一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法。本发明专利技术可达到光电流密度有明显的提高，包括以下步骤：1将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌得到CuWO4前驱体溶胶；2将FTO导电玻璃在步骤1中制得的CuWO4前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将样品退火处理，得到CuWO4薄膜；3通过NiSO4制得NiOOH沉积液；4进行电化学沉积处理得到CuWO4/NiOOH，随后用无水乙醇、蒸馏水反复冲洗，烘干，得到三维花状的CuWO4/NiOOH复合薄膜。本发明专利技术制备方法简单可行，原料成本低，光电流密度明显提高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法
本专利技术属于光电催化
，特别涉及一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法。
技术介绍
传统的石油和化石能源的消费引起了地球温暖化、环境污染和能源短缺等问题，是当前人类所面临的重大挑战。在此背景下，以低能耗、低污染为基础的“低碳经济”正成为全球关心和研究的热点。氢气作为一种高效清洁的二次能源载体，被誉为“未来的石油”。因此，开发和利用无污染的氢能源是实现低碳经济的一种途径。开发无污染、低成本的制氢技术日益受到各国的高度关注。早在1972年，日本东京大学的Fujishima和Honda发现在n型半导体TiO2作为光电阳极受光照后分解水产生氢气的现象。自此，半导体光电催化技术凭借其廉价、无二次污染、稳定性好等优点在人类利用太阳能解决当前能源危机和治理环境污染方面有着很大的应用前景。然而，目前一些传统的光阳极材料如TiO2，ZnO，WO3等光电化学转换效率受限于其对可见光利用率低，载流子迁移率低和稳定性差等不足导致的较低的光电流密度以及较高的开启电位。CuWO4作为一种新型的双金属氧化物光阳极材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，室温下磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌后得到CuWO4前驱体溶胶；(2)将干净的FTO导电玻璃在步骤(1)中制得的CuWO4前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将烘干的样品退火处理，得到CuWO4薄膜；(3)通过NiSO4制得NiOOH沉积液；(4)以步骤(2)制得的CuWO4薄膜为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，电解液为步骤(3)所制得的NiOOH沉积液，进行电化学沉积处理，得到CuWO4/NiOOH；随后将...

【技术特征摘要】
1.一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将偏钨酸铵加入到无水乙醇中，室温下磁力搅拌，加入氯化铜，继续搅拌后得到CuWO4前驱体溶胶；(2)将干净的FTO导电玻璃在步骤(1)中制得的CuWO4前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥；重复镀膜，将完成二次镀膜的FTO导电玻璃干燥；将烘干的样品退火处理，得到CuWO4薄膜；(3)通过NiSO4制得NiOOH沉积液；(4)以步骤(2)制得的CuWO4薄膜为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极，电解液为步骤(3)所制得的NiOOH沉积液，进行电化学沉积处理，得到CuWO4/NiOOH；随后将CuWO4/NiOOH用无水乙醇、蒸馏水反复冲洗，烘干，得到三维花状的CuWO4/NiOOH复合薄膜。2.根据权利要求1所述的一种用于光电催化的三维花状的CuWO4/NiOOH薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，偏钨酸铵的用量为1.48～4.43g，无水乙醇用量为50mL，磁力搅拌条件为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志华，周苗，刘志锋，
申请(专利权)人：天津城建大学，
类型：发明
国别省市：天津,12