一种像素结构、阵列基板及TN型显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种像素结构、阵列基板及TN型显示面板，该像素结构包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第一绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。本实用新型专利技术提供的一种像素结构可以在保证像素结构开孔率的前提下有效增大存储电容。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构、阵列基板及TN型显示面板
本技术涉及了显示
，特别是涉及了一种像素结构、阵列基板及TN型显示面板。
技术介绍
随着TFT-LCD行业的不断发展，用户对显示面板的要求也越来越高，现有的显示面板一般包括TN型显示面板、IPS型显示面板等，在TN型显示面板的像素结构中，一般都是通过在同基板上形成重叠布置的像素电极层和公共电极层，从而形成存储电容，由于现有像素结构中像素电极层和公共电极层交叠位置不透光，从而为了保证开口率，如图1所示，现有的像素结构中公共电极层200’环绕像素电极层100’三面设置，像素的存储电容大小受到限制。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是能够有效保证TN型显示面板中像素结构的开口率同时有效增大存储电容。为解决上述技术问题，本技术提供了一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第二绝缘层上且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第二绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：基板；栅极层和公共电极层，形成于所述基板上；第一绝缘层，形成于所述栅极层、基板和公共电极层上；有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅极层设置；源极层和漏极层，形成于所述有源层上；第二绝缘层，形成于所述源极层、漏极层、第一绝缘层上；透明电极层，形成于所述第二绝缘层上且与所述公共电极层电性连接；第三绝缘层，形成于所述第二绝缘层和透明电极层上；透明像素电极层，形成于所述第三绝缘层上并与所述漏极层电性连接，且与所述透明电极层位置重叠形成存储电容。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志杰，李林，林建伟，庄崇营，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44