清洗终点监测方法以及监测装置制造方法及图纸

本申请提供的清洗终点监测方法以及清洗终点监测装置，包括：对反应腔室中的载板进行清洗将预设光线射入至载板的预设位置上，判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，若反射光线满足预设条件，则结束对载板进行清洗。通过判断预设光线对应的反射光线是否满足预设条件，当反射光线满足预设条件时，则结束对载板进行清洗，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
清洗终点监测方法以及监测装置
本申请涉及显示
，具体涉及一种清洗终点监测方法以及监测装置。
技术介绍
当前无机物薄膜主要是通过等离子体增强型化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)制成，在设备反应腔室中成膜工艺时，膜层同样也会在反应腔室的四壁和重要的部件中沉积。随着时间的积累，当薄膜厚度足够厚时，由于压力增大薄膜会发成剥落，作为发尘源会污染反应腔室，致使产品发生不良。为了避免这种情况发生，设备会定期对反应腔室进行清洁。传统的清洁方法将清洁气体注入反应腔室中并且激发等离子体，为确保反应腔室内部的膜被完全清洗干净，需要根据技术员经验设置一定的清洗时间，根据该清洗时间进行清洗。但这种方法无法精准的确定清洗时间，因此，清洗效率不佳。并且，当清洗时间过短时，反应腔室中的颗粒物没有被清洗干净，会造成污染，从而降低了反应腔室中产品的良率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种清洗终点监测方法，不仅可以提高清洗效率，并且还可以提高反应腔室中产品的良率。本申请提供了一种清洗终点监测方法，包括：对反应腔室中的载板进行清洗；将预设光线射入至所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗终点监测方法，其特征在于，包括：对反应腔室中的载板进行清洗；将预设光线射入至所述载板的预设位置上；判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；若所述反射光线满足预设条件，则结束对所述载板进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种清洗终点监测方法，其特征在于，包括：对反应腔室中的载板进行清洗；将预设光线射入至所述载板的预设位置上；判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件；若所述反射光线满足预设条件，则结束对所述载板进行清洗。2.根据权利要求1所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：检测所述反射光线的光强度，得到反射光强；判断所述反射光强是否大于或等于第一预设阈值；若所述反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述反射光线满足预设条件。3.根据权利要求1所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述判断所述预设光线对应的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：检测所述预设光线的光强度，得到预设光强；判断所述反射光强与所述预设光强之间的比值是否大于或等于第二预设阈值；若所述反射光强与所述预设光强之间的比值大于或等于第二预设阈值，则判断所述预设光线对应的反射光线满足预设条件。4.根据权利要求2所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述预设位置包括第一预设位置、第二预设位置、第三预设位置以及第四预设位置，所述判断所述预设位置上的反射光线是否满足预设条件的步骤，包括：分别检测所述第一预设位置的反射光线的光强度、所述第二预设位置的反射光线的光强度、所述第三预设位置的反射光线的光强度以及所述第四预设位置的反射光线的光强度，得到第一反射光强、第二反射光强、第三反射光强以及第四反射光强；当所述第一反射光强、所述第二反射光强以及所述第三反射光强均大于或等于第一预设阈值时，判断所述第四反射光强是否大于或等于第一预设阈值；若所述第四反射光强大于或等于第一预设阈值，则判断所述预设位置上的反射光线满足预设条件。5.根据权利要求4所述的清洗终点监测方法，其特征在于，所述第一预设位置、所述第二预设位置、所述第三预设位置以及所述第四预设位置分别位于所述载板的四个边角。6.根据权利要求2所述的清洗终点监测方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛鑫，金映秀，余俊杰，江扬，左飞，金东焕，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42