一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法，由四氯化硅预处理装置(A)、含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料预处理装置(B)和反应精馏塔(C)组成。分别经过预处理后的四氯化硅与含甲基二氯硅烷的三氯氢硅原料在反应精馏塔内进行氯原子再分配反应，并通过反应精馏的分离作用，从塔顶采出反应产物三氯氢硅，塔釜采出过量的四氯化硅和生成的甲基三氯硅烷。为了保证甲基二氯硅烷的完全转化，四氯化硅适当过量。本发明专利技术流程简单，甲基二氯硅烷转化率高。

【技术实现步骤摘要】
一种反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法
本专利技术涉及反应精馏
，特别涉及一种多晶硅生产过程中利用氯原子再分配反应通过反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的方法。
技术介绍
碳是半导体材料的主要杂质之一，其严重影响产品的电学性能，使硅器件的击穿电压降低。并且碳与氧共同作用，使杂质对材料和器件性能的影响复杂化，导致其使用寿命缩短；此外多晶硅中高浓度的碳会促进氧沉淀的形成，氧沉淀形成会会诱发位错、层错等二次缺陷，这些缺陷会使硅器件漏电流增加，降低了成品率。多晶硅作为半导体的原材料，其碳含量如果超标，将在后续的加工过程中无法去除，所以，需在多晶硅生产中就严格控制碳含量。目前，多晶硅的主要生产方法为改良西门子法，三氯氢硅的提纯技术都是采用多级精馏分离工艺，此方法能够去除大多数分离系数很大的杂质，但对于与三氯氢硅沸点相近的含碳杂质，如甲基二氯硅烷，其沸点为41.9℃，与三氯氢硅的相对挥发度只有1.16，采用精馏工艺难以进行有效的去除。多级精馏后的三氯氢硅物料中还会含有1ppmw数量级的甲基二氯硅烷，无法达到半导体级别多晶硅的生产。已报道的专利中，采用的是吸附技术去除三氯氢硅中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.本专利技术涉及反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法，其特征是包含四氯化硅预处理装置(A)、甲基二氯硅烷原料预处理装置(B)、和反应精馏塔(C)。四氯化硅经预处理装置(A)处理后，与同样经预处理装置(B)处理后的含甲基二氯硅烷的三氯氢硅物料在反应精馏塔(C)进行氯原子再分配反应和精馏分离，反应生成的三氯氢硅送至已有精馏装置进行利用，甲基三氯硅烷和四氯化硅混合物送至四氯化硅回用装置。

【技术特征摘要】
1.本发明涉及反应精馏去除三氯氢硅中甲基二氯硅烷的装置和方法，其特征是包含四氯化硅预处理装置(A)、甲基二氯硅烷原料预处理装置(B)、和反应精馏塔(C)。四氯化硅经预处理装置(A)处理后，与同样经预处理装置(B)处理后的含甲基二氯硅烷的三氯氢硅物料在反应精馏塔(C)进行氯原子再分配反应和精馏分离，反应生成的三氯氢硅送至已有精馏装置进行利用，甲基三氯硅烷和四氯化硅混合物送至四氯化硅回用装置。2.如权利要求1所述的方法，四氯化...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红星，陈锦溢，华超，刘洋，李飞，
申请(专利权)人：天津科技大学，
类型：发明
国别省市：天津,12