封装体检测方法技术

本发明专利技术涉及分析技术领域，尤其涉及一种封装体检测方法。所述封装体检测方法包括如下步骤：提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。本发明专利技术能够达到在同时与金线和焊球稳固连接的情况下，实现对金线与焊球电连接性能的准确检测，确保了对封装体分析、检测结果的准确性。

Detection Method of Packager

The invention relates to the technical field of analysis, in particular to a detection method for packages. The package detection method includes the following steps: providing a package, which includes welding balls and gold wires located on opposite sides of the package substrate; drawing out the contact points of the welding balls to the outer part of the package to form external solder ball contacts; electrically connecting the external solder ball contacts and the gold wires to detect the electrical connection performance of the gold wires and the solder balls in the package body. The invention can realize the accurate detection of the electrical connection performance of the gold wire and the welding ball under the condition that the gold wire and the welding ball are firmly connected at the same time, and ensure the accuracy of the package analysis and the test results.

【技术实现步骤摘要】
封装体检测方法
本专利技术涉及分析
，尤其涉及一种封装体检测方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。封装是3DNAND存储器制造过程中的一个重要步骤。BGA(BallGridArray，球栅阵列)封装，是一种新型的表面贴装大规模集成电路的封装形式。与传统的QFP(QuadFlatPackage，四侧引脚扁平封装)工艺相比，BGA封装技术提高了输入/输出端子数量，减少了寄生电感和电容，改善了3DNAND存储器的电性能。但是，目前还没有有效的方法对BGA封装体的封装质量进行检测。因此，如何准确实现对封装体封装质量的检测，确保对封装体分析、检测结果的准确性，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装体检测方法，用于解决现有技术不能对封装体封装质量进行准确检测的问题，以确保对封装体分析、检测结果的准确性。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种封装体检测方法，包括如下步骤：提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。优选的，所述封装体为BGA封装体。优选的，引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部。优选的，自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：将所述封装体放置于一承载部上，所述承载部具有用于与所述焊球接触的承载面、与所述承载面相对的引出面、以及贯穿所述承载部的通孔；采用一引出部自所述引出面穿过所述通孔与所述承载面上的所述焊球电连接，将所述焊球的触点引出至所述封装体外部。优选的，还包括如下步骤：在所述承载部上移动所述封装体，对齐所述焊球与所述通孔。优选的，所述承载部包括一透明绝缘承载板，所述通孔贯穿所述透明绝缘承载板。优选的，所述引出部包括导电针、引出线和接触垫；将所述焊球的触点引出至所述封装体外部的具体步骤包括：所述导电针的针尖部穿过所述通孔，与所述焊球电连接；所述引出线的一端与所述导电针的端部电连接、另一端与所述接触垫电连接，将所述焊球的触点引出至所述封装体外部。优选的，所述封装体包括位于所述封装基板表面的芯片以及用于包覆所述芯片与所述金线的塑封层；电连接所述外部焊球触点与所述金线之前还包括如下步骤：研磨所述塑封层，暴露所述金线。优选的，电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能的具体步骤包括：提供一万用表；电连接所述万用表的一端与暴露的所述金线、并同时电连接所述万用表的另一端与所述接触垫，检测位于所述封装体内的所述金线与所述焊球之间的电阻。优选的，还包括如下步骤：提供第一探针与第二探针；电连接所述第一探针的一端与暴露的所述金线、并电连接所述万用表与所述第一探针的另一端；电连接所述第二探针的一端与所述接触垫、并电连接所述万用表与所述第二探针的另一端。