导区、EAM部分、隔离区和DFB部分;所述隔离区,用于隔离所述EAM部分和DFB部分,其下层为无源波导层,上层为非掺杂InP层,以使降低工作状态下所述隔离区中的光生载流子。第二方面,本专利技术实施例提供一 ...
【技术保护点】
1.一种电吸收调制集成激光器芯片,其特征在于,包括:依次设置的输出波导区、EAM部分、隔离区和DFB部分;所述隔离区,用于隔离所述EAM部分和DFB部分,其下层为无源波导层,上层为非掺杂InP层,以使降低工作状态下所述隔离区中的光生载流子。
【技术特征摘要】
1.一种电吸收调制集成激光器芯片,其特征在于,包括:依次设置的输出波导区、EAM部分、隔离区和DFB部分;所述隔离区,用于隔离所述EAM部分和DFB部分,其下层为无源波导层,上层为非掺杂InP层,以使降低工作状态下所述隔离区中的光生载流子。2.根据权利要求1所述的电吸收调制集成激光器芯片,其特征在于,所述输出波导区的下层为无源波导层,上层为非掺杂InP层,以使所述电吸收调制集成激光器芯片便于解理和提高光耦合效率。3.根据权利要求1或2所述的电吸收调制集成激光器芯片,其特征在于,所述输出波导区的长度范围为48~52um,所述EAM部分的长度范围为105~115um,所述隔离区的长度范围为48~52um,所述DFB部分的长度范围为315~325um。4.根据权利要求3所述的电吸收调制集成激光器芯片,其特征在于,所述输出波导区的长度为50um,所述EAM部分的长度为110um,所述隔离区的长度为50um,所述DFB部分的长度范围为320um。5.一种激光器,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的电吸收调制集成激光器芯片。6.权利要求1-4任一项所述的电吸收调制集成激光器芯片的制作方法,其特征在于,包括:S1,在n型In-P基底上先生长一层DFB有源层;S2,在所述DFB有源层上生长一...
【专利技术属性】
技术研发人员:万枫,熊永华,曾笔鉴,余洁,
申请(专利权)人:武汉电信器件有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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