透明导电性薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种透明导电性薄膜(10)，其在树脂薄膜(1)的一个表面上依次配置有电介质层(2)及铟锡复合氧化物层(3)，树脂薄膜(1)为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种，电介质层(2)由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下，在铟锡复合氧化物层(3)的配置有电介质层(2)的一侧的相反侧的表面，存在2.1原子％以上且4.0原子％以下的、可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。本发明专利技术的透明导电性薄膜(10)可以通过在树脂薄膜(1)的一个表面上层叠电介质层(2)，在电介质层(2)的配置有树脂薄膜(1)的一侧的相反侧的表面上层叠铟锡复合氧化物层(3)来制作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电性薄膜及其制造方法
本专利技术涉及在树脂薄膜的单面配置有铟锡复合氧化物层的透明导电性薄膜及其制造方法。
技术介绍
在透明基材上形成有铟锡复合氧化物层等透明导电性膜的透明导电性薄膜被广泛用于显示器及触摸面板等器件。这些器件中，透明导电性薄膜在要求透明性和导电性这两者的部件中使用。另一方面，透明导电性膜通常利用引出电极与IC控制器等电连接。近年来，由于显示器及触摸面板等的窄边框化，有引出电极与透明导电性膜的接触面积减少的倾向，强烈要求提高透明导电性膜与引出电极的密合性。因此，专利文献1中提出了在透明导电性膜上设置由结晶度低的金属氧化物构成的密合性改善层的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-228782号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，通常由结晶度低的金属氧化物构成的金属氧化物层的透明性或导电性差，因此在专利文献1中，有密合性改善层使透明导电性薄膜的导电性或透明性恶化的担心。本专利技术为了解决上述的问题，提供不设置密合性改善层而具有高的导电性和透明性、并且与引出电极的密合性提高的透明导电性薄膜及其制造方法。用于解决问题的方案本专利技术涉及一种透明导电性薄膜，其在树脂薄膜的一个表面上依次配置有电介质层及铟锡复合氧化物层，其特征在于，树脂薄膜为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种，前述电介质层由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下，在前述铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面存在2.1原子％以上且4.0原子％以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。另外，本专利技术还涉及一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，在选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种树脂薄膜的一个表面上层叠由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下的电介质层，在前述电介质层的配置有树脂薄膜的一侧的相反侧的表面上层叠铟锡复合氧化物层，得到透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜包含树脂薄膜、电介质层及铟锡复合氧化物层，并且在铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面存在2.1原子％以上且4.0原子％以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。专利技术的效果本专利技术提供具有高的导电性和透明性、与引出电极的密合性提高了的透明导电性薄膜。另外，根据本专利技术的制造方法，能够简便地制作具有高的导电性和透明性、与引出电极的密合性提高的透明导电性薄膜。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。图2为本专利技术的另一实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。图3为示出存在于铟锡复合氧化物层的表面的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基的量和透明导电性薄膜与引出电极的剥离比例的关系的图。具体实施方式本专利技术人等对保持透明导电性薄膜的导电性及透明性高、并且提高与引出电极的密合性的情况进行了深入研究。其结果发现，通过使用选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种树脂薄膜作为透明基材，使用铟锡复合氧化物层作为透明导电性膜，在树脂薄膜与铟锡复合氧化物层之间配置厚度为0.005μm～0.100μm的由有机物或有机物与无机物的混合物构成的电介质层，使铟锡复合氧化物层的表面存在2.1原子％(atomic％)以上且4.0原子％以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基，可得到具有高的导电性及透明性、与引出电极的密合性提高的透明导电性薄膜，从而完成了本专利技术。另外，本专利技术的透明导电性薄膜与引出电极的密合性高，因此对于使用金属引出电极的触摸面板，能够利用引出电极更确实地获得由透明导电性薄膜构成的接触式传感器的信号，接触式传感器的可靠性提高。特别是由于与引出电极的密合性高，因此即使在加热加湿试验后，也良好地保持由透明导电性薄膜构成的接触式传感器的功能，提高接触式传感器的耐久性。