一种晶粒缺陷监控方法技术

本发明专利技术公开了一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，提供一虚拟标准晶圆，及虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及虚拟坐标与虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对晶圆执行一缺陷检测操作获得晶圆中缺陷位置；步骤S2，晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至虚拟坐标；步骤S3，根据虚拟坐标获得并记录缺陷位置对应的晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的缺陷位置对应的晶粒的位置，得到每个晶粒的缺陷变化趋势。本发明专利技术的技术方案有益效果在于：能够在晶粒级别上发现晶圆表面上特定区域的缺陷异常情况和监控缺陷的变化趋势，并进行有效报警。

A Method for Monitoring Grain Defects

The invention discloses a grain defect monitoring method, which is suitable for integrated circuit production process, and provides a virtual standard wafer, virtual coordinates on the virtual standard wafer, and the corresponding relationship between the virtual coordinates and the grains on the virtual standard wafer, including the following steps: providing a wafer, performing a defect detection operation on the wafer to obtain the defect position in the wafer; Suddenly S2, the actual coordinates of the defect position on the wafer are converted to the virtual coordinates; according to the virtual coordinates, the positions of the grains corresponding to the defect position are obtained and recorded; according to the position of the grains corresponding to the recorded defect position, the trend of defect change of each grains is obtained. The technical scheme of the invention has the beneficial effect that the defect anomaly of a specific area on the wafer surface can be found at the grain level, the change trend of the defect can be monitored, and an effective alarm can be given.

【技术实现步骤摘要】
一种晶粒缺陷监控方法
本专利技术涉及集成电路生产领域，尤其涉及一种晶粒缺陷监控方法。
技术介绍
在诸如硅晶圆等半导体基材上制造集成电路的制作过程极为复杂，并且包含许多步骤，而每个步骤中又包含许多参数，这些参数受到严密控制以确保获得稳定且精确的结果。然而，在集成电路制作过程的任意步骤中存在着会造成非刻意误差的物理因子。这些物理因子来自于基材本身的变异、制造设备中微小的机械性或光学性误差、灰尘与脏污以及环境变异。比如，轻微的校正不准而造成无法聚焦。在连续的晶圆或一个晶圆的各部位或上述两者中，制作过程中的误差可能是随着时间变化的函数。当不论是单一种误差或同时出现多种误差过多时，集成电路的特征便会出现缺陷。在大型集成电路晶圆的生产过程中，需要适时检测不同工艺过程中产生的晶圆缺陷问题。目前，晶圆缺陷监控方法是通过统计过程控制(StatisticalProcessControl,SPC)方法将缺陷数量异常的晶圆检测来，如图1所示，是晶圆级别缺陷数量趋势图。SPC方法是一种借助数理统计方法的过程控制工具。它对生产过程进行分析评价，根据反馈信息及时发现系统性因素出现的征兆，并采取措施消除其影响，使过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，其特征在于，提供一虚拟标准晶圆，及所述虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对所述晶圆执行一缺陷检测操作获得所述晶圆中缺陷位置；步骤S2，所述晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至所述虚拟坐标；步骤S3，根据所述虚拟坐标获得并记录所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置，得到每个所述晶粒的缺陷变化趋势。

【技术特征摘要】
1.一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，其特征在于，提供一虚拟标准晶圆，及所述虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对所述晶圆执行一缺陷检测操作获得所述晶圆中缺陷位置；步骤S2，所述晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至所述虚拟坐标；步骤S3，根据所述虚拟坐标获得并记录所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置，得到每个所述晶粒的缺陷变化趋势。2.如权利要求1所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，提供一时间轴，所述步骤S3中同时记录所述缺陷检测对应的加工工序对所述晶圆的加工时间，所述步骤S5中，根据所述时间轴统计每个所述晶粒发生缺陷的概率。3.如权利要求2所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，提供一临界值，当所述步骤S5中统计的当前的所述晶粒发生缺陷的概率超过所述临界值时进行报警。4.如权利要求1所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：步骤S21，通过拍摄获得所述晶圆的表面图像，确定所述缺陷位置；步骤S22，将所述缺陷位置代入所述虚拟坐标，以获得所述缺陷位置于所述虚拟坐标上的位置。5.如权利要求3所述的晶粒缺陷监控方法，其特征在于，所述步骤S3...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩超，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31