拼接式压印模板及其制备方法和母模板技术

本公开提供了一种拼接式压印模板的制备方法，该拼接式压印模板包括：相邻的第一拼接区域和第二拼接区域，制备方法包括：在衬底基板上的第一拼接区域内形成第一拼接压印图形；在第一拼接压印图形背向衬底基板的一侧表面形成牺牲层；在衬底基板上的第二拼接区域内形成第二模板胶；采用预定母模板对位于第二拼接区域内的第二模板胶进行图案化，部分第二模板胶溢出至牺牲层背向衬底基板的一侧；对第二模板胶进行固化和脱模；通过特定除膜工艺去除牺牲层，位于牺牲层背向衬底基板的一侧的第二模板胶脱落，位于第二拼接区域的第二模板胶构成第二拼接压印图形。本公开还提供了一种拼接式压印模板和母模板。

【技术实现步骤摘要】
拼接式压印模板及其制备方法和母模板
本公开涉及纳米压印
，特别涉及拼接式压印模板及其制备方法和母模板。
技术介绍
在制备大尺寸压印模板时，需要采用拼接压印用子图形的方式来形成压印用图形层，拼接方式包括：分离式拼接方式和重叠式拼接方式。其中，当采用分离式拼接方式时得到的压印用图形层具有较宽的拼接缝，当采用重叠式拼接方式时在溢胶区域(Overlap)具有较高的拼接段差。由此可见，现有的拼接方式制备出的压印用图形层存在明显不良。
技术实现思路
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种拼接式压印模板及其制备方法和母模板。第一方面，本公开实施例提供了一种拼接式压印模板的制备方法，所述拼接式压印模板包括：相邻的第一拼接区域和第二拼接区域，所述制备方法包括：在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形；在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内且靠近所述第二拼接区域的预定溢胶区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为：在特定除膜工艺下，所述牺牲层被去除，而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留；在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶；采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化，部分所述第二模板胶溢出至所述牺牲层背向所述衬底基板的一侧；对所述第二模板胶进行固化和脱模；通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层，位于牺牲层背向所述衬底基板的一侧的所述第二模板胶脱落，位于所述第二拼接区域的所述第二模板胶构成所述第二拼接压印图形。在一些实施例中，所述牺牲层覆盖所述第一拼接区域。在一些实施例中，在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化之后，位于所述牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶与位于所述第二拼接区域内的第二模板胶分离。在一些实施例中，所述牺牲层的材料包括：可降解材料；所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤具体包括：通过降解工艺将所述牺牲层降解。在一些实施例中，所述可降解材料包括：可降解型压印胶。在一些实施例中，所述牺牲层的材料包括：水溶性材料；所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤具体包括：通过水溶剂溶解所述牺牲层。在一些实施例中，所述水溶性材料包括：聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种。在一些实施例中，所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤之后还包括：对所述压印模板进行干燥处理。在一些实施例中，所述预定母模板包括：第一压印结构和第二压印结构；所述第一压印结构包括：支撑层和压印图形层，所述支撑层具有支撑面和与所述支撑面相交的侧面，所述压印图形层位于所述支撑面上；所述第二压印结构位于所述支撑层的侧面，且所述第二压印结构位于所述支撑面所在平面背向所述压印图形层的一侧；所述采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的步骤具体包括：将所述预定母模板与所述第二模板胶正对，其中所述第一压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二拼接区域，所述第二压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述预定溢胶区域；利用所述预定母模板对所述第二模板进行压印，以对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化。在一些实施例中，在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的过程中，所述第一压印结构朝向所述第二压印结构的侧面，与所述第一拼接压印图形朝向所述第二拼接区域的侧面，该两个侧面位于同一平面上。第二方面，本公开实施例提供了一种压印模板，采用上述的制备方法制备出。第三方面，本公开实施例提供了一种母模板，包括：第一压印结构和第二压印结构；所述第一压印结构包括：支撑层和压印图形层，所述支撑层具有支撑面和与所述支撑面相交的侧面，所述压印图形层位于所述支撑面上；所述第二压印结构位于所述支撑层的侧面，且所述第二压印结构位于所述支撑面所在平面背向所述压印图形层的一侧。在一些实施例中，所述第二压印结构朝向所述支撑面所在平面的表面为平面。在一些实施例中，所述第一压印结构和第二压印结构一体成型。附图说明图1为现有技术中采用重叠式拼接方式制备压印模板时的截面示意图；图2为本公开中在相邻两个拼接区域分别形成对应的拼接压印图形的制备方法流程图；图3为本公开中在第一拼接区域内形成第一拼接压印图形时的一种截面示意图；图4为本公开中在第一拼接压印图形上形成牺牲层时的一种截面示意图；图5为本公开中在第二拼接区域内形成第二模板胶时的一种截面示意图；图6a为对第二模板胶进行图案化时的一种截面示意图；图6b为对第二模板胶进行图案化时的另一种截面示意图；图7为预定母模板与第二模板胶分离时的一种截面示意图；图8为通过特定除膜工艺去除牺牲层后得到第一拼接压印图形和第二拼接压印图形的一种截面示意图；图9为本公开实施例提供的一种母模板的截面示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的拼接式压印模板及其制备方法和母模板进行详细描述。