【技术实现步骤摘要】
一种草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备的清洗工艺
本专利技术涉及电子浆料
,具体涉及一种草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备的清洗工艺。
技术介绍
在LCD(液晶显示器)、ELD(电致发光显示器)等FPD(平板显示器)显示装置中,透明导电膜主用于像素显示电极中。ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)为氧化物膜系透明导电膜的常用材料。ITO、IZO的显示电极的加工方法中需要用到以ITO蚀刻液,目前市面上主流的草酸型ITO蚀刻液应其价格低廉、使用过程中无挥发性酸雾,对人体健康威胁小,而广受行业内外欢迎。草酸型蚀刻液与ITO膜的作用机理是通过草酸的螯合效应,将ITO、IZO的主要成分铟络合形成草酸铟从而进行溶解蚀刻。上述蚀刻液的长期连续使用,会导致草酸铟不能完全溶解在蚀刻液中并沉积在湿法蚀刻的装置内,具体的草酸铟结晶会沉积到配管、阀门、过滤器、泵、喷嘴、基板转移辊、蚀刻机台、缓冲液罐内壁等位置,沉积草酸铟的装置会影响后续蚀刻效果。传统去除草酸铟的方法包括水流冲洗、人工铲除等。CN101876076A公开了一种草酸铟溶解剂组合物及其清洗方法,组合物中包含碱性成分以及从氨基多羧酸及 ...
【技术保护点】
1.一种草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,主要组分包含碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水,草酸铟溶解剂组合物的pH值为8~12;碱性组分为选自能电离生成K+的强碱弱酸盐中的一种或两种以上的组合,或者由季铵碱与至少一种能电离生成K+的强碱弱酸盐组合而成。
【技术特征摘要】
1.一种草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,主要组分包含碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水,草酸铟溶解剂组合物的pH值为8~12;碱性组分为选自能电离生成K+的强碱弱酸盐中的一种或两种以上的组合,或者由季铵碱与至少一种能电离生成K+的强碱弱酸盐组合而成。2.根据权利要求1所述的草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,草酸铟溶解剂组合物中碱性组分的重量百分比为3~15%;草酸铟溶解剂组合物中螯合剂的重量百分比为3~15%。3.根据权利要求1所述的草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,螯合剂为选自L-天门冬氨酸、L-谷氨酸、氨三乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸。4.根据权利要求1所述的草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,草酸铟溶解剂组合物中还含有能电离生成Cl-的氯化物,氯化物为选自氯化氢、氯化钾、氯化钠和氯化铵中的一种或者两种以上的组合。5.根据权利要求4所述的草酸铟溶解剂组合物,其特征在于,草酸铟溶解剂组合物中氯...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐杨,邵勇,陈林,承明忠,李涛,殷福华,赵文虎,朱龙,
申请(专利权)人:江阴江化微电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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