显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过先形成的第一薄膜晶体管的第一过孔，以露出部分第一半导体图案，并对第一过孔内的第一半导体图案处理后分别覆盖搭接源极和搭接漏极；再形成第二薄膜晶体管的第二过孔，以露出部分第二半导体图案，能够在降低第一薄膜晶体管的有源层与其源极和漏极之间接触阻抗的前提下，防止第一薄膜晶体管中第一半导体图案处理的过程，对第二薄膜晶体管的第二半导体图案造成破坏，使得第二半导体图案中形成不受控的载流子，进而影响第二薄膜晶体管的导通特性，进而提高显示面板中薄膜晶体管的性能，进而提高显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
现有的显示装置中有源驱动的显示装置包括液晶显示装置、有机发光显示装置和电泳显示装置等。显示装置通常包括显示区和非显示区，在非显示区中可设置走线、检测点、以及驱动电路等，而显示区中包括多个像素单元以及相应的像素电路。无论是有源驱动显示装置中非显示区的驱动电路，还是显示区像素电路中都设置有对应的薄膜晶体管，以使显示装置能够进行文字、图像等信息的显示。当前，显示装置中使用的薄膜晶体管主要为氧化物半导体的薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管。在显示装置中可根据薄膜晶体管所起作用不同，而采用不同类型的薄膜晶体管。例如显示装置中可同时包括低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管两种类型的薄膜晶体管。其中，LTPS薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅材料制作，氧化物半导体薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体材料制作。在显示装置的制程中，通常为节省制备工艺，而同时形成各薄膜晶体管的过孔，以使各薄膜晶体管的源极和漏极能够通过各自的过孔与各薄膜晶体管的有源层连接。但是，在制作同时具有LTPS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置时，源极和漏极成膜前需要使用氢氟酸(HF)清洗，去除LTPS薄膜晶体管中有源层表面的氧化层以便降低有源层与源漏极的接触阻抗，此清洗过程会对氧化物半导体薄膜晶体管有源层上暴露在外面用于与其源极和漏极接触的部分造成破坏，在氧化物半导体薄膜晶体管的有源层里面形成不受控的载流子，使氧化物半导体薄膜晶体管不受其栅极控制。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以免氧化物半导体薄膜晶体管受到破坏，同时不增加低温多晶硅薄膜晶体管中有源层和其源漏极的接触阻抗。第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底的上方；所述第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、搭接源极、搭接漏极、第一源极、第一漏极和第一绝缘层；所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二源极、第二漏极和第二绝缘层；所述第一绝缘层具有至少两个第一过孔，所述搭接源极和所述搭接漏极分别位于所述第一过孔内，且所述第一源极通过所述搭接源极与所述第一半导体图案连接，所述第一漏极通过所述搭接漏极与所述第一半导体图案连接；所述第二绝缘层具有至少两个第二过孔，所述第二源极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接，所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置，且材料相同。第二方面，本专利技术实施例提供了一种用于制备上述显示面板的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、搭接源极、搭接漏极、第一源极、第一漏极和第一绝缘层；所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二源极、第二漏极和第二绝缘层；其中，在所述衬底上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：在所述第一绝缘层上形成至少两个第一过孔，所述第一过孔露出部分所述第一薄膜晶体管的第一半导体图案；对所述第一过孔露出的部分所述第一半导体图案进行清洗；在所述第一过孔内分别形成与所述第一半导体图案连接的所述搭接源极和所述搭接漏极；在所述第二绝缘层上形成至少两个第二过孔，所述第二过孔露出部分所述第二薄膜晶体管的第二半导体图案；同时形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极通过所述搭接源极与所述第一半导体图案连接；所述第一漏极通过所述搭接漏极与所述第一半导体图案连接；所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，通过在衬底上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管过程中，先在第一薄膜晶体管的第一绝缘层上形成露出部分第一半导体图案的至少两个第一过孔，对该第一过孔内露出的部分第一半导体图案进行清洗，并对清洗后的第一半导体图案覆盖搭接源极和搭接漏极；再在第二薄膜晶体管的第二绝缘层上形成露出部分第二半导体图案的至少两个第二过孔；然后同时形成通过搭接源极和搭接漏极分别与第一半导体图案连接的第一源极和第一漏极，以及分别通过第二过孔与第二半导体图案连接的第二源极和第二漏极。以解决现有技术清洗显示面板中低温多晶硅薄膜晶体管的有源层表面的氧化层时，会对暴露的氧化物半导体薄膜晶体管的有源层造成破坏的问题，从而提高两种类型的薄膜晶体管的性能可靠性，提高显示装置的显示效果。