以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1为本专利技术的一个实施方式的透明导电性薄膜的示意截面图。如图1所示，透明导电性薄膜10具有：树脂薄膜1、配置于树脂薄膜1的一个表面上的电介质层2、和配置于电介质层2的配置有树脂薄膜1的一侧的相反侧的表面上的铟锡复合氧化物层3。需要说明的是，本说明书中，铟锡复合氧化物与ITO(IndiumTinOxide)含义相同。(树脂薄膜1)树脂薄膜1为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种。通过使聚酯系树脂、纤维素系树脂及酰亚胺系树脂在分子骨架中具有极性基团，从而表现出适度的含水率(也称为水分率)。因此可推测，在透明导电性薄膜10中，由这些在分子骨架中具有极性基团的树脂形成的树脂薄膜1中所含的水分在将铟锡复合氧化物层制膜时向铟锡复合氧化物层3的表面移动，在铟锡复合氧化物层3的表面存在2.1原子％～4.0原子％的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基，透明导电性薄膜与引出电极的密合性提高。作为上述聚酯系树脂，没有特别限定，可以使用二羧酸成分与二醇成分的共聚物。这样的聚酯系树脂例如可以通过使用二羧酸成分和二醇成分作为原料材料，使这些成分发生酯化反应、缩聚反应来获得。作为上述二羧酸成分，没有特别限定，例如可列举出丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸、二聚酸、二十烷二酸、庚二酸、壬二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸等脂肪族二羧酸类；金刚烷二羧酸、降冰片烯二羧酸、环己烷二羧酸、十氢萘二羧酸等脂环族二羧酸类；对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、1,8-萘二羧酸、4,4’-二苯基二羧酸、4,4’-二苯基醚二羧酸、间苯二甲酸-5-磺酸钠、苯基茚满二羧酸、蒽二羧酸、菲二羧酸、9,9’-双(4-羧基苯基)芴酸等芳香族二羧酸等二羧酸、或其酯衍生物。这些二羧酸成分可以使用1种，也可以组合使用2种以上。优选使用至少1种芳香族二羧酸作为上述二羧酸成分的情况。更优选的是，二羧酸成分中含有芳香族二羧酸作为主成分。需要说明的是，“主成分”是指芳香族二羧酸在二羧酸成分中所占的比例为80质量％以上。作为上述二醇成分，没有特别限定，例如，可列举出乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇等脂肪族二醇类；环己烷二甲醇、螺二醇、异山梨醇等脂环式二醇类；双酚A、1,3-苯二甲醇，1,4-苯二甲醇、9,9’-双(4-羟基苯基)芴等芳香族二醇类等。上述二醇成分可以使用1种，也可以组合使用2种以上。优选使用至少1种脂肪族二醇作为上述二醇成分的情况。作为脂肪族二醇，可以包含乙二醇，优选含有乙二醇作为主成分。需要说明的是，“主成分”是指乙二醇在二醇成分中所占的比例为80质量％以上。如上所述，作为使用二羧酸成分及二醇成分而得到的聚酯树脂，没有特别限定，例如，优选选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(PEN)及聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)组成的组中的一种以上，从成本的观点出发，更优选为PET。作为上述纤维素系树脂，没有特别限定，例如，优选纤维素和/或作为其衍生物的纤维素酯。纤维素酯优选纤维素与脂肪酸(包括芳香族脂肪酸)的酯，优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电性薄膜，其在树脂薄膜的一个表面上依次配置有电介质层及铟锡复合氧化物层，其特征在于，所述树脂薄膜为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种，所述电介质层由有机物或有机物与无机物的混合物构成，并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下，在铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面，存在2.1原子％以上且4.0原子％以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.13 JP 2016-0973161.一种透明导电性薄膜，其在树脂薄膜的一个表面上依次配置有电介质层及铟锡复合氧化物层，其特征在于，所述树脂薄膜为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种，所述电介质层由有机物或有机物与无机物的混合物构成，并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下，在铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面，存在2.1原子％以上且4.0原子％以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，在所述铟锡复合氧化物层的与配置有电介质层的一侧处于相反侧的表面的周缘部配置有引出电极。3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中，所述引出电极由以银为主成分的导电性糊剂构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述树...

【专利技术属性】
技术研发人员：田口祐介，大本慎也，坂口雅史，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本,JP