一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体制造技术领域，尤其涉及一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构，包括双壁坩埚，其材质为铱，包括外层坩埚和内层坩埚，内层坩埚通过支撑架固定于外层坩埚内，内层坩埚与外层坩埚之间形成空腔，内层坩埚无底面并共用外层坩埚的底面。本实用新型专利技术采用双壁坩埚，该双壁坩埚采用外层坩埚和内层坩埚相结合，并在结合处形成空腔，空腔即形成加料区以及熔化区。在拉制TGG、GGG晶体时。依据晶体生长情况的原料溶液的损耗，通过空腔位置持续添加原料达到初始状态时的液面高度，这样就实现了一边加料一边生长晶体，一方面解决了现有晶体生长中由于液面下降，导致的晶体的传热性能改变而带来的晶体生长变形，螺旋等不良；另一方面有益生长出等径较长的TGG/GGG晶体。

A Double-Wall Crucible Structure for Large-Size TGG and GGG Crystals

The utility model relates to the technical field of crystal manufacturing, in particular to a double-wall crucible structure for producing large-sized TGG and GGG crystals, including a double-wall crucible made of iridium, including an outer crucible and an inner crucible. The inner crucible is fixed in an outer crucible through a support frame, and a cavity is formed between the inner crucible and the outer crucible. The inner crucible has no bottom surface and shares the bottom surface of the outer crucible. \u3002 The utility model adopts a double-wall crucible, which combines an outer crucible with an inner crucible, and forms a cavity at the junction, which forms a feeding zone and a melting zone. When drawing TGG and GGG crystals. According to the loss of raw material solution in the crystal growth situation, the liquid level height at the initial state can be reached by continuously adding raw materials through the cavity position, which realizes the growth of crystals while feeding. On the one hand, it solves the problems of crystal growth distortion and spiral caused by the change of heat transfer performance of crystals caused by the drop of liquid surface in the existing crystal growth; on the other hand, it is beneficial for the growth of crystals. TGG/GGG crystals with longer equal diameter were obtained.

【技术实现步骤摘要】
一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构
本专利技术涉及晶体制造
，尤其涉及一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构。
技术介绍
铱的熔点高达2440℃，具有良好的耐蚀性和高温抗氧化性，尤其在高温领域。铱坩埚是重要的贵金属器皿材料，可用于难熔氧化物晶体，如人工晶体、人造宝石、蓝宝石等行业，坩埚可在1800～2200℃工作数千小时不破裂，要求表面应平整光滑、洁净，内部结构致密不允许有分层、气孔、夹砂、砂眼、裂纹等冶金缺陷，密度不小于21.0g/cm3。但是现有技术中，坩埚根据尺寸大小，装料量有限。生长TGG、GGG晶体时，在坩埚内一次填满原料，中途不能添加原料，原料熔化后进行生长，等到剩余少量溶液后，进行收尾出炉，这种生长模式，由于中途不能添加原料，晶体生长中由于液面下降，导致晶体的传热性能改变，液体内部对流变化，导致晶体生长变形，螺旋。除此外，此种生长模式坩埚利用率比较低，进而导致晶体的生产效率比较低且不能生产大尺寸的TGG、GGG晶体。因此，为了满足实现大尺寸TGG、GGG晶体的生产和质量要求，必须对现有技术的坩埚结构进行重新设计。
技术实现思路
本专利技术为克服现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构，包括双壁坩埚，其材质为铱，其特征在于：包括外层坩埚和内层坩埚，所述内层坩埚通过支撑架固定于所述外层坩埚内，所述内层坩埚与外层坩埚之间形成空腔，所述内层坩埚无底面并共用所述外层坩埚的底面，所述的外层坩埚和内层坩埚的顶面齐平或内层坩埚的顶面高于外层坩埚的顶面。

【技术特征摘要】
1.一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构，包括双壁坩埚，其材质为铱，其特征在于：包括外层坩埚和内层坩埚，所述内层坩埚通过支撑架固定于所述外层坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，
申请(专利权)人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34