一种薄膜电池及其制备方法技术

本申请公开了一种薄膜电池及其制备方法。所述薄膜电池包括薄膜电池芯片，所述薄膜电池芯片包括衬底和导电层，所述导电层包括设置在所述衬底上的第一电极、设置在所述第一电极上的发电层和设置在所述发电层上的第二电极，所述薄膜电池通过下述方法制备得到：对所述薄膜电池芯片进行扫边，除去位于扫边区的所述导电层；和在所述第二电极的表面上与所述扫边区间隔设定距离的位置处，加能够腐蚀掉所述第二电极的腐蚀液，在加腐蚀液的位置处形成贯穿所述第二电极的绝缘线。本申请的薄膜电池的制备方法成本低，操作简单，而且能够制备出任意形状的薄膜电池。

A thin film battery and its preparation method

The present application discloses a thin film battery and a preparation method thereof. The thin film battery comprises a thin film battery chip, which comprises a substrate and a conductive layer. The conductive layer comprises a first electrode arranged on the substrate, a power generation layer arranged on the first electrode and a second electrode arranged on the power generation layer. The thin film battery is prepared by sweeping the edge of the thin film battery chip and removing the edge. The conductive layer located in the edge-sweeping region, and an insulating line through the second electrode is formed at the position where the corrosion liquid can corrode the second electrode at a distance set between the surface of the second electrode and the edge-sweeping region. The preparation method of the thin film battery in this application is low in cost, simple in operation, and can prepare thin film battery of arbitrary shape.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电池及其制备方法
本申请涉及但不限于光伏
，尤其涉及但不限于一种薄膜电池及其制备方法。
技术介绍
薄膜电池的制备方法一般包括：在玻璃衬底10上沉积透明导电薄膜(TransparentConductiveOxide，TCO)作为第一电极20，在第一电极20上进行第一道激光刻化，形成贯通第一电极20的第一沟槽1；接着在第一电极20上沉积发电层30，在发电层30上进行第二道激光刻化，形成贯通发电层的第二沟槽2；然后在发电层30上再次沉积透明导电薄膜或金属Al等作为第二电极40，并在第二电极40上进行第三道激光刻化，形成贯穿发电层和第二电极的第三沟槽3；最后通过第四道激光扫边将距衬底10边缘8.5-20mm的扫边区50内的第一电极20、发电层30和第二电极40刻蚀掉，以确保绝缘效果，得到如图1所示的薄膜电池芯片。当光从玻璃衬底10入射时，电池电流从第一电极20和第二电极40引出。薄膜电池内部的第一沟槽1、第二沟槽2和第三沟槽3用于实现一个电池单元内部的电路导通。由于第四道激光扫边时容易造成第一电极20与第二电极40之间导通，使电池芯片短路，所以通常在第一道激光刻化和第三道激光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备薄膜电池的方法，所述薄膜电池包括薄膜电池芯片，所述薄膜电池芯片包括衬底和导电层，所述导电层包括设置在所述衬底上的第一电极、设置在所述第一电极上的发电层和设置在所述发电层上的第二电极，所述方法包括：对所述薄膜电池芯片进行扫边，除去位于扫边区的所述导电层；和在所述第二电极的表面上与所述扫边区间隔设定距离的位置处，加能够腐蚀掉所述第二电极的腐蚀液，在加腐蚀液的位置处形成贯穿所述第二电极的绝缘线。

【技术特征摘要】
1.一种制备薄膜电池的方法，所述薄膜电池包括薄膜电池芯片，所述薄膜电池芯片包括衬底和导电层，所述导电层包括设置在所述衬底上的第一电极、设置在所述第一电极上的发电层和设置在所述发电层上的第二电极，所述方法包括：对所述薄膜电池芯片进行扫边，除去位于扫边区的所述导电层；和在所述第二电极的表面上与所述扫边区间隔设定距离的位置处，加能够腐蚀掉所述第二电极的腐蚀液，在加腐蚀液的位置处形成贯穿所述第二电极的绝缘线。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述腐蚀液为能够与所述第二电极发生化学反应从而将所述第二电极腐蚀掉的酸或碱。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述酸选自盐酸、醋酸和柠檬酸中的任意一种或更多种。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述碱选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氨水中的任意一种或更多种。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设定距离不超过1mm。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅志强，孙书龙，章志斌，
申请(专利权)人：广东汉能薄膜太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44