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本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管技术领域。衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、复合层、InGaN/GaN多量子阱层与P型GaN层时，复合层中N型低压AlN层的生长压力为100～200Torr，此时N型低压...
该专利属于华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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