一种阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，包括基层、栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、第一刻蚀阻挡层以及源漏层；栅极设于基层上；栅极绝缘层至少覆盖于栅极上；半导体有源层设于栅极绝缘层远离栅极的一侧；第一刻蚀阻挡层设于半导体有源层远离栅极绝缘层的一侧，半导体有源层的两端相对于第一刻蚀阻挡层外露；源漏层包括源极和漏极，源极和漏极分别覆盖于第一刻蚀阻挡层的两端，源漏层并至少覆盖半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。半导体有源层的两端外露，源漏层覆盖于该外露部位之上，也即源漏层可以位于半导体有源层的边缘，此时源极和漏极的间距得以增大，使其与栅极的重叠面积减小，减小了源漏层与栅极之间产生的寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示设备领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示科技的日渐进步，平板显示成为人们不可缺少的必备品之一。主动式液晶显示器包括主动阵列基板，彩色滤光片基板以及与位于两基板之间的液晶层所构成。有机发光二极管显示器主要由主动阵列基板和有机发光二极管组成。两种显示方式均需要有稳定可靠的阵列基板。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是阵列基板的主要功能器件，制作TFT时，通常在刻蚀阻挡层上采用挖孔的方式，使半导体有源层部分露出，然后源漏极局部贯穿刻蚀阻挡层上的孔与半导体有源层的中部区域搭接，这样，源极和漏极与半导体有源层下方的栅极的重叠区域较大，会导致薄膜晶体管的寄生电容较大，不利于制作大尺寸高分辨显示器。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种阵列基板，旨在解决阵列基板的寄生电容较大的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种阵列基板，包括：基层；栅极，所述栅极设于所述基层上；栅极绝缘层，至少覆盖于所述栅极上；半导体有源层，所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露；以及源漏层，包括源极和漏极，分别覆盖于所述第一刻蚀阻挡层的两端，并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。在一个实施例中，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述源漏层，所述保护层并至少覆盖所述第一刻蚀阻挡层相对所述源漏层外露的部位。在一个实施例中，所述保护层还覆盖所述栅极绝缘层相对于所述半导体有源层和所述源漏层外露的部位。在一个实施例中，所述半导体有源层为非晶硅半导体有源层、多晶硅半导体有源层或氧化物半导体有源层。在一个实施例中，所述阵列基板还包括：第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层设于所述栅极绝缘层上，与所述第一刻蚀阻挡层及半导体有源层间隔设置，与所述栅极相互错位。在一个实施例中，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述源漏层，所述保护层并至少覆盖所述第二刻蚀层相对所述源漏层外露的部位。在一个实施例中，所述保护层还覆盖所述第一刻蚀阻挡层相对所述源漏层外露的部位。在一个实施例中，所述半导体有源层于所述栅极上的投影位于所述栅极的边界范围内。本专利技术的另一个目的在于提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术的再一个目的在于提供一种阵列基板，包括：基层；栅极，所述栅极设于所述基层上；栅极绝缘层，至少覆盖于所述栅极上；半导体有源层，所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧，所述半导体有源层为氧化物半导体有源层；第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露；第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层设于所述栅极绝缘层上，与所述第一刻蚀阻挡层及半导体有源层间隔设置，与所述栅极相互错位；以及源漏层，包括源极和漏极，分别覆盖所述第一刻蚀阻挡层的两端，并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。本专利技术提供的阵列基板的有益效果：该阵列基板将刻蚀阻挡层与半导体有源层的边缘对应的位置去除，使得刻蚀阻挡层只覆盖于半导体有源层需要保护的位置，也即半导体有源层的边缘内，使半导体有源层的两端外露，源漏层覆盖于该外露部位之上，也即源漏层可以位于半导体有源层的边缘，此时源极和漏极的间距得以增大，使其与栅极的重叠面积减小，减小了源漏层与栅极之间产生的寄生电容，提高相应显示面板的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或
技术介绍
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的一个实施例中的阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术的另一个实施例中的阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术的对比例中的阵列基板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。以下结合具体实施例及对比例对本专利技术的实现进行详细的描述。如图1-图2所示，本实施例提出了一种阵列基板，包括基层6、栅极2、栅极绝缘层1、半导体有源层、第一刻蚀阻挡层7以及源漏层5；栅极2设于基层6上；栅极绝缘层1至少覆盖于栅极2上；半导体有源层设于栅极绝缘层1远离栅极2的一侧；第一刻蚀阻挡层7设于半导体有源层远离栅极绝缘层1的一侧，半导体有源层的两端相对于第一刻蚀阻挡层7外露；源漏层5包括源极和漏极，源极和漏极分别覆盖于第一刻蚀阻挡层7的两端，源漏层5并至少覆盖半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层7外露的端部。在本专利技术的实施例中，半导体有源层的两端相对于第一刻蚀阻挡层7外露，将源漏层5的源极和漏极分别覆盖于第一刻蚀阻挡层7的两端，在保证源极和漏极电连接的情况下实现了源极和漏极向远离半导体有源层的中部的方向移动后，进而减小了源漏极与栅极2之间重叠的面积，最终实现寄生电容的减小。如图3所示，本专利技术的对比例提供的一种阵列基板，在刻蚀阻挡层4上开设连接通孔，源漏层5的源极和漏极通过该连接通孔实现与半导体有源层搭接，从而实现源极和漏极的电连接，但源漏层5的此种设置方式使得源漏层5与栅极2之间重叠的面积较大，进而导致寄生电容较大，不利于制作高分辨率显示器。而本专利技术的实施例中提供的阵列基板相对于对比例提供的阵列基板有效减少了源漏极与栅极2之间重叠的面积，进而实现寄生电容的减小，满足了大尺寸高分辨率显示器的制作要求。在一个实施例中，请参阅图2，阵列基板还包括保护层9，保护层9覆盖源漏层5，保护层9并至少覆盖第一刻蚀阻挡层7相对源漏层5外露的中部。保护层9完全覆盖源漏层5，以实现将源漏层5与外部隔离，保证源漏层5的电性安全；保护层9同步覆盖于第一刻蚀阻挡层7相对源漏层5外露的部分，具体为第一刻蚀阻挡层7的中部以实现对第一刻蚀层外露的部分进行保护。在一个实施例中，请参阅图2，保护层9还覆盖栅极绝缘层1相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基层；栅极，所述栅极设于所述基层上；栅极绝缘层，至少覆盖于所述栅极上；半导体有源层，所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露；以及源漏层，包括源极和漏极，分别覆盖于所述第一刻蚀阻挡层的两端，并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基层；栅极，所述栅极设于所述基层上；栅极绝缘层，至少覆盖于所述栅极上；半导体有源层，所述半导体有源层设于所述栅极绝缘层远离所述栅极的一侧；第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层设于所述半导体有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，所述半导体有源层的两端相对于所述第一刻蚀阻挡层外露；以及源漏层，包括源极和漏极，分别覆盖于所述第一刻蚀阻挡层的两端，并至少覆盖所述半导体有源层相对第一刻蚀阻挡层外露的端部。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层，所述保护层覆盖所述源漏层，所述保护层并至少覆盖所述第一刻蚀阻挡层相对所述源漏层外露的部位。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层还覆盖所述栅极绝缘层相对于所述半导体有源层和所述源漏层外露的部位。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层为非晶硅半导体有源层、多晶硅半导体有源层或氧化物半导体有源层。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层设于所述栅极绝缘层上，与所述第一刻蚀阻挡层及半导体有源层间隔设置，与所述栅极相互错位。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄北洲，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44