阵列基板及显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板及显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括具有一坡角的栅极和有源层；其中，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；本申请通过将所述有源层设置为弯折形，使得所述有源层在所述基板上的投影长度减小，减小了每一所述阵列基板中薄膜晶体管单元的面积，增加了所述阵列基板中薄膜晶体管单元的数量，提高了显示面板的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本申请涉及显示器领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
LCD(Liquidcrystaldisplays，液晶显示器)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。目前市场上小尺寸手机显示屏的显示分辨率在不断提高，并且随着虚拟显示VR的商业化越来越成熟，高分辨高刷新频率的显示产品成为未来发展的制高点。对于提高显示分辨率的关键在于不断缩小TFT器件的显示尺寸，而常规性的对TFT器件进行尺寸缩减，对于产品的可靠性提高挑战性很大。另外，在高分辨率的阵列基板制备过程中，沟道长度是一个关键因素，特别是对LCD和有机电致发光二极管显示器件中的驱动薄膜晶体管来说，其沟道长度可达几十微米，将占用较大的面积，不利于高分辨的实现。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有显示面板显示分辨率低的技术问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提供一种阵列基板，其包括：基板；位于所述基板上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一栅极，所述第一栅极包括第一斜面；位于所述第一栅极上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；位于所述有源层上的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；位于所述源极和所述漏极上的平坦层。在本申请的阵列基板中，所述源极与所述有源层的所述第一区域电连接，所述漏极与所述有源层的第三区域电连接。在本申请的阵列基板中，所述层间绝缘层上设有间隔设置的第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一区域电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第三区域电连接。在本申请的阵列基板中，所述第一区域包括有第一掺杂区，所述第三区域包括有第二掺杂区，所述源极通过第一过孔与所述第一掺杂区电连接，所述漏极通过第二过孔与所述第二参杂区电连接。在本申请的阵列基板中，所述第一栅极还包括与所述第一斜面对应的第二斜面。在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极同层间隔设置。在本申请的阵列基板中，所述第二栅极包括与所述第一斜面相对的第三斜面。在本申请的阵列基板中，所述有源层还包括与所述第三区域连接并与所述第三斜面平行的第四区域，及与所述第四区域连接并与所述基板平行的第五区域。在本申请的阵列基板中，所述第一区域包括第一掺杂区域，所述第五区域包括第三掺杂区域，所述源极与所述第一掺杂区电连接，所述漏极与所述第三参杂区电连接。在本申请的阵列基板中，所述第一栅极和第二栅极的剖面为梯形，所述第一栅极的剖面为与所述第一栅极以及所述第一栅极的长度方向垂直的截面，所述第二栅极的剖面为与所述第二栅极以及所述第二栅极的长度方向垂直的截面。本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板还包括上述阵列基板以及位于上述阵列基板上的阳极层、OLED层、阴极层、薄膜封装层、偏光片层、盖板。有益效果：本申请通过将所述有源层设置为弯折形，使得所述有源层在所述基板上的投影长度减小，减小了每一所述阵列基板中薄膜晶体管单元的面积，增加了所述阵列基板中薄膜晶体管单元的数量，提高了显示面板的分辨率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例一阵列基板的膜层结构图；图2为图1中栅极区域的放大膜层结构图；图3为图1中栅极区域的另一放大膜层结构图；图4为本申请实施例二阵列基板的膜层结构图；图5为图4中栅极区域的放大膜层结构图；图6为图4中栅极区域的另一放大膜层结构图；图7为本申请一种显示面板的膜层结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。实施例一图1所示为本申请优选实施例一种阵列基板的膜层结构图，其中，所述阵列基板包括基板101，以及位于所述基板上的柔性基板薄膜层102、缓冲层103、第一栅极104、栅绝缘层105、有源层106、间绝缘层107、源漏极层108以及平坦层109。本实施例中，所述基板101的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种，作为所述阵列基板的衬底基板。基板101并不是必要特征，在其他实施例中，也可不设置基板101。所述柔性基板薄膜层102形成于所述基板101上；优选的，所述柔性基板薄膜层102为聚酰亚胺薄膜，作为柔性显示面板的基底，所述柔性基板薄膜层102的厚度为10～20um；聚酰亚胺薄膜是目前世界上性能最好的薄膜类绝缘材料，具有较强的拉伸强度，由均苯四甲酸二酐和二胺基二苯醚在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。所述缓冲层103形成于所述柔性基板薄膜层102上，所述缓冲层103覆盖所述柔性基板薄膜层102，起保护作用，缓冲上层膜层向下的压力；所述缓冲层103的材料可以为氧化硅，或氧化硅与氮化硅的复合层结构，所述缓冲层103的厚度为300～800nm。所述第一栅极104形成于所述缓冲层103上，所述第一栅极104的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物，优选的，本实施例中所述第一栅极104的金属材料为钼，所述第一栅极104的优选厚度为500～1000nm；通过对形成所述第一栅极104的金属层使用第一光罩制程工艺，在该金属层上形成一光阻层，经掩模板(未画出)曝光，显影以及蚀刻的构图工艺处理后，使该金属层形成如图1所示的所述薄膜晶体管单元的所述第一栅极104，并剥离该光阻层；本实施例中，如图2所示，所述第一栅极104包括第一斜面aa和第二斜面bb；具体的，所述第一栅极104的剖面为梯形；其中，所述第一斜面与所述基板101的夹角为A，所述第二斜面与所述基板101的夹角为B，45°≤A＜90°，45°≤B＜90°；优选的，45°≤A≤80°，45°≤B≤80°，且夹角A和夹角B可以相等；另外，所述第一栅极104的剖面为与所述第一栅极104以及所述第一栅极104的长度方向垂直的截面。如图1或如图3所示，所述栅绝缘层105形成于所述第一栅极104上，将所述第一栅极104覆盖；所述栅绝缘层105主要用于将所述第一栅极104与其他金属层隔离；优选的，所述栅绝缘层105的材料通常为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。如图1或如图3所示，所述有源层106形成于所述栅绝缘层105上，所述有源层106由多晶硅构成；所述有源层106包括与所述基板101平行的第一区域1061、与所述第一斜面平行的第二区域1062、及与所述第二区域1062相连接并与所述基板平行的第三区域1063；本实施例中，所述有源层106还包括第一掺杂区1066和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一栅极，所述第一栅极包括第一斜面；位于所述第一栅极上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；位于所述有源层上的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；位于所述源极和所述漏极上的平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一栅极，所述第一栅极包括第一斜面；位于所述第一栅极上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括与所述基板平行的第一区域、与所述第一斜面平行的第二区域及与所述第二区域相连并与所述基板平行的第三区域；位于所述有源层上的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；位于所述源极和所述漏极上的平坦层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极与所述有源层的所述第一区域电连接，所述漏极与所述有源层的第三区域电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层上设有间隔设置的第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一区域电连接，所述漏极通过所述第二过孔与所述第三区域电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域包括有第一掺杂区，所述第三区域包括有第二掺杂区，所述源极通过第一过孔与所述第一掺杂区电连接，所述漏极通过第二过孔与所述第二参杂区电连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蹄遥，方宏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42