一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法，属于光刻掩膜版的制作及应用技术领域，包括：提供一预处理结构，预处理结构包括石英层、MoSi层、Gr层；于预处理结构上涂覆光刻胶层，根据预设曝光形状对光刻胶层进行曝光形成窗口；以光刻胶层为掩膜对Gr层和MoSi层进行刻蚀，以得到预处理复合型掩膜版；去除预处理复合型掩膜版中的光刻胶层，以得到复合型掩膜版。本发明专利技术的有益效果：通过设计复合型掩模版，既保留了双极型掩模版暗区遮光好的优势，又采用强度衰减相掩模版来形成更陡峭的光强变化，优势互补，通过使用复合型掩膜版能够成功解决敏感光刻胶形貌问题，得到更直的光阻形貌，改善了对光敏感的光阻形貌。

A Composite Mask for Improving the Morphology of Sensitive Photoresist and Its Fabrication Method

The invention provides a composite mask for improving the morphology of sensitive photoresist and its fabrication method, which belongs to the field of photoresist mask fabrication and application technology, including: providing a pretreatment structure, which includes quartz layer, MoSi layer and Gr layer; coating a photoresist layer on the pretreatment structure, and exposing the photoresist layer according to the preset exposure shape to form a window for photolithography; The Gr layer and MOSI layer were etched to obtain the pretreated composite mask, and the photoresist layer in the pretreated composite mask was removed to obtain the composite mask. The beneficial effect of the present invention is that by designing a composite mask, the advantages of good shading in dark area of bipolar mask are retained, and the intensity attenuation phase mask is used to form a steeper intensity change. The advantages complement each other. By using the composite mask, the problem of sensitive photoresist morphology can be successfully solved, the straight photoresist morphology can be obtained, and the photoresist morphology sensitive to light can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法
本专利技术涉及光刻掩膜版的制作及应用
，尤其涉及一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版及其制作方法。
技术介绍
常规双极型掩模版(Cr双极型掩模)只使用光线的强度来成像，而不使用其相位。掩模上遮光的部分对应晶圆上非曝光区域，透光的部分对应曝光的区域，如图1所示，为上述常规双极型掩膜版。相移的掩模则同时利用光线的强度和相位来成像，得到更高的分辨率。强度衰减的相移掩模是在石英玻璃的表面沉积一定厚度的MoSi层，取代Cr，这种MoSi是部分透光的，假设石英玻璃是完全透明的(100％的透过率)，沉积不同厚度的MoSi层可允许一定量的(通常在4％～15％)的光线透过，且透过MoSi的光发生了180°的相位移动，在MoSi的边缘处，0相位和180°相位的透射光相互抵消，形成更陡峭的光强变化，如图2所示，为上述强度衰减相掩模版。应用强度衰减相掩模版时，目前普遍选用的是6％～7％的透射率，但通过理论计算，高透射率可以得到更高的分辨率，但对于一些敏感的光刻胶，较低的透射率也会发生光化学反应，从而导致暗区被曝光，产生缺陷(defect)并导致光阻变薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版，其特征在于，包括：石英层；多个复合结构，每个所述复合结构分别设置于所述石英层上；所述复合结构包括：MoSi层，所述MoSi层设置于所述的上表面；Gr层，所述Gr层设置于所述MoSi层的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种改善敏感光刻胶形貌的复合型掩模版，其特征在于，包括：石英层；多个复合结构，每个所述复合结构分别设置于所述石英层上；所述复合结构包括：MoSi层，所述MoSi层设置于所述的上表面；Gr层，所述Gr层设置于所述MoSi层的上表面。2.根据权利要求1所述的复合型掩模版，其特征在于，所述MoSi层的宽度大于所述Gr层的宽度。3.一种改善光刻胶形貌的复合型掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一预处理结构，所述预处理结构包括石英层、设置于所述石英层的上表面的MoSi层、设置于所述MoSi层的上表面的Gr层；步骤S2、于所述预处理结构上涂覆光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述Gr层的上表面，根据预设曝光形状对所述光刻胶层进行曝光，以于所述光刻胶层上形成对应预设曝光形状的窗口；步骤S3、以所述光刻胶层为掩膜对所述Gr层和所述MoSi层进行刻蚀，以得到预处理复合型掩膜版；步骤S4、去除所述预处理复合型掩膜版中的所述光刻胶层，以得到所述复合型掩膜版。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层的材质为电子胶；所述步骤S2中，采用电子束对所述光刻胶层进行曝光。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述预处理复合型掩膜版的所述MoSi层的宽度大于所述Gr层的宽度。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵志忙，王晓龙，吴鹏，陈力钧，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31