执行编程操作的非易失性存储器件及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器件及其操作方法。非易失性存储器件包括：层叠的多个字线；垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部处，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线。

Nonvolatile Memory Device for Programming Operations and Its Operating Method

The invention discloses a non-volatile memory device and its operation method. Non-volatile memory devices include: overlapping multiple word lines; vertical channel areas, which are suitable for forming unit strings together with word lines; and voltage suppliers, which are suitable for supplying multiple biases required for programming operations on word lines, where negative bias is applied to the end of the pulse section applied to the programming voltage of the selected word lines adjacent to the selected word lines. Near word line.

【技术实现步骤摘要】
执行编程操作的非易失性存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月29日提交的名称为“PROGRAMMINGMETHODFORREDUCINGCHARGE-TRAPPINGBETWEENADJACENTWORDLINES”的美国临时专利申请No.62/526,632的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，并且更具体地，涉及一种执行编程操作的非易失性存储器件。
技术介绍
由于近来计算环境的变化，便携式电子设备(诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑)的使用迅速增加。这些便携式电子设备通常使用具有存储器件(即，数据储存器件)的存储系统。数据储存器件被用作便携式电子设备的主存储器件或辅助存储器件。使用存储器件的数据储存器件由于没有移动部件而提供良好的稳定性、耐用性、高信息访问速度和低功耗。具有这些优点的数据储存器件的示例包括通用串联总线(USB)存储器件、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。
技术实现思路
各种实施例针对一种非易失性存储器件，其能够抑制由于在编程操作中产生的边缘场而由邻近字线之间的区域中俘获的电荷引起的单元阈值电压的移位(即，Z-干扰)。在一个实施例中，一种非易失性存储器件包括：层叠的多个字线；垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部处，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线。在一个实施例中，一种用于操作具有形成单元串的多个字线的非易失性存储器件的方法包括：将编程电压施加到选中的字线并且将通过电压施加到未选中的字线；以及在将编程电压施加到选中的字线的同时，将负偏压施加到未选中的字线之中与选中的字线相邻设置的邻近字线。附图说明图1是示出根据一个实施例的包括存储系统的数据处理系统的示图。图2是示出图1所示的存储系统中的存储器件的示图。图3是示出根据一个实施例的存储器件中的存储块的电路图。图4至图11是示意性地示出图2所示的存储器件的示图。图12是示出根据本专利技术的一个实施例的非易失性存储器件的编程操作中的线偏置的示图。图13A是示出图12所示的编程操作中的偏置波形的示图。图13B是示出根据本专利技术的一个实施例的非易失性存储器件的编程操作的流程图。图13A是示出图12所示的非易失性存储器件的改进示例的示图。图14至图22是示意性地示出根据本专利技术的各种实施例的图1所示的数据处理系统的示例性应用的示图。具体实施方式下面将参考附图更详细地描述各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，在本专利技术的各个附图和实施例中，相同的附图标记指代相同的部件。图1是示出根据一个实施例的包括存储系统的数据处理系统的框图。参考图1，数据处理系统100可以包括主机102和存储系统110。主机102可以包括：例如，诸如移动电话、MP3播放器和膝上型电脑的便携式电子设备，或者诸如台式电脑、游戏机、电视机和投影仪的电子设备。存储系统110可以响应于来自主机102的请求而操作，并且具体地，储存要由主机102访问的数据。即，存储系统110可以用作主机102的主存储系统或辅助存储系统。根据与主机102电耦接的主机接口的协议，存储系统110可以用各种储存器件中的任意一种来实现。存储系统110可以用各种存储器件(诸如固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、缩小尺寸MMC(RS-MMC)和微型MMC、安全数字(SD)卡、迷你SD、微型SD、通用串联总线(USB)储存器件、通用快闪储存(UFS)器件、紧凑式闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡、记忆棒等)中的任何一种来实现。用于存储系统110的储存器件可以用易失性存储器件(诸如：动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM))或者非易失性存储器件(诸如：只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电式随机存取存储器(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)和电阻式RAM(RRAM))来实现。存储系统110可以包括储存要由主机102访问的数据的存储器件150以及可以控制存储器件150中的数据的储存的控制器130。控制器130和存储器件150可以被集成到一个半导体器件中。例如，控制器130和存储器件150可以被集成到一个半导体器件中而配置固态驱动器(SSD)。当存储系统110被用作SSD时，与存储系统110电耦接的主机102的操作速度可以显著增加。控制器130和存储器件150可以被集成到一个半导体器件中而配置存储卡。控制器130和存储器件150可以被集成到一个半导体器件中而配置存储卡(诸如个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡(SMC)、记忆棒、多媒体卡(MMC)、RS-MMC、微型MMC、安全数字(SD)卡、迷你SD、微型SD、SDHC和通用快闪储存(UFS)器件)。又例如，存储系统110可以配置计算机、超移动PC(UMPC)、工作站、上网本、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板电脑、平板电脑、无线电话、移动电话、智能电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航设备、黑匣子、数码相机、数字多媒体广播(DMB)播放器、三维(3D)电视、智能电视、数字录音机、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字录像机、数字视频播放器、配置数据中心的储存器、能够在无线环境下发送和接收信息的设备、配置家庭网络的各种电子设备之一、配置计算机网络的各种电子设备之一、配置远程信息处理网络的各种电子设备之一、RFID设备或者配置计算系统的各种组成元件之一。存储系统110的存储器件150可以在电源中断时保留所储存的数据，并且具体地，在写入操作期间储存从主机102提供的数据，并且在读取操作期间将所储存的数据提供给主机102。存储器件150可以包括多个存储块152、154和156。存储块152、154和156中的每个存储块可以包括多个页。每个页可以包括电耦接到多个字线(WL)的多个存储单元。存储器件150可以是非易失性存储器件(例如，快闪存储器)。快闪存储器可以具有三维(3D)层叠结构。稍后将参考图2至图11来详细描述存储器件150的结构和存储器件150的三维(3D)层叠结构。存储系统110的控制器130可以响应于来自主机102的请求而控制存储器件150。控制器130可以将从存储器件150读取的数据提供给主机102，并且将从主机102提供的数据储存到存储器件150中。因此，控制器130可以控制存储器件150的整体操作(诸如读取操作、写入操作、编程操作和擦除操作)。具体地，控制器130可以包括主机接口单元132、处理器134、错误校正码(ECC)单元138、电源管理单元140、NAND闪存控制器142以及存储器144。主机接口单元132可以处理从主机1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器件，包括：层叠的多个字线；垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部处，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线。

【技术特征摘要】
2017.06.29 US 62/526,6321.一种非易失性存储器件，包括：层叠的多个字线；垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部处，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，在与选中的字线相邻设置的邻近字线之中，负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线之中的字线。4.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，在负偏压被施加到继选中的字线之后要被编程的字线之前，单元串中的所有未选中的字线利用通过电压来偏置。5.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，在施加负偏压之后，选中的字线被放电。6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，选中的字线利用接地电压电平来放电。7.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，包括被放电的选中的字线和被施加负偏压的邻近字线的单元串中的所有字线利用通过电压来均衡，并且所有字线电压被重置。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，施加到选中的字线的编程电压以多步骤上升法来施加。9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线的通过电压以多步骤上升法来施加。10.一种用于操作具有形成单元串的多个字线的非易失性存储器件的方法，包括：将编程电压施加到选中的字线并且将通过电压施加到未选中的字线；以及在将编程电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴真用，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR