The invention discloses a manufacturing method of encapsulated shell for controlling the hydrogen content inside the cavity, which includes mechanical processing of Kovar alloy material into Kovar shell, first vacuum baking of Kovar shell, brazing the vacuum baked Kovar shell and feed assembly into Kovar sintered parts, second vacuum baking of Kovar sintered parts, and vacuum baking of Kovar sintered parts. The knots were treated with nickel plating, the nickel plated KOVAR sintered parts were vacuum baked for the third time, and the vacuum baked KOVAR sintered parts were gold plated to make KOVAR package. The manufacturing method of the encapsulated shell for controlling the hydrogen content in the cavity can effectively control the hydrogen content in the cavity of the Kovar shell within 500 ppm, and the hydrogen removal structure is simple and the cost is low.
【技术实现步骤摘要】
一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法
本专利技术涉及电子封装
,具体涉及一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法。
技术介绍
氢效应是氢引起的砷化镓等半导体芯片和微波电路性能退化的效应。随着封装器件环境可靠性的要求提升,近年来封装有砷化镓等有源芯片电路的器件密封等级逐年提高,导致从外壳材料中逸散出来的氢无法释放,在封装腔体内部不断累积。在传统的可伐封装外壳制造过程中,可伐外壳的壳体在氢气的气氛下脱碳处理后,通过焊料将相关的馈通组件在氮氢混合气的还原气氛保护下钎焊成烧结件,对钎焊成一体烧结件进行表面电镀镍和金处理,最终成为应用于电子封装的可伐封装外壳。其中,脱碳处理是在氢气氛保护下进行的,而馈通组件与壳体钎焊一般是采用氮气与氢气的混合气氛下进行的,脱碳处理和钎焊过程均使得可伐材料在较高的温度下与氢气发生相关的物理化学作用,高温下氢扩散到材料基体内使得可伐材料吸氢。镀覆镍金过程中,可伐材料一般需经过酸洗,酸与可伐表面氧化膜发生化学反应,与可伐产生电化学作用,整个过程相当于可伐材料在酸中浸泡充氢,在可伐材料镀覆等过程中会伴随着氢气等副反应的发生。基于上述分析,传统的可伐封装外壳制造过程中氢的引入不可能避免,因此按照传统方法制造的可伐封装外壳腔体内部的氢含量高(大于2000ppm)。专利申请号为201710424083.0的专利技术专利公开了一种可伐封装外壳的分段式除氢工艺方法。该方法先是通过在外壳镀完镍、金之后在氮气保护气氛的烘箱中进行较低温度、较短时间(相较于常规125℃烘烤168小时或者250℃烘烤48小时)的烘烤,在外壳镀前烘烤工艺段采用的300 ...
【技术保护点】
1.一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)对可伐合金材料利用机械加工成可伐壳体;(2)对可伐壳体进行第一次真空烘烤;(3)将真空烘烤过的可伐壳体与馈通组件进行钎焊成可伐烧结件;(4)将可伐烧结件进行第二次真空烘烤;(5)将真空烘烤过的可伐烧结件进行镀镍处理;(6)将镀镍处理过的可伐烧结件进行第三次真空烘烤;(7)将真空烘烤过的镀镍可伐烧结件进行镀金处理,成为可伐封装外壳。
【技术特征摘要】
1.一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)对可伐合金材料利用机械加工成可伐壳体;(2)对可伐壳体进行第一次真空烘烤;(3)将真空烘烤过的可伐壳体与馈通组件进行钎焊成可伐烧结件;(4)将可伐烧结件进行第二次真空烘烤;(5)将真空烘烤过的可伐烧结件进行镀镍处理;(6)将镀镍处理过的可伐烧结件进行第三次真空烘烤;(7)将真空烘烤过的镀镍可伐烧结件进行镀金处理,成为可伐封装外壳。2.根据权利要求1所述的一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法,其特征在于:所述步骤(2)中的真空烘烤工艺是以15℃/min升温速率从室温升温至800℃-1000℃,保温8-10h后随炉冷却至50℃以下后取出可伐壳体。3.根据权利要求1所述的一种控制腔体内部氢含量的封装外壳制造方法,其特征在于:所述步骤(2)、步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟永辉,方军,夏明旷,杨磊,丁小聪,史常东,
申请(专利权)人:合肥圣达电子科技实业有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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