一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、复合层、InGaN/GaN多量子阱层与P型GaN层时，复合层中N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr，此时N型低压AlN层与N型GaN层连接良好，N型低压AlN层的生长质量得到保证，且未掺杂AlGaN层既含有与AlN层共用的Al原子与N原子，又含有与InGaN/GaN多量子阱层中共用的Ga原子与N原子，因此未掺杂AlGaN层与InGaN/GaN多量子阱层的晶体质量都有保证。复合层中的N型低压AlN层在保证进入InGaN/GaN多量子阱层的电子数量的同时增大电子进入InGaN/GaN多量子阱层的面积，提高发光二极管的发光效率且复合层的整体晶体质量较好，发光二极管的发光效率能够得到较大提高。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片
本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片。
技术介绍
发光二极管具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。现有的发光二极管的外延片主要包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，其中N型AlGaN层可作为电子提供源，且由于N型AlGaN层有较高的势垒，因此N型AlGaN层可在提供电子的同时也起到电流扩展的作用，在保证进入InGaN/GaN多量子阱层的电子数量的同时增大电子进入InGaN/GaN多量子阱层的面积，提高发光二极管的发光效率。但在N型AlGaN层进行生长时，一方面由于N型AlGaN层与N型GaN层之间存在一定的晶格失配，使N型AlGaN层中会存在部分缺陷，N型AlGaN层中存在的这些缺陷都会对在N型AlGaN层上生长的InGaN/GaN多量子阱层的质量造成影响，使得N型AlGaN层的增加对发光二极管的发光效率的提高有限。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长复合层；在所述复合层上生长InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层上生长P型GaN层；其中，所述复合层包括依次生长的N型低压AlN层与未掺杂AlGaN层，所述N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长复合层；在所述复合层上生长InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层上生长P型GaN层；其中，所述复合层包括依次生长的N型低压AlN层与未掺杂AlGaN层，所述N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合层的生长厚度为50～180nm。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述N型低压AlN层的生长厚度为25～90nm。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述未掺杂AlGaN层的生长厚度为25～90nm。5.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，在生长所述N型低压AlN层时：向反应腔内通入100～200sccm的气态Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹阳，周盈盈，郭炳磊，乔楠，张武斌，吕蒙普，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32