一种半导电屏蔽高分子薄膜制造技术

技术编号:20126440 阅读:50 留言:0更新日期:2019-01-16 13:52
本发明专利技术提供一种半导电屏蔽高分子薄膜,薄膜采用内、中、外三层结构,内层通过粘附层与铝带结合,内层采用至少95%比重的EAA,中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种,外层采用EVA和导电炭黑,本发明专利技术申请所提供的薄膜采用三层结构,其中,外层为半导电层,提供屏蔽功能;中层为增强层,保障薄膜的机械强度;内层与铝带结合的部分为粘附层,提供薄膜与铝带之间的粘合力以保证稳定的粘合效果。

A Semiconductive Shielding Polymer Film

The invention provides a semi-conductive shielding polymer film, which adopts three layers of structure: inner layer, middle layer and outer layer. The inner layer is combined with aluminium strip through adhesive layer. The inner layer adopts EAA of at least 95% specific gravity, the middle layer adopts at least one of LLDPE and EVA, and the outer layer adopts EVA and conductive carbon black. The film provided by the invention adopts three layers of structure, in which the outer layer is semi-conductive layer. The shielding function; the middle layer is the reinforcement layer, which ensures the mechanical strength of the film; the inner layer and the aluminum strip are the adhesion layer, which provides the adhesion between the film and the aluminum strip to ensure the stable bonding effect.

【技术实现步骤摘要】
一种半导电屏蔽高分子薄膜
本专利申请属于线缆生产
,更确切地说是提供一种半导电屏蔽高分子薄膜。
技术介绍
为了满足线缆防护和屏蔽要求,减少防护材料的局部放电,需要制作半导电铝塑复合带,例如由铝带骨架和半导电屏蔽高分子薄膜形成层状复合材料,要求高分子薄膜表面电阻率小于1*104欧姆,薄膜与铝带基材的剥离强度大于10兆帕,薄膜邵氏硬度小于80°,厚度0.04-0.15毫米,并具备较高的拉伸强度。
技术实现思路
本专利申请提供一种半导电屏蔽高分子薄膜,其增加了薄膜与铝带之间具有较强的粘合力以保证稳定的粘合效果,从而在生产过程中确保产品质量的稳定性,为了达到上述目的,采用以下技术方案:薄膜采用内、中、外三层结构,内层通过粘附层与铝带结合,内层采用至少95%比重的EAA,中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种,外层采用EVA和导电炭黑。优选地,内层、中层、外层的厚度比为(0.01-0.05):(0.02-0.05):(0.01-0.05)。优选地,中层LLDPE、EVA的成分比为(75-83):(15-23)。优选地,外层还采用了分散剂,EVA、导电炭黑、分散剂的比重比为(58-62):(32-37):(1-10)。有益效果:本专利申请所提供的薄膜采用三层结构,其中,外层为半导电层,提供屏蔽功能;中层为增强层,保障薄膜的机械强度;内层与铝带结合的部分为粘附层,提供薄膜与铝带之间的粘合力以保证稳定的粘合效果。具体实施方式薄膜采用内、中、外三层结构,三层结构一次吹塑成型,内层通过粘附层与铝带结合,内层、中层、外层的厚度比为(0.01-0.05):(0.02-0.05):(0.01-0.05)。内层采用至少95%比重的EAA以及0-5%的防老剂,内层与铝带结合,其结合部分为粘附层,本专利申请中,内层采用98%的EAA以及2%的防老剂,成膜后薄膜整体与铝带的剥离强度大于10兆帕。中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种,还添加防老剂成分,中层LLDPE、EVA以及防老剂的成分比为(75-83):(15-23):2,成膜后抗拉强度大于15兆帕,断裂伸长率大于500%。外层采用EVA和导电炭黑,还采用了分散剂,EVA、导电炭黑、分散剂的比重比为(58-62):(32-37):(1-10),成膜后表面电阻率小于1*104欧姆。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导电屏蔽高分子薄膜,薄膜采用内、中、外三层结构,内层通过粘附层与铝带结合,其特征在于:内层采用至少95%比重的EAA,中层采用 LLDPE、EVA二者中的至少一种,外层采用EVA和导电炭黑。

【技术特征摘要】
1.一种半导电屏蔽高分子薄膜,薄膜采用内、中、外三层结构,内层通过粘附层与铝带结合,其特征在于:内层采用至少95%比重的EAA,中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种,外层采用EVA和导电炭黑。2.根据权利要求1所述的一种半导电屏蔽高分子薄膜,其特征在于:内层、中层、外层的厚度比为(0.01-0.05):(0.02-...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁齐阳
申请(专利权)人:无锡速达新材料科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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