在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。将理解的是，虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。因此，在不背离本公开的指教的情况下，下文讨论的第一元件、第一组件或第一部件可称为第二元件、第二组件或第二部件。本文所述实施例可借助本公开的理想示意图而参考平面图和/或截面图进行描述。因此，可根据制造技术和/或容限来修改示例图示。因此，实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图中所示区的形状例示了元件的区的具体形状，但并不旨在是限制性的。除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义，且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义，除非本文明确如此限定。图1为现有技术中采用重叠式拼接方式制备压印模板时的截面示意图，如图1所示，其中在相邻两个拼接区域内分别依次形成压印拼接图形的过程大致如下。首先，在其中一个拼接区域内形成对应的一个压印拼接图形1；然后，在另一拼接区域内各位置均匀涂布模板胶2；接着，使用一个母模板3来对模板胶2进行图案化。其中，在利用母模板3对模板胶2进行图案化的过程中，不可避免的会发生溢胶，部分模板胶溢出至压印拼接图形1的表面，压印拼接图形1上对应预定溢胶区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拼接式压印模板的制备方法，其特征在于，所述拼接式压印模板包括：相邻的第一拼接区域和第二拼接区域，所述制备方法包括：在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形；在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内且靠近所述第二拼接区域的预定溢胶区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为：在特定除膜工艺下，所述牺牲层被去除，而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留；在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶；采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化，部分所述第二模板胶溢出至所述牺牲层背向所述衬底基板的一侧；对所述第二模板胶进行固化和脱模；通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层，位于牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶脱落，位于所述第二拼接区域的所述第二模板胶构成所述第二拼接压印图形。

【技术特征摘要】
1.一种拼接式压印模板的制备方法，其特征在于，所述拼接式压印模板包括：相邻的第一拼接区域和第二拼接区域，所述制备方法包括：在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形；在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内且靠近所述第二拼接区域的预定溢胶区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为：在特定除膜工艺下，所述牺牲层被去除，而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留；在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶；采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化，部分所述第二模板胶溢出至所述牺牲层背向所述衬底基板的一侧；对所述第二模板胶进行固化和脱模；通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层，位于牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶脱落，位于所述第二拼接区域的所述第二模板胶构成所述第二拼接压印图形。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层覆盖所述第一拼接区域。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化之后，位于所述牺牲层背向所述衬底基板一侧的所述第二模板胶与位于所述第二拼接区域内的第二模板胶分离。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：可降解材料；所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括：通过降解工艺将所述牺牲层降解。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述可降解材料包括：可降解型压印胶。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括：水溶性材料；所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括：通过水溶剂溶解所述牺牲层。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述水溶性材料包括：聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭伟，郭康，谷新，张笑，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11