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本发明提供一种半导电屏蔽高分子薄膜，薄膜采用内、中、外三层结构，内层通过粘附层与铝带结合，内层采用至少95%比重的EAA，中层采用LLDPE、EVA二者中的至少一种，外层采用EVA和导电炭黑，本发明申请所提供的薄膜采用三层结构，其中，外层为...
该专利属于无锡速达新材料科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡速达新材料科技股份有限公司授权不得商用。

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