附图说明图1～图7是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一种显示面板制备方法的流程图；图9是本专利技术实施例提供的一种显示面板中薄膜晶体管的制备方法的流程图；图10～图12是本专利技术提供的一种显示面板中薄膜晶体管的制备流程的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种显示面板中薄膜晶体管有源层的制备方法的流程图；图14～图16是是本专利技术实施例提供的一种显示面板中薄膜晶体管有源层的制备流程的结构示意图；图17是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板100包括衬底30，该衬底30用于为显示面板100中其它功能层提供支撑和保护；显示面板100中还设置有位于衬底30上方的两种类型的薄膜晶体管，即第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20。其中，第一薄膜晶体管10包括第一半导体图案11、搭接源极12、搭接漏极13、第一源极14、第一漏极15和第一绝缘层16；第二薄膜晶体管20包括第二半导体图案21、第二源极22、第二漏极23和第二绝缘层24。第一薄膜晶体管10的第一绝缘层16具有至少两个第一过孔(图中未示出)，搭接源极12和搭接漏极13分别位于第一过孔内，且第一源极14通过搭接源极12与第一半导体图案11连接，第一漏极15通过搭接漏极13与第一半导体图案11连接；第二薄膜晶体管20的第二绝缘层24具有至少两个第二过孔(图中未示出)，第二源极22通过第二过孔与第二半导体图案21连接，第二漏极23通过第二过孔与第二半导体图案21连接；其中，第一源极14、第一漏极15、第二源极22和第二漏极23同层设置，且材料相同。参考图1所示，显示面板100的第一薄膜晶体管10的第一绝缘层16上具有至少两个第一过孔(图中未示出)，该第一过孔能够露出第一薄膜晶体管10的部分第一半导体图案11，以使第一薄膜晶体管10的源极和漏极分别与第一半导体图案11连接。而通过第一过孔暴露的部分第一半导体图案11可能具有一层氧化层，该氧化层的存在将增加第一薄膜晶体管10的源极和漏极与第一半导体图案11的接触阻抗，进而影响第一薄膜晶体管10的导通特性。因此，在形成露出部分第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底的上方；所述第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、搭接源极、搭接漏极、第一源极、第一漏极和第一绝缘层；所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二源极、第二漏极和第二绝缘层；所述第一绝缘层具有至少两个第一过孔，所述搭接源极和所述搭接漏极分别位于所述第一过孔内，且所述第一源极通过所述搭接源极与所述第一半导体图案连接，所述第一漏极通过所述搭接漏极与所述第一半导体图案连接；所述第二绝缘层具有至少两个第二过孔，所述第二源极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接，所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置，且材料相同。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底的上方；所述第一薄膜晶体管包括第一半导体图案、搭接源极、搭接漏极、第一源极、第一漏极和第一绝缘层；所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二源极、第二漏极和第二绝缘层；所述第一绝缘层具有至少两个第一过孔，所述搭接源极和所述搭接漏极分别位于所述第一过孔内，且所述第一源极通过所述搭接源极与所述第一半导体图案连接，所述第一漏极通过所述搭接漏极与所述第一半导体图案连接；所述第二绝缘层具有至少两个第二过孔，所述第二源极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接，所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第二半导体图案连接；所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置，且材料相同。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体图案的材料包括多晶硅材料；所述第二半导体图案的材料包括氧化物材料。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体图案所在膜层位于所述第二半导体图案所在膜层靠近所述衬底一侧，所述第一半导体图案所在膜层与所述第二半导体图案所在膜层之间包括至少一层层间绝缘层；所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层部分和第二层间绝缘层部分，所述第一绝缘层包括所述第一层间绝缘层部分，所述第二半导体图案在所述衬底所在平面的投影位于所述第二层间绝缘层部分在所述衬底所在平面的投影内。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：第一金属图案和第二金属图案；所述第一金属图案包括所述第一薄膜晶体管的第一栅极；所述第二金属图案包括所述第二薄膜晶体管的第二栅极；所述第一金属图案所在膜层与所述第二金属图案所在膜层之间设置有至少一层栅绝缘层；所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层部分和第二栅绝缘层部分，所述第一绝缘层包括所述第一栅绝缘层部分，所述第二栅极在所述衬底所在平面的投影位于所述第二栅绝缘层部分在所述衬底所在平面的投影内。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一源极和所述第一漏极的材料与所述搭接源极和所述搭接漏极的材料相同。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管远离所述衬底一侧的阳极图案；所述阳极图案与所述第二源极或所述第二漏极连接；位于所述阳极图案远离所述衬底一侧的像素限定层；所述像素限定层设置有多个开口结构，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丹，郭林山，
申请(专利权)人：天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44