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本发明公开了一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，提供一虚拟标准晶圆，及虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及虚拟坐标与虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对晶圆执行一缺陷检测操作获得晶圆中缺陷位置；步骤S2...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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