【技术实现步骤摘要】
倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置
本专利技术涉及显示装置等领域,具体涉及一种倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置。
技术介绍
随着科技的不断发展,人们与电子设备的接触越来越频繁,对显示装置(或称显示屏)的要求也不断的变高。miniLED显示装置作为未来市场OLED显示装置(有机电致发光二极管显示装置)的强有力竞争产品,MiniLED显示装置具有高亮、柔性可弯曲、可制作高动态对比度显示技术、窄边框显示技术、异形显示技术等诸多优点,已成为市场研究热点。然而,目前miniLED显示装置在出光效率、混光均匀性、成本、模组厚度等方面与常规产品背光及OLED显示装置相比还有一些差距。就光效而言,miniLED显示装置采用柔性电路板(FlexiblePrintedCircuit简称FPC)或印制电路板(PrintedCircuitBoard,简称PCB)作为基板的直下式背光架构,由于材料的折射率差异,导致面光源一部分光线在光学膜片和基板之间被限制而无法出射,光线在光学膜片之间经多次折射和反射,导致光能的损失和光效的下降。即使在microLED显示装置或miniLED ...
【技术保护点】
1.一种倒装芯片,其特征在于,包括金属栅层,具有若干相互平行排列的金属线;晶片衬底,设于所述金属栅层的下方;N掺杂层及负极导线,均设于所述晶片衬底的下方;量子阱层,设于所述N掺杂层的下方;P掺杂层,设于所述量子阱层的下方;旋光物质层,设于所述P掺杂层的下方;反射层,设于所述旋光物质层的下方;正极导线,设于所述反射层的下方。
【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片,其特征在于,包括金属栅层,具有若干相互平行排列的金属线;晶片衬底,设于所述金属栅层的下方;N掺杂层及负极导线,均设于所述晶片衬底的下方;量子阱层,设于所述N掺杂层的下方;P掺杂层,设于所述量子阱层的下方;旋光物质层,设于所述P掺杂层的下方;反射层,设于所述旋光物质层的下方;正极导线,设于所述反射层的下方。2.根据权利要求1所述的倒装芯片,其特征在于,所述倒装芯片为蓝光倒装芯片、红光倒装芯片和绿光倒装芯片中的一种。3.根据权利要求2所述的倒装芯片,其特征在于,相对于所述晶片衬底,所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述红光倒装芯片中的排列方向,或所述金属线在所述蓝光倒装芯片中的排列方向垂直于所述金属线在所述绿光倒装芯片中的排列方向。4.根据权利要求1所述的倒装芯片,其特征在于,所述金属线为纳米线;所述纳米线选用银纳米线、铜纳米线、...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨勇,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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