【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件
本专利技术涉及一种测定例如压力等的物理量的物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件。
技术介绍
作为以往的物理量测定装置的一例，已知有安装于测定对象的各种设备并测定压力的圧力测定装置(参照下述的专利文献1)。专利文献1所记载的圧力测定装置包括金属壳体和应变检测元件。金属壳体具有压力导入部和隔膜，该隔膜由于从该压力导入部导入的压力而产生变形。应变检测元件检测隔膜中产生的应变。所述圧力测定装置在所述金属壳体上具有由第一脆性材料构成的基台。在所述圧力测定装置中，所述应变检测元件经由比所述基台的熔点低的第二脆性材料与基台接合。在专利文献1中记载了如下内容：通过所述构成，能够提供一种与隔膜和应变检测元件的接合可靠性高的压力检测元件，所述隔膜由与硅、玻璃相比热膨胀系数相比较大的金属材料构成。另外，作为物理量测定装置的另外的例子，公开了一种涉及传感器元件被玻璃接合于金属杆的隔膜的压力传感器及其制造方法的专利技术(参照下述专利文献2)。专利文献2所记载的压力传感器包括金属杆、接合玻璃以及传感器元件。所述金属杆为设有导入压力介质...
【技术保护点】
1.一种物理量测定装置，包括：基台；半导体芯片，其基于作用于该基台的应力来测定物理量；接合层，其将该半导体芯片接合到所述基台，所述物理量测定装置的特征在于，所述接合层具有：第一接合层，所述第一接合层接合于所述半导体芯片；第二接合层，所述第二接合层接合于所述基台；绝缘基材，所述绝缘基材配置于所述第一接合层和所述第二接合层之间，所述第一接合层以及所述第二接合层包含玻璃，所述第一接合层的热膨胀系数为所述第二接合层的热膨胀系数以下，所述第一接合层的软化点为所述半导体芯片的耐热温度以下，所述第二接合层的软化点为所述第一接合层的软化点以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.27 JP 2016-1063781.一种物理量测定装置，包括：基台；半导体芯片，其基于作用于该基台的应力来测定物理量；接合层，其将该半导体芯片接合到所述基台，所述物理量测定装置的特征在于，所述接合层具有：第一接合层，所述第一接合层接合于所述半导体芯片；第二接合层，所述第二接合层接合于所述基台；绝缘基材，所述绝缘基材配置于所述第一接合层和所述第二接合层之间，所述第一接合层以及所述第二接合层包含玻璃，所述第一接合层的热膨胀系数为所述第二接合层的热膨胀系数以下，所述第一接合层的软化点为所述半导体芯片的耐热温度以下，所述第二接合层的软化点为所述第一接合层的软化点以下。2.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述玻璃包含钒。3.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述第一接合层以及所述第二接合层含有热膨胀系数比所述玻璃低的填充材料，所述第一接合层的所述填充材料的含有率比所述第二接合层的所述填充材料的含有率高。4.如权利要求3所述的物理量测定装置，其特征在于，所述第一接合层的所述填充材料的含有率为30体积％以上且40体积％以下。5.如权利要求2所述的物理量测定装置，其特征在于，所述第一接合层中包含的所述玻璃包含40～50重量％的V2O5、20～30重量％的TeO2、5.8～15重量％的P2O5、0～15重量％的Fe2O3、0～10重量％的WO3、以及0～10重量％的ZnO，所述第二接合层中包含的所述玻璃包含37.2～50重量％的V2O5、20～30重量％的TeO2、0～15重量％的P2O5、0～15重量％的Fe2O3、0～10重量％的WO3、0～26重量％的BaO、0～10重量％的ZnO、以及0～5重量％的碱金属氧化物。6.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述绝缘基材的热膨胀系数为38×10-7/℃以上且100×10-7/℃以下。7.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述绝缘基材的原材料为玻璃、硅、或者氧化铝。8.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述绝缘基材的厚度为5μm以上且500μm以下。9.如权利要求1所述的物理量测定装置，其特征在于，所述基台以及所述半导体芯片在...
【专利技术属性】
技术研发人员：青柳拓也，内藤孝，三宅龙也，芝田瑞纪，小贯洋，寺田大介，小松成亘，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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