本专利技术提供的封装体检测方法，通过将封装体的焊球引出至封装体外，能够达到在同时与金线和焊球稳固连接的情况下，实现对金线与焊球在封装体内的电连接性能的准确检测，确保对封装体分析、检测结果的准确性。附图说明附图1是本专利技术具体实施方式中封装体检测方法的流程图；附图2A-2E是本专利技术具体实施方式中对封装体检测过程中的主要工艺结构示意图；附图3是本专利技术具体实施方式中所使用的封装体检测装置的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的封装体检测方法的具体实施方式做详细说明。在封装体中，金线一端连接芯片、另一端通过封装基板中的金属走线与焊球连接，以将外部电信号传输至所述芯片。在对封装体进行失效分析或者反向分析时，需要对直径约300μm的焊球和直径约20μm的金线之间的连接性能进行检测，例如在失效分析时，已知焊球和金线在设计上是连接的，需要确认实际产品中焊球与金线之间的连接线路是否存在问题；又例如在反向分析时，需要确认焊球与金线是否连接。但是，在已完成封装工艺的封装体中，焊球与金线是位于封装基板的相对两侧，没有测量装置可以在实现同时与焊球及金线稳固连接的情况下，对焊球与金线之间的电连接性能进行检测。目前，只能通过X射线间接的、粗略的判断焊球与金线之间的电连接线路是否存在严重的连接不良问题，无法精确的判断焊球与金线是否连接以及连接线路有无问题。另外，由于在封装基板内(特别是BGA封装体的封装基板内)具有多层金属走线，通过X射线进行观察时，在所述封装基板内会出现图案重叠区域，从而无法准确的找出焊球与金线之间的连接线路，进而也就无法判断焊球与金线之间的连接线路是否存在问题。为了解决上述问题，本具体实施方式还提供了一种封装体检测方法，附图1是本专利技术具体实施方式中封装体检测方法的流程图，附图2A-2E是本专利技术具体实施方式中对封装体检测过程中的主要工艺结构示意图。如图1、图2A-图2E所示，本具体实施方式提供的封装体检测方法，包括如下步骤：步骤S11，提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板20相对两侧的焊球28和金线22，如图2A所示。所述金线22与所述焊球28通过所述封装基板20内的多层连接线201电连接。步骤S12，引出所述焊球28的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点。优选的，所述封装体为BGA封装体。更引出所述焊球28的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：自所述封装基板20形成有所述焊球28的一侧引出所述焊球28的触点至所述封装体外部。具体来说，自所述封装基板20形成有所述焊球28的一侧引出所述焊球28的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：将所述封装体放置于一承载部上，所述承载部具有用于与所述焊球28接触的承载面111、与所述承载面111相对的引出面112、以及贯穿所述承载部的通孔101，如图2C所示；采用一引出部自所述引出面112穿过所述通孔101与所述承载面111上的所述焊球28电连接，将所述焊球28的触点引出至所述封装体外部，如图2D所示。优选的，所述承载部包括一透明绝缘承载板11，所述通孔101贯穿所述透明绝缘承载板11。更优选的，所述引出部包括导电针、引出线和接触垫；将所述焊球28的触点引出至所述封装体外部的具体步骤包括：所述导电针12的针尖部穿过所述通孔101，与所述焊球28电连接；所述引出线14的一端与所述导电针12的端部电连接、另一端与所述接触垫15电连接，将所述焊球28的触点引出至所述封装体外部。具体来说，先将所述封装体置于所述承载部的所述承载面111上，且使得所述封装体上所述焊球28的位置正对所述通孔101在所述承载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装体检测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。

【技术特征摘要】
1.一种封装体检测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。2.根据权利要求1所述的封装体检测方法，其特征在于，所述封装体为BGA封装体。3.根据权利要求2所述的封装体检测方法，其特征在于，引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部。4.根据权利要求3所述的封装体检测方法，其特征在于，自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：将所述封装体放置于一承载部上，所述承载部具有用于与所述焊球接触的承载面、与所述承载面相对的引出面、以及贯穿所述承载部的通孔；采用一引出部自所述引出面穿过所述通孔与所述承载面上的所述焊球电连接，将所述焊球的触点引出至所述封装体外部。5.根据权利要求4所述的封装体检测方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述承载部上移动所述封装体，对齐所述焊球与所述通孔。6.根据权利要求4所述的封装体检测方法，其特征在于，所述承载部包括一透明绝缘承载板，所述通孔贯穿所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林万建，刘秋艳，张顺勇，梁山安，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42